EFECTO HALL EN GERMANIO TIPO N

El objetivo de esta prctica es caracterizar una pieza de Germanio tipo n, a partir de las medidas realizadas de resistencia y voltaje Hall en funcin de la temperatura y el campo magntico aplicado. De los diferentes resultados obtenidos se determinarn la energa del gap, la conductividad, el tipo de portadores mayoritarios y su movilidad. Para ello se dispone de una placa que contiene una muestra de Germanio tipo n, que dispone de tres conectores A, B y C para la aplicacin de tensiones y corrientes de control, y otros dos terminales adicionales que nos permiten medir la tensin Hall en la muestra. Dicha placa est equipada tambin con una resistencia calefactora para calentar la muestra de Germanio, que funciona mediante la aplicacin de una tensin alterna (o continua) inferior a 6 V.

Figura 1. Configuracin del experimento para la medicin del efecto Hall En la figura 1 se muestra la configuracin del experimento que permite la medicin del efecto Hall. A partir de los terminales A y B es posible aplicar una corriente variable utilizando el potencimetro de 560 . (Nota importante: dicha corriente nunca debe superar los 30 mA, por lo que debe controlarse en todo momento mediante un ampermetro, como se

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muestra en la figura). El campo magntico es generado mediante un ncleo de hierro que dispone de dos bobinas alimentadas con una tensin continua variable. Las bobinas deben conectarse en serie y de tal manera que el flujo magntico generado tenga la misma direccin en ambas. Se dispone de un teslmetro para medir la intensidad de dicho campo. 1. A temperatura ambiente, medir el voltaje Hall (VH) como funcin de la induccin magntica B, para una corriente de control constante de aproximadamente 30 mA. De igual manera, para un campo magntico constante de unos 300 mT, medir el voltaje Hall en funcin de la corriente de control. 2. En ausencia de campo magntico (quitar las piezas sueltas que permiten cerrar el campo a travs del ncleo magntico), obtener la resistencia R0 de la muestra para campo nulo y una corriente de control de aproximadamente 30 mA, mediante la medida de la cada de tensin en los terminales A y B. A continuacin, medir el cambio de resistencia (RB R0)/R0 en funcin de la induccin magntica. (RB es la resistencia de la muestra ante la presencia de campo magntico). 3. Calentar la muestra a temperaturas de hasta 175C con la ayuda de la resistencia calefactora, aplicando una tensin de unos 5 V (corriente mxima = 3 A) entre sus terminales. Para favorecer el proceso de calentamiento del semiconductor, quitar las piezas sueltas del ncleo magntico (campo nulo). La temperatura en la muestra puede medirse utilizando el termopar incluido en la placa, a partir de la siguiente expresin: T = (VT/) + T0, donde = 40 V/K, VT es la tensin en el termopar y T0 es la temperatura de la habitacin. (Nota importante: No permitir que la temperatura de la muestra supere los 175C, lo que equivale a unos 6 mV de tensin entre los extremos del termopar). Medir, para campo magntico nulo y corriente de control constante de aproximadamente 30 mA, la tensin entre los extremos del semiconductor a medida que aumenta la temperatura (tomar una medida de dicha tensin aproximadamente cada incremento de 1 mV de la tensin en el termopar). Para evaluar todos los resultados obtenidos, hemos de partir de la expresin para la fuerza de Lorentz: F = q(v B), que dice que tanto los portadores de carga positiva como los de carga negativa, los cuales se desplazan en sentido contrario para una campo elctrico dado, sufrirn una deflexin en la misma direccin. Si la direccin de la corriente y del campo magntico son conocidas, la polaridad del voltaje Hall nos indicar el tipo de portador mayoritario de la muestra.

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Existe una relacin lineal entre el voltaje Hall y la corriente de control aplicada: VH = I. A partir de los resultados obtenidos, se puede determinar dicho factor de proporcionalidad. El cambio de resistencia de la muestra frente al campo magntico no presenta un comportamiento lineal, sino ms bien cuadrtico. Comprobarlo mediante la representacin de las medidas realizadas. Para el caso de conduccin intrnseca (a altas temperaturas), la relacin entre la conductividad y la temperatura absoluta T viene dada por: = 0 exp (-Eg/(2kT)) donde Eg es la energa del gap del semiconductor y k es la constante de Boltzmann. Si representamos el logaritmo neperiano de la expresin anterior frente a la inversa de la temperatura (1/T), tendremos que su pendiente viene dada por: b = - Eg/(2k) Por tanto, podemos determinar directamente el valor de Eg, a partir de una estimacin de dicha pendiente para bajos valores de 1/T. Para ello, obsrvese que la inversa de la tensin en los extremos del semiconductor es proporcional a la conductividad. Una vez apliquemos un campo magntico determinado y una corriente de control sobre la muestra de germanio, la polaridad del voltaje Hall nos indicar el tipo de portador mayoritario, que este caso son los electrones. Las cargas tendern a desplazarse hacia un extremo de la muestra en direccin perpendicular al campo elctrico, dando lugar a un campo elctrico transversal debido a la diferencia de concentracin de portadores en uno y otro extremo de la muestra de semiconductor. En el estacionario, este campo elctrico transversal anula la fuerza generada por el campo magntico sobre las cargas mviles, por lo que el nmero de cargas mviles desplazadas a los extremos se mantiene constante y, por tanto, el campo elctrico transversal debido a ellas. En dicho estacionario, se tendr que: Fcampo elctrico = -qEt = -Fcampo magntico = -(-qvB) = qvB Adems, se tiene que: J = nqv, luego: Et = -vB = -JB/(nq) = -IB/(nqA) donde A es el rea de la seccin transversal de la muestra, es decir, su alto (a) por su espesor (d): A = ad. Tngase en cuenta que las dimensiones de la muestra de Germanio son 20101 mm3. El voltaje Hall
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generado, dado que E = -dV/dx, es igual al campo por el alto de la muestra: Et = -VH/a = -IB/(nqad) => VH = IB/(nqd) = RHBI/d donde RH = 1/(qn) se conoce como coeficiente Hall. Por tanto, la conductividad 0, la movilidad H y la densidad de portadores n, estn todas interrelacionadas mediante el coeficiente Hall RH: RH = (VH/B)d/I H = RH 0 n = 1/(qRH) A partir de la relacin lineal existente entre el voltaje Hall y el campo magntico (B), tomando las mediciones realizadas en este sentido es posible determinar RH puesto que la corriente de control es conocida al igual que el espesor de la muestra (1 mm). La conductividad del material puede determinarse a partir de la medida de su resistencia (R) utilizando un multmetro, y sabiendo que: 0 = l/(RA) donde l es la longitud de la muestra (20 mm). Con los valores obtenidos para la conductividad y el coeficiente Hall es posible determinar la movilidad de los portadores, en este caso, los electrones. Igualmente, a partir del valor del coeficiente Hall es posible determinar la concentracin de electrones n.

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