UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA LABORATORIO DE CIRCUITOS DIGITALES II LABORATORIO 8.Memorias Profesor: Ing.
Oscar Casimiro Pariasca I. OBJETIVO: 1. Analizar el comportamiento de una unidad de memoria RAM , SRAM 2. Utilizar los terminales de direccin, control y datos de la memoria para escribir y leer datos. 3. Implementar memorias ROM y PROM usando puertas lgicas convencionales. II. MATERIALES y EQUIPO : - Protoboard, cables de conexin. - CI TTL: 74LS04, 74LS08, 74LS93, 74LS112, 74LS244, 74373, 74367 x 2, 74138 74154 , RAM 74LS189, RAM 6116, otros. - Resistencias : 120 x 8, 1 K x 12, 470 x 4 , Watt; Leds. - Display matriz 5 x 7 de 7 segmentos - Microinterruptores x 8 - Protoboard , cables - Fuente C.C. +5 voltios; VOM; Generador de Pulsos. III. CUESTIONARIO PREVIO: 1. Que es una unidad de memoria?. Tipos de memoria. Indique en un diagrama de bloques las diferentes lneas de datos, de direcciones, de control, etc. Explicar las operaciones de lectura y escritura en una unidad de memoria. 2. En la figura adjunta se muestra una memoria RAM de 4 x 4 . Encierre la RAM de 4 x 4 en un diagrama de bloques que seale todas las entradas y salidas. Suponiendo salidas de tres estados, construya una memoria de 8 x 8 utilizando cuatro unidades de RAM de 4 x 4 . Las siguientes unidades de memoria se especifican por el nmero de palabras multiplicado por el nmero de bits por palabra. Cuntas lneas de direccin y lneas de entrada-salida de datos se necesitan en cada caso? a) 4K x 16 b) 2G x 8 c)256 x 64 Indique el nmero de bytes que se almacenan en cada caso anterior. Cuntos chips de RAM de 32K x 8 se necesitan para tener una capacidad de memoria de 256K bytes? Cuntas lneas de direccin se necesitan para acceder a 256K bytes? Cuntas de esas lneas estn conectadas a las entradas de direccin de todos los chips? Cuntas lneas deben decodificarse para las entradas de seleccin del chip?. Especifique el tamao del decodificador. Qu es una ROM? . Dado un chip de ROM de 32 x 8 con una entrada de habilitacin, indique las conexiones externas que se requieren para construir una ROM de 128 x 8 con cuatro chips y un decodificador. Indique el modo de operacin del CI 74LS244. Tambin del CI 74367 y CI 74373 Indique el modo de funcionamiento de la memoria SRAM 74LS189 y de la memoria SRAM 6116. Analizar los ciclos de lectura y de escritura y el funcionamiento de los circuitos a implementar en la parte experimental.
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IV. PARTE EXPERIMENTAL: Verificar solo {(a) (b)} y (c) y (d) a) Prueba de la RAM 74LS189: 1. Las salidas de la RAM, producen valores de complemento, utilize 4 inversores a la salida para cambiar a su valor normal. 2. Almacene unas cuantas palabras en la memoria y luego lalas para verificar que las operaciones de lectura y escritura estn funcionando correctamente. Mantenga la entrada WE en el modo de lectura continuamente, a menos que quiera escribir en la memoria. La forma correcta de escribir requiere colocar primero la direccin en el contador y luego las entradas correspondientes.
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Para almacenar la palabra en la memoria, cambia WE a la posicin de escritura y luego se vuelve a la posicin de lectura. Tenga cuidado de no modificar la direccin ni las entradas cuando WE est en el modo de escritura. Para verificar el modo de lectura, utilice un contador en las entradas de direccin y un display en la salida de datos. Simulador de ROM: 1. Se obtiene un simulador de ROM con una RAM operndola nicamente en el modo de lectura. El patrn de unos y ceros se introduce primero en la RAM simuladora colocando la unidad momentneamente en el modo de escritura. Se efecta la simulacin colocando la unidad en el modo de lectura y tomando las lneas de direccin como entradas de la ROM. Entonces la ROM podr utilizarse para implementar cualquier circuito combinacional. b) Prueba de la RAM 6116 : 1. Verificar las operaciones de lectura y escritura en forma similar a la RAM utilizada anteriormente: escribir en la memoria los datos en las direcciones indicadas. Descripcin de los terminales : A0-A10: Lineas de direcciones I/O 0 I/O 7: Entrada y Salida de datos (CE)' , Habilitador del CI (OE)' , Habilitador de salidas (WE)' , Habilitador para la escritura Vcc Voltaje de alimentacin +5.0 Volts GND Terminal de tierra 0.0 Volts
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Conectar un contador (utilize un contador ascendente que cuente desde 00b hasta el 11b) a los terminales de direccin de la memoria, activar la operacin de lectura y observar el display. Utilizar como Reloj el generador de pulsos a una frecuencia de 1 Hz. Desconecte la fuente de Vcc, vuelva a conectarla, repita el paso 2 y observe al display.
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c) Simulador de ROM: Implementar el circuito para simular una memoria ROM de 4 x 2 bits. Verificar su funcionamiento Utilizar el CI 74367 u otro similar 74367 x 2 74138
d) Simulador de PROM: 1. 2. Implementar el circuito para simular una memoria PROM de 4 x 2 bits. Verificar su funcionamiento
V. CUESTIONARIO FINAL:
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Analize y explique el funcionamiento de los circuitos de la parte experimental. Expandir la unidad de memoria a una RAM de 32 x 4 usando dos CI 74189. Pruebe su circuito utilizndolo como simulador de ROM que sume un nmero de 3 bits a un nmero de 2 bits para producir una suma de 4 bits. Por ejemplo si la entrada de la ROM es 10110, la salida deber ser 101 + 10 = 0111 Utilize el contador para alimentar cuatro bits de la direccin y un interruptor para el quinto bit de la direccin. Una ROM de 32 x 6 con una lnea 20, convierten un nmero binario de seis bits en el nmero BCD de dos dgitos correspondiente. Por ejemplo, el nmero binario 100001 se convierte en el nmero BCD 011 0011 (decimal 33). Especifique la tabla de verdad de la ROM. Explicar el funcionamiento del siguiente diagrama de circuito :
En el diagrama de bloques del circuito, identifique los buses de datos, de direccin y de control. Realizar el mapeo de direcciones. Indique la finalidad de los latch de tres estados.
VI. Conclusiones.
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