Universidad Nacional Autónoma de Nicaragua.
UNAN-MANAGUA.
Recinto Universitario “Rubén Darío”
Facultad de Ciencias e Ingenierías.
Departamento de Tecnología.
Trabajo
de
Comunicaciones II.
Nombre:
Allan José Jirón Díaz.
Profesor:
Milciades Ramón Delgadillos.
28/02/2019
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo el intermedio
semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y el otro tipo N (estructura
P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se
sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de
alta resistividad (ν).
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
conmutador de RF
resistencia variable
protector de sobretensiones
foto detector
El fotodiodo PIN es uno de los foto detectores más comunes, debido a que la capa
intrínseca se puede modificar para optimizar su eficiencia cuántica y margen de
frecuencia, siendo así un material intrínseco semiconductor. Viene dado por tres
parámetros característicos:
Eficiencia cuántica.
Velocidad de respuesta.
Ruido del dispositivo
El detector de luz generalmente es un diodo PIN o un APD (fotodiodo de
avalancha). Ambos convierten la energía de luz en corriente. En consecuencia, se
requiere un conversor corriente a voltaje que transforme los cambios en la
corriente del detector a cambios de voltaje en la señal de salida
El diodo PIN trabajan como receptores ópticos en las longitudes de onda entre:
Estos fotodiodos APD pueden elegirse entre diferentes modelos y tipos, como:
APD de silicio (longitudes de onda de hasta 1100nm)
APD de InGaAs/InP (longitudes de onda de hasta 1300nm)
APD de germanio (para 1300nm)
Es relativamente fácil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible
con circuitos amplificadores de tensión. Además, es
sensible a un gran ancho de banda debido a que no tiene
mecanismo de ganancia.
Fotodetectores de avalancha (APD)
Los APD también son diodos polarizados en inversa, pero en este caso las
tensiones inversas son elevadas, originando un fuerte campo eléctrico que acelera
los portadores generados, de manera que estos colisionas con otros átomos del
semiconductor y generan, as pares electrón-hueco.
Esta ionizado por impacto determina la ganancia de avalancha.
Características PIN-APD
Costo:
Los diodos APD son más complejos y por ende más caro.
Vida:
Los diodos PIN presenta tiempos de vida más útil superiores.
Circuito de polarización
Los diodos PIN requieren circuitos de polarización más simple, pues trabajan a
menores tensiones.
Diodos PIN diseñados para comunicaciones de 10, 20, 40 o 80 Gbits/s
Enlaces digitales RZ y NRZ.
Este fotodiodo es utilizado para aplicaciones sobre las ventanas 850, 1310,
1550, y 1610.
Factor de potencia +/- 1Db.
Combinación emisor-receptor según longitud de onda
Comparación Fotodetectores.
Los parámetros de receptores analógicos son la linealidad o distorsión y el ancho
de banda, mientras que para receptores digitales la linealidad no es importante y
el ancho de banda.
Dispositivo PIN.
Dispositivos APD
Conclusiones.
Las APD son más sensibles son más sensibles que los diodos PIN y requieren de
menos amplificados adicional. Las desventajas de los APD son los tiempos de
transmisión, relativamente largos y ruido adicional internamente generando,
debido al factor de la multiplicación de avalancha.
Los receptores PIN y APD según el material que se use varia las características
de los mismos dando como resultado diferentes tipos de longitudes de onda.
Los receptores PIN y APD también sirve para demostrar en que ventana de
trabajo las longitudes de onda están.
