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Cálculos de Propiedades de Semiconductores

Este documento contiene las respuestas a 4 problemas relacionados con semiconductores intrínsecos y extrínsecos. En el primer problema se calcula la conductividad de un semiconductor intrínseco considerando su densidad de portadores y movilidades. En el segundo problema se calcula la resistividad de InP intrínseco a 300K usando datos de parámetros del material. En el tercer problema se calcula la concentración de portadores en ZnSe dada su conductividad. En el cuarto problema se calculan la concentración de electrones y huecos en silicio dopado con

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Este documento contiene las respuestas a 4 problemas relacionados con semiconductores intrínsecos y extrínsecos. En el primer problema se calcula la conductividad de un semiconductor intrínseco considerando su densidad de portadores y movilidades. En el segundo problema se calcula la resistividad de InP intrínseco a 300K usando datos de parámetros del material. En el tercer problema se calcula la concentración de portadores en ZnSe dada su conductividad. En el cuarto problema se calculan la concentración de electrones y huecos en silicio dopado con

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INSTITUTO TECNOLOGICO DE CHIHUAHUA

Examen
resuelto
Torres Narvaez Martha Leonila

Jesus Ricardo Olivas Rodríguez 20061283


P1 Un semiconductor intrínseco contiene 1044. Calcular la conductividad, considerando que las
movilidades son µN es igual a 2.33 m2/Vs µp pues igual a 0.08 m2/Vs.

𝜎 = 𝑞𝑛(𝜇n − μp)

1044 2.3𝑚2 0.08𝑚2


𝜎 = (1.6 ∗ 10−19 𝐴 ∗ 𝑆 ) ( ) ( + )
𝑚3 𝑉𝑠 𝑣𝑠

1044 2.38𝑚2
𝜎 = (1.6 ∗ 10−19 𝐴 ∗ 𝑆) ( ) ( )
𝑚3 𝑉𝑠

𝜎 = 3.808 ∗ 1025 A/VM

P2.Calcular la resistividad de material semiconductor intrínseco InP hoy que tiene una
temperatura ambiente, 300 k . Hoy el valor de las constantes k hoy es igual a 8.63*10-5 y la carga
del electrón es de 1.6*10-19C. los datos del material serían la densidad del estado efectivo en la
banda de conducción(Nc) de 5.6*1019 cm-3 y densidad del estado efecto en la banda de
Valencia(Nv) hoy de 2.34*1023 cm-3; la movilidad del electrón de (µN)1200 cm2/Vs; movilidad de
huecos (µp) de 400 cm2/Vs y con una energía del intervalo prohibido de 1.35 eV.
−1.35
0.12𝑚 0.04𝑚
𝜎 = 1.6 ∗ 10−19 𝐴 ∗ 𝑆√(5.6 ∗ 1019 𝑚3 )(2.34 ∗ 1023 𝑚3 ) ( + ) ∗ 𝑒 2(300)(8.63∗10−5 )
𝑣𝑠 𝑣𝑠
0.16𝑚
𝜎 = 1.6 ∗ 10−19 𝐴 ∗ 𝑆 ∗ 3.61 ∗ 1021 𝑚3 ∗ ∗ 4.75 ∗ 10−12
𝑣𝑠
𝜎 = 4.3897 ∗ 10−10

1 1
𝑝= =
𝜎 4.3897∗10−10

𝑝 = 2.2780 ∗ 109
P3.calcular el número de portadores del ZnSe (seleniuro de zinc) en dónde las movilidades son µN
=0.88 m2/Vs y µp =0.56 m2/Vs. Con una conductividad de 10-9 (Ω*m)-1 .Considerando que la
temperatura es de 300k.

𝜎 = 𝑞𝑛(𝜇n − μp)

𝜎 10 ∗ 10−9 (Ω ∗ m) − 1
𝑛= =
𝑞(𝜇n − μp) 1.6 ∗ 10−19 𝐴 ∗ 𝑆(0.88 m2 + 0.56 m2)
Vs Vs
𝑛 = 4.3402 ∗ 1010
P4.hallar la concentración de electrones y huecos en el servicio a 300 K hoy es igual a1.3*105 por
m3, en donde se tiene un dopado con antimonio a la misma temperatura de concentración de
3.44*1022 por m3

𝑝 = 𝑛𝑖2 /𝑛

(1.3 ∗ 105 )2
𝑝=
(3.44 ∗ 1022 )2

𝑝 = 4.91 ∗ 10−13

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