Universidad Tecnológica de Panamá
Facultad de Mecánica
Ingeniería Naval
Electrónica Industrial
Laboratorio N°6
“CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN DEL BJT”
Profesor:
Raúl Palacios
Integrantes:
Batista, Algis (8-965-2042)
Dickens, Ariadne (8-957-58)
Mendoza, Jean (8-963-538)
Montoya, Ángel (8-950-2390)
Grupo:
1NI241
Fecha de Entrega:
#/#/23
Introducción
Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor),
son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de
corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero
comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o
como conmutadores de baja potencia. Como ejemplo se usan para controlar motores,
accionar reveladores y producir sonidos en bocinas. Estos transistores son muy comunes y
de uso general los cueles pueden encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano
como en radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc.
Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos
semiconductores.
Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a
las capas de material semiconductor que están construidos.
Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por una
capa tipo “P”. Y el Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y
separadas por una capa tipo “N”.
Por lo cual, el objetivo principal de este laboratorio es aprender sobre el concepto de un
transitor BJT y comprender sus características de operación.
Objetivos
Determinar las características de operación de un BJT
A) Materiales
Multímetro digital
Fuente de Voltaje Variable DC
Resistencias indicadas en los circuitos
Q 2N2222
Plantilla de Prueba
Cables de Conexión
B) Procedimiento
1) Parte I: Características eléctricas del BJT
a) Obtenga las especificaciones del fabricante del 2N2222 (β, Ic, P, Voltajes, etc).
b) Mida la β del 2N2222 con un medidor de β.
(Buscar en Catalogo)
c) Arme el circuito de la figura 1 y estime el valor de β.
β = IC / IB
(Calcular)
d) Compare la β obtenida en (a), (b) y (c).
Figura 1.
Voltajes en C/R
R1= 0.66 V
R2= 0.92 V
R3= 8.90 V
PARTE II: Regiones de operación del BJT.
a) Arme el ciruito de la figura 2
Nota: Se reemplazo la resistencia de 9K por una de 10K, no había resistencia de 0.1K.
E
b) Ajuste VBB en escalones de 5 V hasta 20 V y mida los voltajes en los nodos B, C y E. y
tabúlelos).
VBB VB VE VC VBE VCE VCB
0 0 0 0 0 0 0
5 0.43 0.00 10.15 0.7 10.15 9.70
10 0.58 0.02 10.19 0.7 10.15 9.58
15 0.65 0.07 10.17 0.7 10.09 9.51
20 0.71 0.11 10.16 0.7 10.40 9.44
Conclusión
A
Referencias
Fabian, A. (11 de octubre de 2019). TRANSISTORES BJT. Unit electronics.
https://uelectronics.com/transistores-bjt/#:~:text=Los%20transistores%20BJT
%20pueden%20funcionar,como%20amplificador%20con%20ganancia
%20variable.&text=Para%20que%20los%20transistores%20BJT,de%20corriente
%20en%20un%20circuito.