Photodiode à jonction pn

Cellule photovoltaïque

• Principe de fonctionnement
• Photo-courant
• Réponse
• Détectivité
• Réponse temporelle
• Modes de fonctionnement
• Cellule solaire
• Photo-diode à avalanche

Principe de fonctionnement 1

Photodiode
Cellule photovoltaïque

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Principe de fonctionnement 2

1
 Principe de fonctionnement
Zone de charge d’espace
Contact ohmique Contact ohmique

E Type n
Photo-courant de diffusion

Photo-courant
de génération

Type p Photo-courant de diffusion

x
x’c xp 0 xn xc
Principe de fonctionnement 3

Principe de fonctionnement
E Type n

1 3
Type p 2

Photocourant :
•Courant de diffusion des e dans la zone 1
•Courant de génération dans la ZCE (zone 2)
•Courant de diffusion des trous dans la zone 3

Courant total : (
I = IS eeV kT − 1 − Iph )
Principe de fonctionnement 4

2
 Photodiode
Cellule photovoltaïque

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• Réponse
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Principe de fonctionnement 5

Photo-courant
E Type nJ = J (x ) + J (x ) + J (x )
ph ndiff p g n pdiff n

On néglige les recombinaisons

dans la ZCE.
Courants de diffusion :
1 3 • Jndiff(xp) = Jndiff(xn)
Type p 2 • Jpdiff(xn) = Jpdiff(xp)
Courant de génération :
dans la ZCE jg(x) = jgp(x)+jgn(x)
En limite de ZCE jg(xp) = jgp(xp) ou jg(xn)=jgn(xn)
Le photo-courant total :

( )
Jph = Jndiff x = xp + Jgn ( x = xn ) + Jpdiff ( x = xn )

Jdiff zone 1 Jgénération zone 2

Le photo-courant Jdiff zone 3 6

3
 Photo-courant
E Type n Zone 2 : ZCE
Courant de génération
Jgn=Jgp

1 Equation de continuité pour les e

3
Type p 2 ∂n 1 ∂j n
= + g+r
∂t q ∂x
φ(x) p n
2 Etat stationnaire
φe-αx 1 ∂j n
+ g ⇒ jgn ( xn ) = −e ∫ gdx
hν xn
1 3 0=
e ∂x xp

xp xn xc
0
Taux de génération g = φαe−αx

jgn ( xn ) = −qφ e ( −αxp

)
− e −αxn = −qφe
Le photo-courant
−αxp
(1 − e ) −αW
7

Photo-courant
E Type n Zone 3
Région neutre de type n

courant de diffusion de trou

d∆p
1 3 jpdiff = −qDp
Type p 2 dx

− x Lp φατp
e−αx
x Lp
∆p = Ae + Be +
1− α L 2 2
p
Conditions aux limites
∆p = 0 en x=xc→+∞ car Lp<<dn et 1/α ⇒ B=0
∆p = 0 en x = xn à cause de E ⇒
φατp −αxn + xn Lp
A=− e
1− α L2 2
Le photo-courant
p 8

4
 Photo-courant
E Type n Zone 3
Région neutre de type n

courant de diffusion de trou

1 3 d∆p
Type p 2 jpdiff = −qDp
dx

(e )
φατp −αxn −α ( x − xn ) − ( x − xn ) Lp
∆p = e −e
1− α L
2 2
p

α Lp
jpdiff ( xn ) = −qφ e −αxn
1 − αL p

Le photo-courant 9

Photo-courant
E Type n Zone 1
Région neutre de type p

courant de diffusion d’électrons

d∆n
1 3 jndiff = qDn
Type p 2 dx
φατn
∆n = Ae− x Ln + Be x Ln + e−αx
1 − α Ln
2 2

Conditions aux limites (constante An et Bn)

∆n = 0 en x = xp à cause de E
en x=x’c ∆n(x’c) définit par la vitesse de recombinaison
en surface (s0)
 A −x L B x φα 2 τn −αxp 
jndiff ( x n ) = qDn  − n e p n + n e p
Ln
− e 
 Ln Le photo-courant
Ln 1 − α 2L2n  10

5
 Photo-courant
Simplifications :
• dp<<1/α ⇒ jndiff≅0
(condition nécessaire à l’obtention d’une photodiode efficace)

• On pose xp = 0 et xn = W
(
jg ( x n ) = −qφ 1 − e−αW )
αL p
jpdiff ( xn ) = −qφ e −αW
1 − α Lp
2 2

 1 
jph = −qφ  1 − e −αW 
 1 + αL 
 p 
Courant maxi pour αW>>1 (utilisation de jonctions pin)
Le = −qφ
jphphoto-courant 11

Photodiode
Cellule photovoltaïque

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Principe de fonctionnement 12

6
 Réponse
Réponse = photocourant/ puissance incidente
Surface A
 e −αW 
Iph = jph A = A q φ0 (1 − R )  1 − 
 1 + αL 
 p 
Photocourant
Puissance incidente Pinc = hνφ0 A
 e −αW 
qφ0 (1 − R )  1 −
Iph  1 + αL  λ(µm)
ℜ= =  p 
=η
1
=η
Pinc hνφ0 hν q 1, 24
 e−αW 
Rendement quantique η = (1 − R )  1 − 
 1 + αL 
 p 
flux de photo-porteurs
η=
flux de photons incidents
Le photo-courant 13

Photodiode
Cellule photovoltaïque

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Principe de fonctionnement 14

7
 Détectivité
Les deux mécanismes sources de bruit sont :
• le bruit de génération sans recombinaison
• le bruit de fluctuation d’arrivée des photons
À V = 0 les courants directs
 qV  et inverses s’annulent. En
iB = 2qI0 ∆ν = 2qIsat  e + 1 ∆ν
2 kT

  revanche les contributions

au bruit s’ajoutent.
Le rapport signal sur bruit s’écrit :
 qV

is ℜPinc 2qIsat  1 + e kT  ∆ν
=  
iB  qV
 NEP =
2qIsat  1 + e kT  ∆ν ℜ
  La puissance équivalente de bruit
Détectivité 15
P inc à la limite de détection (c.a.d S/B=1)

Détectivité
Détectivité :

A∆ν ℜ
D* = =
NEP  qV

2qJsat  1 + e kT 
 

La détectivité (D*) augmente si la jonction est polarisée.

Inconvénient bruit additionnel

Pour V = 0, D* s’écrit :

η 1
D* =
hν q 4qJsat
Détectivité 16

8
 Détectivité
dJ 1 q RA est le produit de la
Remarque : = = J
dV V =0 RA kT sat résistance de la jonction
par sa surface (Ωcm2)
η RA
Autre expression de D* D* =
hν q 4kT

λ=5µm
η=50%

Détectivité 17

Détectivité
Courant de saturation :
qDp ni2 Dp ni2 Dp NcNv − EkTg
jsat = =q =q e
Lp ND τp ND τp ND
η 1
D* =
hν q 4qJsat

jonction pn InSb
Eg(300K)=0.24eV
Eg(4K)=0.17eV

Il est donc plus intéressant Détectivité

de travailler à basse température
18

9
 Photodiode
Cellule photovoltaïque

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• Réponse
• Détectivité
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Principe de fonctionnement 19

Réponse temporelle d’une photodiode

E Type n La réponse temporelle d’une
photodiode s’obtient en résolvant
les équations de continuité.

1 Le photo-courant total :
3
Type p 2 Jph = Jgn + Jpdiff

Trois effets doivent être pris en compte :

• Constante de temps due au courant de diffusion
• Constante de temps capacitive
• Constante de temps du au transit des porteurs dans la
ZCE
Réponse temporelle 20

10
Réponse temporelle d’une photodiode
E Type n
Courant de diffusion :
La réponse temporelle est fonction
de la durée de vie des porteurs.
1 10-4<τp<10-8 s ⇒10kHz à 100 MHz
3 (trop faible pour les télécommunications)
Type p 2

Constante de temps capacitive :

La ZCE se comporte comme une capacité, C (C=εA/w).
Dans le circuit de mesure C est en série avec la résistance du
circuit adapté, R=50Ω. Ce montage sera donc limité à la
fréquence de coupure 1/2πRC.
C devra être le plus faible possible (100 MHz).
Réponse temporelle 21

Réponse temporelle d’une photodiode

Temps de transit dans ZCE :
E Type n
Effet moins important que les
précédents.
Ex : Pour un SC de faible
mobilité (µ = 102 cm2/Vs), une
1 3 ZCE de 1 µm et Ε=104 V/cm
Type p 2 fc= 10 GHz.
Solution : Utilisation de diodes PIN
La zone déserté est augmentée par la zone intrinsèque (wi)
wpin=wpn+wi
Conséquence la capacité diminue.
 1 
jph = −qφ  1 − e−αW 
 1 + αL 
 p 
Réponse temporelle 22
Courant de diffusion négligeable de plus αW >> 1

11
 Photodiode
Cellule photovoltaïque

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• Réponse
• Détectivité
• Réponse temporelle
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• Photo-diode à avalanche

Principe de fonctionnement 23

Modes de fonctionnement
V
Fonctionnement en photo-courant :

La diode polarisée (V) est reliée à un

circuit de faible impédance (R faible
R ou ampèremètre)
Photo détecteurs

( )
I = IS eqV kT − 1 − Iph
Tension de polarisation inverse
V ≫ kT q ⇒ I = −IS − Iph Iph > IS ⇒ I ≃ −Iph
Le courant mesuré est égal au photo-courant et donc
proportionnel au rayonnement incident.
Principe de fonctionnement 24

12
 Modes de fonctionnement
Fonctionnement en photo-voltage :

R la diode est reliée à un circuit de

forte impédance (R grand ou
voltmètre)
Photopile

Dans le mode photovoltaïque la diode est connectée à un

forte impédance de sorte que I = 0
kT  Iph 
( )
I = IS eqV kT − 1 − Iph = 0 ⇒ V =
q
Ln  + 1
 IS 
Le photo-voltage est proportionnel au logarithmique du
photo-courant Principe de fonctionnement 25

Photodiode
Cellule photovoltaïque

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Principe de fonctionnement 26

13
 Cellule solaire - photopile
Une photopile est une photodiode qui fonctionne sans
polarisation extérieure, et débite dans une charge.

Dans l’obscurité
I
Il existe une région où la puissance
P=IxV est négatif, la diode fournit
V de l’énergie électrique.
V VCO Pour optimiser la puissance fournie
il faut d’ajuster la résistance de
I
charge.
ICC
Sous éclairement

photopile 27

Cellule solaire - photopile

I Convention : le courant inverse de la
photodiode est compté positivement.
Dans ce cas I s’écrit :
V RC
( )
I = Iph − Is eeV kT − 1

V=chute de potentiel aux bornes de RC

I Caractéristique de la photopile :
•Courant électromoteur=courant de court-circuit
VCO V •Force électromotrice=tension de circuit ouvert

kT  Iph 
ICC ICC = Iph VCO = Ln  + 1
e  Is 
photopile
Remarque : La puissance débitée est toujours < VCO28ICC

14
 Cellule solaire - photopile
Puissance fournit : P = VI = V (I − I ( e
ph
− 1) )
s
eV kT

Le maximum de puissance est

I obtenue pour dP/dV = 0.

Vm
( )
Iph − Is eeVm kT − 1 − VmIs
e eVm kT
kT
e =0
V
VCO La puissance maximale débitée est
donnée : Pm=ImVm
Im
 eVm  eVm kT Iph
ICC  1 + kT  e = 1+
  Is
eV eV kT
Im = Is m e m
kT
La puissance débitée est représentée par la zone hachurée.
Cette valeur est de l’ordre dephotopile
80% du produit ICCVCO. 29

Cellule solaire - photopile

Effet de la résistance série:
Ex :
I
• surface 30 cm2
• rendement quantique 10%
V RC • Vm ~ 0,6 V
• Im ~ 20 mA/cm2
• puissance ~ 300 mW
Calcul de la résistance de charge
permettant d’utiliser la puissance
maximum : R = V I ∼ 1 Ω
C m m

La résistance de charge typique est donc de l’ordre de l’ohm

ce qui implique que la résistance série liée à la jonction pn
n’est pas négligeable et au contraire va limiter la puissance
photopile 30
débitée.

15
 Cellule solaire - photopile
Effet de la résistance série:
I I = Iph − Is e( eVjct kT
)
− 1 et V = Vjct − rsI

− I (e ( )
e V + rsI) kT
V I = Iph s
−1
RC

Remarque :
Pour rs=0,4 Ω, la puissance
débitée n’est plus que de
60%.

photopile 31

Cellule solaire - photopile

Le rendement d’une photopile est donné par le rapport entre
la puissance maximum débitée et la puissance du
rayonnement incident.
VI
η= mm
Psolaire
Exemple :
• Psolaire ~ 1 kW/m2
• VCO ~ 0,6 V
• ICC ~ 20 mA/cm2
• VmIm ~ 0,8 VCOICC
η = 10 %.

Les cellules Si ont un rendement de 15 %.

On atteint 28 % avec des cellules
photopile bicolores Si-GaAs. 32

16
 Cellule solaire - photopile
Limitations du rendement
I

Perte par réflexion

Couches anti-réfléchissante Vm V
VCO

Perte lors de la conversion énergie
optique en énergie électrique Im
Cellules multicolores ICC

Polarisation directe de la jonction pn,

Itotal = Iph - Idirect

V limitée par VCO
polarisation directe nécessaire à créer I = Iph.

Minimisation de ces deux effets en diminuant IS.

photopile 33

Photodiode
Cellule photovoltaïque

• Principe de fonctionnement
• Photo-courant
• Réponse
• Détectivité
• Réponse temporelle
• Modes de fonctionnement
• Cellule solaire
• Photo-diode à avalanche

Principe de fonctionnement 34

17
 Photo-détecteur à avalanche
n i p

Utilisation de la multiplication des

porteurs par effet d’avalanche pour
augmenter la réponse d’une
photodiode.

Trois sources de courants :

• photo-génération ou création thermique
q G A dx dans une couche d’épaisseur dx

• génération par impacts dus aux électrons

αn In dx (αn coefficient de multiplication des e)

• génération par impacts dus aux trous

αp Ip dx (αPhoto-détecteur
n coefficient de multiplication des h)
à avalanche 35

Photo-détecteur à avalanche
n i p dIn
− = α n In + α p Ip + A q G
dx
dIp
= α nIn + α p Ip + A q G
dx

Courant total I = In + Ip
dIp
dx
( )
= α p −α n Ip + αnI + A q G

Ip ( x ) = Ce
( −( αn −αp )x ) + αnI + A q G
αn − α p

La constante C est définie pasà avalanche

Photo-détecteur les conditions aux limites.
36

18
 Photo-détecteur à avalanche
Cas idéal
Tout les photons sont absorbés dans la zone de déplétion
 le contact n ne peut pas injecter de trou (Ip(0) = 0)
 contact p ne peut pas injecter d’électron (In(L) = 0)
Conservation du courant total ⇒ I = In(0) = Ip(L)

e
(( αn −αp )L ) − 1
I= A qG
αn − αp e
((αn −αp )L )

Courant en l’absence d’effet d’avalanche (αn=αp=0) : A q G L

I 1 e
((αn −αp )L ) − 1
facteur multiplicatif M = =
AqGL L α − α e( ( αn −αp )L )
Photo-détecteur à avalanche n p 37

Photo-détecteur à avalanche

Si L augmente M αp/αn
tend vers l’infini. Cela
pourra détruire la
diode (claquage).
Donc pour L minimale
il faudra trouver un
matériau dont les
coefficients
d’avalanche sont très
différents.

Photo-détecteur à avalanche 38

19