Des Matériaux (3ème édition) Corrigé des exercices
Chapitre 9 – Propriétés physiques
EXERCICE 9-1
Révision (questions Vrai-Faux)
Corrigé
Énoncé VRAI FAUX
1) Les matériaux bons conducteurs électriques sont aussi de bons
conducteurs thermiques.
2) Un matériau est un isolant électrique s’il existe des états énergétiques
libres dans sa bande de valence.
3) Un matériau est un conducteur électrique si sa bande de valence et sa
bande de conduction se chevauchent.
4) La conductivité électrique d’un métal pur croît quand la température
augmente.
5) La conductivité électrique d’un semiconducteur intrinsèque croît quand
la température augmente.
6) La résistivité électrique d’un métal est nulle au zéro degré absolu
(0 Kelvin).
7) On peut élaborer des alliages métalliques dont le coefficient de
variation de résistivité électrique en fonction de la température est très
faible pour une certaine gamme de températures.
8) Quand la résistivité électrique d’un alliage croît en fonction de sa
teneur en éléments d’alliage, son coefficient de variation de résistivité
électrique en fonction de la température augmente.
9) La température critique pour atteindre l’état supraconducteur de
certains matériaux est indépendante du champ magnétique appliqué
au matériau ou généré par le courant circulant dans le matériau.
10) Soumis à un champ électrique, les atomes d’un matériau subissent
une polarisation électronique qui est irréversible.
11) Soumis à un champ électrique, une molécule polaire subit un
changement d’orientation dans l’espace.
12) La capacité d’un condensateur augmente si la constante du
diélectrique situé entre ses plaques décroît.
13) Lorsqu’un matériau ferroélectrique a subi une première polarisation
jusqu’à saturation, il reste polarisé quand le champ électrique appliqué
est supprimé.
© Jean-Paul Baïlon – Presses internationales Polytechnique
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14) Le titanate de baryum BaTiO3 est naturellement ferroélectrique parce
que le centre de gravité de ses ions positifs et celui de ses ions
négatifs ne sont pas confondus.
15) Tous les cristaux ioniques manifestent un comportement
piézoélectrique parce que le centre de gravité de leurs ions positifs et
celui de leurs ions négatifs ne sont plus confondus sous l’effet d’une
contrainte appliquée.
16) La mobilité des électrons et celle des trous (lacunes électroniques)
sont égales dans un semiconducteur intrinsèque.
17) La concentration en électrons libres et celle en trous (lacunes
électroniques) sont égales dans un semiconducteur intrinsèque.
18) Un semi-conducteur extrinsèque de type ‘’p’’ a un nombre de trous
(lacunes électroniques) par unité de volume bien plus élevé que le
nombre d’électrons de conduction par unité de volume.
19) Le dopage du silicium par du phosphore (P) permet d’obtenir un semi-
conducteur extrinsèque de type ‘’p’’.
20) Quand la température augmente, la conductivité extrinsèque d’un
semi-conducteur dopé croît constamment jusqu’à une certaine
température pour laquelle la conductivité intrinsèque devient alors
égale à la conductivité extrinsèque.
21) Quand la température augmente, la conductivité extrinsèque d’un
semi-conducteur dopé croît et sa valeur maximale dépend du taux de
dopage du semi-conducteur.
22) Dans un matériau ferromagnétique, les joints de grain sont des parois
de Bloch.
23) Lorsqu’un matériau ferromagnétique a subi une première aimantation
jusqu’à saturation, il perd instantanément sa magnétisation si le champ
magnétique appliqué est supprimé.
24) Au cours d’un cycle complet d’hystérésis d’un matériau
ferromagnétique, les pertes d’énergie sont uniquement dues à la
réorientation des moments magnétiques et au déplacement des parois
de Bloch.
25) Dans les matériaux ferrimagnétiques, il n’y a pas de perte d’énergie
par courants de Foucauld au cours d’un cycle complet d’hystérésis.
26) Un aimant dur est obtenu avec un matériau ferromagnétique ayant un
faible champ coercitif HC et une forte induction à saturation BS.
27) Le facteur de mérite d’un aimant dur est d’autant plus élevé que l’aire
de la boucle d’hystérésis du matériau est grande.
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