Chapitre IV
Les photodétecteurs
IV-1
Photodiodes
1. Introduction
Tout comme il existe plusieurs méthodes pour envoyer l’information sur le signal
lumineux, il existe différents techniques pour la récupérer : les photodétecteur sont
des composants chargé de convertir des signaux lumineux en signaux électriques .Ce
rôle est tenu par le photodétecteur, qui pour simplifier, se comporte comme un
compteur de photons et un générateur de courant..
En télécommunication optiques, les détecteurs utilisés sont à base de photodiodes
semi-conductrices réalisées à partir de jonctions polarisées en inverse. Elles
fonctionnent suivant le processus inverse des sources optiques (DEL et LD).
2- Principe de la photodétection
Les photons transmis par la fibre pénètrent dans le détecteur, constitué d'un
matériau semi-conducteur. Absorbés, ils peuvent provoquer le passage d'électrons
d'un état de la bande de valence à un état plus élevé de la bande de conduction.
Dans cette dernière, les électrons moins liés deviennent libres. Le photon a donc
laissé place à une paire électron-trou.
Une différence de potentiel est appliquée afin d'empêcher les électrons de
retomber dans son état le plus stable. Sous l'effet du champ électrique, les deux
catégories de porteurs sont séparées et entraînées vers des zones où ils sont
majoritaires (nommées P ou N). Les porteurs ainsi générés sont alors recueillis
sous forme de photocourant. Le nombre de paires électron-trou est égal au nombre
de photons absorbés.
Fig.1 Structure d’une photodiode.
On sait que de part et d'autre de la jonction d'un semi- conducteur P et
d’un semi-conducteur N se forme une zone de déplétion dénuée de porteurs
libres en équilibre car il y règne un champ électrostatique E dirigé de N vers P; ce
dernier établit entre les deux éléments semi-conducteurs une barrière de potentiel
Vb (Fig. 2 ).
Fig. 2 Jonction PN et sa barrière de potentiel
3-Application d'une tension extérieure v
L'application à la diode d'une tension extérieure v modifie la hauteur
de la barrière de potentiel entraînant une variation du courant dû aux
porteurs majoritaires et une modification de la largeur de la zone de déplétion.
La tension v appliquée à la jonction détermine le courant I qui la
traverse :
I= Imajoritaires + Iminoritaires
On a donc :
3.1 La jonction PN polarisé en inverse
Le courant qui traverse la jonction polarisée en inverse est presque exclusivement
un courant de porteurs minoritaires. Il est de signe opposé au courant obtenu dans
le cas de la polarisation directe qui était dû essentiellement aux porteurs.
majoritaires.
I minoritaires = -Is
Dans le cas de la photodiode, le rayonnement absorbé augmente ce courant par la
création de porteurs dans la zone de charge d’espace.
3.2 Jonction PN éclairée
Lorsque la diode est soumise à l'action d'un rayonnement de longueur
d'onde λ≤λs (λs: longueur d'onde de seuil), celui-ci provoque la formation
de paires électron-trou par effet photoélectrique. Pour que ces porteurs donnent
naissance à un courant il faut éviter qu'ils ne se recombinent et pour cela ils
doivent être rapidement séparés par l'action d'un champ électrique. Ceci n'est
possible que dans la zone de déplétion et le déplacement de ces charges, de même
sens que celui des porteurs minoritaires entraîne un accroissement du courant
inverse Ir (Fig. 3).
Fig. 3 Création d'une paire électron-trou par effet photoélectrique
Fig.4 Génération de porteurs par absorption de lumière dans les
différentes zones de la diode.
Sous l'action d'un champ électrique E , les trous photo générés vont aller vers la
région P et les électrons vers la région N.
Le courant photoélectrique apparait donc comme un courant de porteurs
minoritaires : il est negatif.
Ce photocourant contribue alors à l’augmentation du courant inverse de la diode :
polarisation en inverse (Vo < 0)
La diode est polarisée en inverse, (cas des photodiodes). Dans ce cas, on mesure le
photocourant débité par la diode (Fig.4) :
Fig.4 : Fonctionnement photodiode, polarisation inverse
Les photodiodes sont, en général, polarisées par des tensions de l’ordre de 5V et
inférieures à la tension d’avalanche.
Dans ce cas on peut supposer que la tension Vo est très grande ,ce qui nous
permet d’écrire :
Le courant mesuré est alors proportionnel à l’intensité de lumière incidente.
La Fig. 5 ci-dessous résume l’évolution de la caractéristique (I-V) de la photodiode
avec la tension appliquée et le flux de lumière incidente (ɸ1< ɸ2).
Fig.5 Caractéristique (I-V) de la photodiode sous différents éclairements
Remarque :
➢ Le courant issu d'une photodiode est très faible, il varie de quelques pico-
ampères à quelques micro-ampères selon l'intensité de la lumière et la
surface de la photodiode. Une amplification du photocourant est alors
souvent effectuée à l’aide de montages à base d’amplificateurs opérationnels
qui assure en même temps la conversion du photocourant issu de la diode
en une tension.
Les matériaux de base pour la fabrication des photodiodes sont :
❖ le silicium et le germanium pour les applications au domaine visible
et au proche infrarouge,
❖ GaAs, InAs, InSb, HgCdTe pour l'infrarouge.
4-Les caractéristiques électriques (schéma électrique équivalent)
Fig. 6. Schéma électrique équivalent d'une photodiode
Une photodiode peut être représentée par :
➢ une source de courant Iph (dépendant de l’éclairement) qui est la somme du
courant d’obscurité et du courant de lumière, tel que : Ir = Is + Ip ; en parallèle
avec
➢ une résistance de shunt rd ,elle correspond à la résistance dynamique de la
jonction ;elle est d'une valeur élevée (caractérisant la fuite de courant), la résistance
de shunt d'une photodiode idéale est infinie. En réalité cette résistance est comprise
entre 100 kΩ et 1 GΩ selon la qualité de la photodiode. Dans le mode
photoconducteur, la diode étant polarisée en inverse, rd a des valeurs très élevées, de
l’ordre de 1010 Ω; et en parallèle avec
➢ Capacité de jonction : cette capacité est due à la zone de charge ; elle est
inversement proportionnelle à la largeur de charge d'espace (W). Où A est la
surface de coupe de la photodiode. W est proportionnel à la polarisation inverse et
la capacité diminue si la polarisation augmente. Cette capacité oscille autour de 100
pF pour les faibles polarisations à quelques dizaines de pF pour les polarisations
élevées. (Fig. 7).
Fig. 7. Variation de la capacité d’une photodiode en fonction de la
tension inverse appliquée.
➢ une résistance rs en série avec la charge : cette résistance est essentiellement
due aux résistances de contact. rs est de l'ordre de la dizaine d'ohms et est
souvent négligeable; rs peut varier entre 10 et 500Ω selon la surface de la
photodiode.
5-Caractéristiques optique
Les photodétecteurs sont caractérisés par le coefficient d’absorption, la longueur d’onde de
coupure ,le rendement quantique ainsi que la sensibilité.
Absorption dans un semi-conducteur
Quand un semi-conducteur est éclairé avec un photon d'énergie ℎ𝝂 , trois cas se
présentent :
- ℎ𝝂 < 𝑬𝒈 , λ> λc les porteurs ne sont pas absorbés, le milieu est transparent.
- ℎ𝝂 = 𝑬𝒈 , λ = λc il y a absorption de photons qui font passer un électron de
𝐵𝑉 à BC et donc présence de porteurs libres.
- ℎ𝝂 > 𝑬𝒈 , λ< λc il y a non seulement création de paires électrons-trous et
(ℎ𝝂 − 𝑬𝒈 ): le surplus (l’excès) sert à faire monter par exemple un électron vers les
vallées supérieures et ces électrons retombent à l'état initial en émettant des photons.
5.1Coefficient d’absorption
Pour caractériser ce phénomène d’absorption entre la bande de conduction et la bande de
valence, nous utilisons le coefficient d’absorption α. Ainsi le flux de photon s’exprime au
travers du semi-conducteur de la façon suivante:
0 est le flux de photons incident et x est l’épaisseur de matériau traversée .Chaque photon
perdu entraine la création d’une paire électron-trou dans le matériau.
L’absorption du flux lumineux par le materiau suit une loi exponentielle donnée par:
𝑷𝒐𝒑𝒕 ((𝒙)) = 𝑷𝒐𝒑𝒕 (𝟎)𝒆−𝜶𝒙
Où:
x est la profondeur de pénétration de l’onde lumineuse dans le matériau.
α est le coefficient d’absorption du matériau qui est fonction de la longueur d’onde λ.
Il faut que le rayonnement incident puisse atteindre la zone de déplétion en traversant sans
atténuation notable l'élément semi-conducteur éclairé. Le flux transmis décroît avec
l'épaisseur x traversée :
Ø (𝒙) = Ø (𝟎)𝒆−𝜶𝒙
P(x)
5.2 Longueur d’onde de coupure
Pour que l’absorption ait lieu ,il faudrait que l’énergie transportée par le photon soit
supérieure à celle du GAP du matériau. Cette condition permet de faire passer l’électron de la
bande de valence à la bande de conduction.
La longueur d’onde de coupure λc correspond à la longueur d’onde maximale qui peut être
absorbé par un materiau donné(GAP=∆E).
Le photon incident ne peut être absorbé que si son énérgie (hⱱ) est au minimum égale au
GAP(∆E) du materiau.
ℎ𝑐
hⱱ ≥ 𝐸𝑔 λ≤𝐸 λ ≤ λc
𝑔
ℎ𝑐
Où : λc =
𝐸𝑔
Le photon incident est absorbé (création d’une paire électron-trous).
Si λ > λc , le photon incident est non absorbé.
1.24
𝛌𝑐 =
𝐸𝑔 (𝑒𝑣)
5-3 Le rendement quantique
Il nous renseigne sur le taux de conversion des photons en paires d’électrons-trous. Il
est défini comme étant le rapport entre ne le nombre d’electrons crées et np le nombre
de photons incidents.
𝑛𝑒 𝑛𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑′ 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠 𝑐𝑜𝑙𝑙𝑒𝑐𝑡é𝑠/𝑠
Ƞ= = 𝑛𝑜𝑚𝑏𝑟𝑒 𝑑𝑒 𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛𝑠 𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑠/𝑠
𝑛𝑝
Le rendement quantique est inferieur à l’unité. Ceci s’explique par le fait que parmi
tous les photons incidents seuls un certain nombre d’entre eux créent des paires
electrons-trous.
𝑛𝑒 . 𝑞
𝐼𝑝ℎ =
𝑡
𝑛𝑝ℎ . ℎⱱ
𝑃𝑜𝑝𝑡 =
𝑡
Donc :
𝐼𝑝ℎ
⁄𝑞
Ƞ=
𝑃𝑜𝑝𝑡
⁄
ℎⱱ
𝑃𝑜𝑝𝑡 est la puissance optique (lumineuse).
5-3 La sensibilité (S) de la photodiode
Elle est détérminée pour une puissance de 1Watt et represente la caractéristique
de transfert du photodétecteur. Elle caractérise le rendement global de
conversion de la puissance lumineuse en courant électrique.
Photodetecteur
Popt (W)
Iph (A)
S (A/W)
𝐼𝑝ℎ (𝐴)
𝑆(𝐴/𝑊) =
𝑃𝑜𝑝𝑡 (𝑊)
Puissance optique reçue pendant un temps:
𝑛𝑝ℎ . ℎⱱ
𝑃𝑜𝑝𝑡 =
𝑡
Le courant créé par ne electrons pendant le même temps:
𝑛𝑒 . 𝑞
𝐼𝑝ℎ =
𝑡
Sensibilité du photodétecteur :
𝑛𝑒 . 𝑞
𝑆=
𝑛𝑝 . ℎⱱ
donc:
𝑞. 𝜆
𝑆 = Ƞ(𝜆).
ℎ. 𝑐
𝑆(𝐴/𝑊) = 0.805 Ƞ(𝜆). 𝜆(µ𝑚)
Dans le tableau suivant on a regroupé les caractéristiques de certains photodetecteurs.
Matériaux λ(µm) Ƞ S(A/W)
Si 0.85 0.85 0.48
Si 1.06 0.45 0.38
III-V 1.06 0.85 0.72
Ge 1.27 0.6 0.61
III-V 1.27 0.85 0.86
On remarque que les éléments III-V on une sensibilité plus élevée que les éléments
simples. Ils sont pour cela mieux adaptés à la réalisation de photodétecteur pour les
communications optiques.
