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Igbt 2

Les IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) combinent les avantages des transistors bipolaires et des MOSFET, offrant une structure interne unique avec une grille haute impédance. Bien qu'ils aient historiquement eu des temps de commutation lents, des améliorations récentes ont permis d'atteindre des performances proches de celles des MOSFET. Les IGBT sont principalement utilisés dans des applications de puissance avec des tensions maximales allant jusqu'à 1200V et des courants élevés.

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Les IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) combinent les avantages des transistors bipolaires et des MOSFET, offrant une structure interne unique avec une grille haute impédance. Bien qu'ils aient historiquement eu des temps de commutation lents, des améliorations récentes ont permis d'atteindre des performances proches de celles des MOSFET. Les IGBT sont principalement utilisés dans des applications de puissance avec des tensions maximales allant jusqu'à 1200V et des courants élevés.

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J AUVRAY Systèmes Electroniques

LES IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORS )

Ce sont des composants de puissance qui associent MOS et transistor bipolaire de


puissance. Ils cumulent les avantage des deux sans totalement en éliminer les inconvénients.
Un IGBT type NPN possède comme un transistor bipolaire un collecteur et un émetteur mais
la base est remplacée par une électrode haute impédance qui est la grille d'un MOS. Il est constitué
par un transistor bipolaire PNP de puissance de faible gain associé à un MOS canal N qui fournit le
courant de base. La structure interne est représentée sur la figure ci contre.
Le réseau de caractéristiques ressemble Collecte
Collecteur
à celui d'un MOS mais les courbes ne
passent pas par l'origine car la jonction base
émetteur du transistor PNP est en série entre
collecteur et émetteur, d'ou un décalage un peu Grille Grille
supérieur à 0,5V .
Dans la zone de pincement le courant obéît très Emetteur
Emetteur
approximativement à une loi quadratique : Grille
Emetteur
I C = A ⋅ (VGS −V S )
2

A cause de l'effet Early dans le transistor de Canal N


puissance , les caractéristiques sont moins
horizontales que celles d'un MOS mais la
résistance interne est cependant très supérieure
à celle d'un transistor bipolaire au même
courant.
Les IGBT à l’origine n’étaient pas des IGBT
Collecteur
composants rapides, guère meilleurs dans ce
domaine que les bipolaires de puissance , mais surtout leur comportement en commutation est
dissymétrique, le passage de bloqué à
conducteur est assez rapide alors que le
IC Caractéristique d'un MOS

retour au blocage est lent car le transistor de


puissance prend du temps pour se dé
VG=Cte saturer. La base du transistor bipolaire
n'étant pas accessible de l'extérieur aucun
Caractéristiques de l'IGBT circuit d'aide à la commutation ne peut être
VCE
ajouté. De gros progrès dans ce domaine ont
été accomplis depuis quelques années et
0,5V les temps de commutation annoncés pour
les IGBT récents se rapprochent de ceux
des MOS .
Exemple : IRG4BC20UD 500V Imax 13A pour 1,65V de VCE temps de commutation 180nS/13nS
Les IGBT ont un comportement en température qui est celui d'un bipolaire pour les faibles
courants ( I augmente avec T ) , et celui d'un MOS aux forts courants. Il ne sont pas sujet au second
claquage.
Les IGBT sont essentiellement des éléments de puissance. Leur tension maximale de
collecteur est 600V ou 1200V pour des courants de plusieurs dizaines d'ampères. Comme pour les
MOS INTERNATIONAL RECTIFIER ( IRG…) a un catalogue particulièrement bien fourni dans ce
domaine.

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IGBT

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