Physique II
MP
Hassan ADOCH
Professeur agrégé au Lycée Ibn Timiya
Classes préparatoires aux grandes écoles, Marrakech
Correction Concours National Commun - Session 2023 - Filière MP
Partie 1
Action d'un champ électrique sur une particule chargée
1) La deuxième loi de Newton appliquée sur la particule M dans le référentiel R s'écrit :
→
− →
−
m→
−
a (M/R) = f + q E
Alors :
d→
−
v (M/R) 1 → q→−
+ −v (M/R) = E
dt τ m
H
2) L'équation du mouvement est une équation diérentielle linéaire alors la solution générale est la somme d'une solution
homogène est une solution particulière :
→
−
v (M/R) = →
−
vh+→
−
C
vp
La solution homogène correspond à :
d→
−
vh 1− →
− t
+ →vh= 0 ⇒ →
− →
−
v h = v 0 exp −
O
dt τ τ
Alors que la solution particulière est constante car le second membre est constant donc :
d→
−
vp 1− q→− qτ →
−
+ → →
−
D
vp= E ⇒ vp= E
dt τ m m
La solution générale est alors :
→
− t qτ →
−
v (M/R) = →
−
A
v 0 exp − + E
τ m
Or la vitesse initiale est nulle alors : →
− qτ →
− qτ →
−
0 =→
−
v0+ E ⇒ →
−
v0=− E
m m
La vitesse de la particule chargée est donc :
→
− qτ →
− t
v (M/R) = E 1 − exp −
m τ
Après une durée ∆t très grande devant le temps τ caractéristique du mouvement, la vitesse devient constante c'est la vitesse
limite donnée par :
→
− qτ →
−
v lim = E
m
Cette vitesse est portée par OX .
3) L'allure de la vitesse en fonction du temps est :
v(t)
vlim
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4) Les puissances des forces en régime permanent sont données par :
→
− q2 τ →
−2
PE = q →
−
v lim . E = E
m
→
− q2 τ →
−2
Pf = →
−
v lim . f = − E
m
L'énergie reçue (PE > 0) par la particule à cause de la force électrique est dissipée (Pf < 0) par eet Joule par la force du
H
frottements.
Partie 2
C
Propriétés électriques d'un semi-conducteur intrinsèque
2.1 Modèle de la conduction électrique dans un conducteur
O
2.1.1) La vitesse d'ensemble des électrons libre à travers le cristal métallique c'est la vitesse moyenne à laquelle les électrons se
déplacent sous l'inuence d'un champ électrique. Ce déplacement c'est l'origine microscopique du courant électrique.
Par dénition :
D
2.1.2)
→
−
j = −N e→
−
v
A
2.1.3) En régime stationnaire on peut écrire :
→
− →
− N e2 τ →
− →
−
j = −N e→
−
v lim ⇒ j = E = σE
m
La conductivité du conducteur étudié est alors :
N e2 τ
σ=
m
2.2 Approche microscopique de la conduction électrique
2.2.1)Entre deux chocs successifs l'électron est soumis seulement à la force électrique alors la relation fondamentale de la
dynamique s'écrit :
d→
−u →
−
m = −e E
dt
Par intégration, on trouve que :
→
− e →
− →
u (t) = − t E + −
u0
m
2.2.2) La vitesse initiale de l'électron est aléatoire alors sa valeur moyenne est nulle :
<→
−
u 0 >= 0
Entre deux chocs la valeur moyenne de la vitesse est donnée par
→
− e →
− e →
− e →− →
−
v =< →
−
u >=< − t E > + < →
−
u 0 >= − < t > E ⇒ →
−
v = − τ E = µE
m m m
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La mobilité µ s'exprime en C.s.kg −1 et son expression est :
e
µ=− τ
m
2.2.3) Par dénition, le vecteur densité de courant est :
→
− →
− N e2 →
−
j = −N e→
−
v ⇒ j = τE
m
H
La conductivité est alors la même trouvée dans 2.1.3 :
C
N e2 τ
σ=
m
O
2.3) L'hypothèse ergodique postule que la vitesse de dérive des électrons dans un conducteur est égale à la vitesse moyenne
calculée sur la durée entre deux chocs pour un seul électron.
On a :
D
2.4)
mσ
τ= A.N : τ = 3, 6 × 10−14 s
N e2
A
La durée de régime transitoire (10τ ) est alors très faible ce qui permet de dire que le régime stationnaire s'établit très vite.
Partie 3
Propriétés électriques d'un semi-conducteur intrinsèque
3.1 Semi-conducteur intrinsèque
3.1.1) Dans un semi-conducteur on a deux types de charge alors la densité de courant électrique est :
→
− →
− →
− →
−
j = −ne→
−
v n + pe→
−
v p = −neµn E + peµp E = e (pµp − nµn ) E
3.1.2) Par dénition, la conductivité électrique est donnée par :
→
− →
−
j = σE ⇒ σ = e (pµp − nµn )
3.1.3) L'application numérique donne :
σ = 1, 6 × 10−19 × 1, 5 × 1016 (600 + 1500) × 10−4 ⇒ σ = 5, 04 × 10−4 S.m−1
La conductivité du silicium comme semi-conducteur est très faible devant la conductivité du cuivre qui est un conducteur.
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3.2 Variation de la conductivité électrique du silicium avec la température
3.2.1) La représentation de ni en fonction de 1000/T sur un diagramme semi-logarithmique ce qui est similaire à la représentation
de ln(ni ) en fonction de 1000/T donne une droite dont l'expression s'écrit:
B B
Ln(ni ) = ln(A) − ⇒ ni = A exp −
T T
E
Alors c'est une loi qui fait apparaitre le facteur de Boltzmann exp − .
kB T
D'après le diagramme, on trouve :
H
Es Es
Ln(ni (T1 )) = Ln(n0 ) − et Ln(ni (T2 )) = Ln(n0 ) −
kB T1 kB T2
Alors :
C
ni (T1 )
Ln( )
ni (T2 ) Es
Es = 1000 kB et n0 = ni (T1 ) exp
1000 1000 kB T1
O
−
T2 T1
A.N :
D
Es = 1, 06 × 10−19 J = 0, 66 eV et n0 = 2, 15 × 1021 cm−3
1000
Pour T = 300 K , = 3, 33 qui correspond à ni = 1010 cm−3 alors :
A
3.2.2)
300
σ = e (pµp − nµn ) = eni (µp − µn ) A.N : σ = 7, 224 × 10−5 S.m−1
La valeur de la conductivité est plus faible que celle calculée précédemment sans tenir compte de l'eet de la température.
Partie 4
Structure de bandes d'énergie
4.1 Étude sur une période
4.1.1) Dans le zone 0 < x < a − b, V (x) = 0 alors l'équation devient :
d2 φ 2mE
+ 2 φ=0
dx2 h̄
La solution d'une telle équation s'écrit sous la forme :
r
2mE
φ1 (x) = A exp(ikx) + B exp(−ikx) avec : k=
h̄2
4.1.2) Dans la zone a − b < x < a, V (x) = V0 alors :
d2 φ 2m(V0 − E)
− φ=0
dx2 h̄2
La solution est alors :
s
2m(V0 − E)
φ2 (x) = C exp(qx) + D exp(−qx) avec : q=
h̄2
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4.1.3) Les conditions de continuité vériées par la fonction d'onde sont :
dφ1 dφ2
φ1 (x = a − b) = φ2 (x = a − b) et (x = a − b) = (x = a − b)
dx dx
4.2 Étude sur le réseau périodique
4.2.1) En utilisant le fait que u est une fonction périodique de période a, on écrit :
H
2 2 2
|φ(x + pa)|2 = |exp (iK(x + pn)) u(x + pa)| = |u(x + pa)| = |u(x)| ⇒ |φ(x + pa)|2 = |φ(x)|2
Alors la densité de probabilité d'existence de l'électron est aussi une fonction périodique de même période a.
C
4.2.2) En utilisant la solution de l'équation (4) valable pour tout point du réseau, on écrit :
O
φ(x + a) = exp (iK(a + x)) u(x + a) = exp (iKx) exp (iKa) u(x) ⇒ φ(x + a) = exp (iKa) ϕ(x)
4.2.3) La continuité de la fonction d'onde en x = a permet d'écrire que :
D
φ(a+ ) = φ(a− ) = φ(a)
Or pour x = 0, on trouve :
A
+
φ(a) = exp (iKa) ϕ(0 ) = exp (iKa) (A + B) ⇒ C exp(qa) + D exp(−qa) = exp (iKa) (A + B)
De même la condition de continuité de la dérivée de φ(x) permet d'écrire :
φ0 (x = a+ ) = φ0 (x = a− ) = φ0 (x = a)
Or :
φ(x + a) = exp (iKa) ϕ(x) ⇒ φ0 (x + a) = exp (iKa) ϕ0 (x)
Alors pour x = 0, on trouve :
φ0 (a) = exp (iKa) ϕ0 (0+ ) = exp (iKa) ik (A − B) ⇒ exp (iKa) ik (A − B) = q (C exp(qa) + D exp(−qa))
4.3 Bandes d'énergie
4.3.1) On a :
1 q k
cos(Ka) = cosh(qb) cos(k(a − b)) + − sinh(qb) sin(k(a − b))
2 k q
Dans la limite où b → 0 et V0 → ∞ avec bV0 = γ , on aura :
s s r
2m(V0 − E) 2mV0 b2 2mγb
qb = b ' = → 0 Alors : cosh(qb) ' 1 ; cos(k(a−b)) ' cos(ka) ; sin(k(a−b)) ' sin(ka)
h̄2 h̄2 h̄2
Or : r
2mE r r
k
=r h̄2 =
E
→ 0 et
q
=
V0
q 2m(V0 − E) V0 k E
h̄2
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Donc :
r r r
2mγb 2mγb 2mγb
r r ! r exp − exp − r r ! exp 2 −1
q V0 2mγb V0 h̄2 h̄2 V0 2mγb h̄2
sinh(qb) = sinh = = exp −
k E h̄2 E 2 E h̄2 2
Alors :
r r
r r r ! exp 2 2mγb − 1 s r ! exp 2 2mγb − 1 s
q V0 2mγb 2mγb h̄2 2mγ 2 2mγb h̄2 2mγ 2
sinh(qb) = exp − = exp − →
h̄2 h̄2 h̄2 E h̄2 h̄2 E
r r
k E 2mγb 2mγb
H
2 2 2 2
h̄ h̄
En remplaçant dans l'expression de cos(Ka), on trouve :
C
s s
1 2mγ 2 ka 2mγ 2 sin(ka)
cos(Ka) = cos(ka) + sin(ka) ⇒ cos(Ka) = cos(ka) +
2 h̄2 E 2 h̄2 E ka
O
Donc par identication avec l'expression fournie :
D
s s
ka 2mγ 2 a 4m2 Eγ 2 mγa
Q= 2 = 4 = 2
2 h̄ E 2 h̄ E h̄
A
4.3.2) En utilisant le graphe de la gure 3 on remarque que la fonction F (ka) dépasse +1 en valeur absolue pour des intervalles
de ka, ceci ne vérie pas l'équation (5). Ces intervalles de ka correspond à des intervalles d'énergie c'est ce qu'on appelle les
bandes interdites. D'autre part, pour Q = 0, on aura :
cos(Ka) = cos(ka)
Cette équation est toujours vériée ce qui correspond à un conducteur (la bande de conduction et la bande de valence sont
connectées sans bande interdites).
sin(ka)
Q − cos(ka)
ka
ka
−1
Visualisation des bandes (interdites en rouge et permises en vert)