記憶體
概況
記憶體產業是半導體產業的核心支柱，負責資料的暫存、存取與長期保存，是所有運算系統不可或缺的底層基礎。依資料保存特性，記憶體可概分為揮發性記憶體（需持續供電才能保留資料）與非揮發性記憶體（斷電後仍可保存資料）兩大類。
（一）揮發性記憶體（Volatile Memory）
•DRAM（Dynamic Random Access Memory） 為系統主記憶體，廣泛應用於PC、伺服器與行動裝置。隨著運算需求提升，DRAM技術已由DDR4逐步邁向DDR5與LPDDR5X，並在AI與高效能運算領域進一步發展出高頻寬記憶體（HBM）。在AI驅動下，DRAM（含HBM）成為記憶體市場中最主要的成長動能。
•SRAM（Static Random Access Memory） 具備高速、低延遲特性，但成本高、密度低，主要作為CPU、GPU內部的快取記憶體使用。
（二）非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory）
•NAND Flash 為全球儲存市場的主流產品，應用涵蓋SSD、資料中心儲存、智慧型手機與各式嵌入式裝置。隨著製程演進，3DNAND技術已推進至200層以上，主流量產層數持續提升，以滿足高容量與低成本需求。
•NOR Flash 主要用於程式碼儲存與系統啟動，廣泛應用於車用電子、工控、網通與IoT裝置，屬於高可靠度、利基型市場。
整體而言，DRAM與NAND Flash是所有智慧運算的底層資源。其中，伺服器與資料中心已成為最大需求來源。隨著AI模型規模擴張、推理與代理型應用普及，單一系統對記憶體的容量、頻寬與存取效率需求呈指數型成長，推動產品組合快速升級，HBM、DDR5與企業級SSD（eSSD）成為產業成長主軸。
記憶體產品約占全球半導體產業總營收的25%～30%，因此記憶體價格一旦進入上升或下滑循環，往往會放大整體半導體產業的景氣波動。
記憶體產業自1970年代美國率先實現DRAM商業化，歷經1980年代日本與1990年代韓國主導後，目前已形成高度集中的產業結構：
•DRAM：三星電子、SK海力士與美光三大廠合計市佔逾95%
•NAND Flash：呈現五強競逐格局，產業集中度同樣偏高。三星電子、SK集團(SK Hynix+Solidigm)、美光、鎧俠(Kioxia)、SanDisk(威騰電子/Western Digital分拆後獨立品牌)。
台灣在DRAM與NAND的量產市佔有限(DRAM約低於10%、NAND約低於5%)，但在NOR Flash、先進封裝、模組、控制晶片與系統整合等領域具備全球競爭力，並逐步切入HBM與企業級SSD等高附加價值環節，成為全球記憶體供應鏈中不可或缺的關鍵角色。
AI重塑產業循環與供需結構
傳統記憶體產業具有約2～4年的景氣循環特性，但本輪循環已明顯被AI需求重塑。 在需求端，AI伺服器大量消耗高階記憶體。以最新一代AI資料中心GPU為例，單卡所搭載的HBM容量已上看288GB，遠高於消費性電子產品的記憶體配置。
在供給端，雖然三星、SK海力士與美光積極擴產，但多數新產能預計至2027年底後才會陸續開出。根據產業研究機構預估，2026年DRAM需求年增率約26%，供給僅年增約20%，供需缺口超過6%，使市場長期處於供不應求狀態。
在產值表現方面，全球記憶體市場規模預估2026年約5,516億美元；2027年可望上看8,427億美元，年增率約53%，再創歷史高峰。其中，DRAM（特別是HBM）為成長最為強勁的項目，亦成為供應商產能配置的核心重點。
產能重分配與產業影響
TrendForce與IDC皆指出，未來超過70%的高階記憶體產能將優先供應AI與資料中心市場。在利潤結構考量下，HBM、DDR5與企業級SSD的供應獲得優先保障，而消費性DRAM與NAND的產能則相對收縮。
IDC形容，這是一場零和博弈：每多一片晶圓投入GPU的HBM堆疊，就意味著中階智慧型手機或PC可用的記憶體資源減少。此一結構性變化，可能在2026年對智慧型手機與PC出貨量形成壓力，但同時推升終端產品的平均售價。
在AI浪潮持續推進下，記憶體已從高度循環的商品型產業，轉變為產能受限、價格話語權回到供應商端的戰略性產業。在AI伺服器、高效能運算與企業級儲存需求長期支撐下，記憶體產業的成長動能可望延續至2027年，並持續影響全球半導體產業的競爭格局與成本結構。