華邦電啟動高雄第二座「雙子星」 12吋晶圓廠興建2027年動工

受惠AI帶動記憶體需求持續升溫，華邦電今（6）日董事會正式拍板啟動高雄第二座雙子星12吋晶圓廠「P2」建置計畫，預計2027年1月動工，2029年初開始裝機、第4季量產，並將導入EUV（極紫外光）微影設備，布局14奈米、12奈米等下一世代DRAM製程，為公司未來十年的成長奠定基礎。

華邦電總經理陳沛銘今日主持法說會表示，揭示集團在記憶體領域最新布局。他說，高雄第一廠完成擴產後，今年底月產能將由目前1.5萬片提升至2.4萬片，還是無法滿足客戶要求，因此董事會決定啟動高雄第二座雙子星12吋廠興建，提前因應AI、車用及高效能運算（HPC）等新興應用對DRAM長期需求。

他指出，第二座雙子星廠的無塵雲面積約3萬平方公尺，約是第一廠的兩倍，未來可容納約5萬至6萬片月產能，但設備將依市場需求分階段建置，不會一次到位，以保留未來製程升級與產品彈性。

陳沛銘進一步表示，高雄二廠將成為華邦最新世代DRAM生產基地，規畫導入16奈米、14奈米及12奈米製程。其中第一階段將先以非EUV製程生產14奈米產品，第二階段再導入EUV設備，發展12奈米世代產品。由於EUV設備交期長達3年至3年半，因此公司已提前展開相關規畫，希望銜接下一波製程演進。

他透露，高雄第二廠依規畫於2027年動工，2029年初開始裝機，年中展開試產，2029年第4季即可量產，屆時也將同步展開下一階段長期供貨合約（LTA）洽談，供應2029年至2030年以後的新產能。

陳沛銘指出，目前已有不少客戶希望提前預訂高雄P2廠未來產能，不僅希望簽訂至2028年的長約，也積極洽談2029年甚至2030年以後的供貨安排，反映AI應用快速擴展，市場對記憶體供應仍高度關注。

他表示，除了AI所需的高頻寬記憶體（HBM）外，包括DDR5、LPDDR6，以及華邦聚焦的利基型DRAM與NOR Flash市場，需求同樣維持強勁，目前DRAM市場仍處於供給吃緊狀態，公司將持續透過新廠建置及先進製程升級擴充產能，以掌握AI、智慧車、工控及邊緣AI等新一波成長商機。