全桥逆变电路（IR2103+IRF540）+单极性spwm

IR2103 是一款常用的半桥栅极驱动芯片，而 IRF540 是 N 沟道增强型 MOSFET，二者结合常被用于构建中小型逆变电路（如 DC-AC 逆变器）。以下从电路原理、关键设计、应用场景等方面详细说明：

一、核心器件功能

1. IR2103 栅极驱动芯片

   • 专为半桥拓扑设计，可驱动上下桥臂的 N 沟道 MOSFET 或 IGBT。
   • 具备 自举功能：通过自举电容为上桥臂 MOSFET 提供栅极驱动电压（解决高压侧驱动问题）。
   • 内置 死区时间控制：防止上下桥臂同时导通导致电源短路。
   • 供电电压范围宽（10 - 20V），输出驱动电流可达 2A（峰值），适合驱动中功率 MOSFET。

2. IRF540 MOSFET

   • 参数：耐压 100V，导通电阻 80mΩ，最大持续电流 33A（25℃），适合低压大电流场景。
   • N 沟道特性：需栅极电压（Vgs > 阈值电压，通常 4 - 5V）才能导通，IR2103 可直接驱动。