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原创 matlab中disp，fprintf，sprintf，display，dlmwrite输出函数之间的区别

【代码】matlab中disp，fprintf，sprintf，display，dlmwrite输出函数之间的区别。

原创 共集电极电路求解静态工作点Q和动态参数

求解这类问题一般的步骤都是先静态，后动态，然后分析各未知量。先静态：后动态：

原创 交流负载线

交流负载线在放大电路中有什么作用交流负载线和直流负载线的区别是什么？

原创 电路中如何求解最大不失真输出电压有效值

首先要了解什么是最大不失真输出电压。

原创 判断下列两电路各是共射，共集，共基放大电路的哪一种，并写出Q，Au，Ri和Ro的表达式。

上图是题目，下面开始分析：

原创 添加不同栅源电压下，场效应管的工作区状态分析

原创 MOS管中漏极电压和栅极电压,源极电压之间的关系

原创 稳压管的习题练习

原创 晶体三极管工作状态分析题

原创 稳压二极管相关习题

原创 模电复习易错题

综上所述，PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零，这是半导体物理中的一个基本原理。综上所述，处于放大状态的晶体管，集电极电流是由多子扩散运动形成的，而不是多子漂移运动。在分析包含二极管的交流小信号电路时，通常需要用到二极管的动态电阻。

原创 matlab中左除和右除的区别

原创 matlab基础例题

3. 为了使两个 plot 的图形在同一坐标显示，可以使用_____命令进行图形保持，可以使用______命令为图形添加网格。1. MATLAB 命令窗口中可用____命令清除工作区中的变量；用____命令清除命令窗口中的内容。6. MATLAB 中用________函数完成矩阵的求逆运算，用________函数求矩阵的行列式。7.在 MATLAB 中，如果需要绘制出具有不同纵坐标标度的两个图形，可以使用_____函数。4. 如果 x = 1:-1:-8，则 x(1)和 x(5)分别是____

原创 matlab例题

matlab中，abs函数是求绝对值的函数，但是他也能求字符串的ascill值

原创 结型场效应管为什么没有输入特性曲线而是为转移特性曲线

结型场效应管（JFET）之所以通常不讨论输入特性曲线，而是讨论转移特性曲线，这与它的电路模型和工作原理有关。

原创 结型场效应管和绝缘栅型场效应管的联系与区别

场效应管本身就自带的有（沟道）也就是主体的杂质半导体的大量载流子所构成的通道，栅极所连接的就是两个杂质半导体，所以就直接导致了U(GS)不能加正向电压，因为如果加了正向电压，两个杂质半导体就会与主体形成PN结，PN结会处于正向偏置状态，正向电压会使通道区域拓宽，导致漏极和源极之间的电阻降低，电流增大，这违背了JFET通过栅极电压控制电流的目的。结型场效应管的输出特性曲线就与绝缘栅型场效应管的无太大差别，不过，在横流区中，结型场效应管的曲线会更加平坦一些。其次，他们的符号也有所不同，这个需要注意一下。

原创 模拟电子技术知识点复习

原创 结型场效应管（JFET）栅极和源极直接为什么不能加正向电压？

在JFET中，当栅极和源极之间施加反向电压（即栅极相对于源极为负电压，对于n沟道JFET；或栅极相对于源极为正电压，对于p沟道JFET）时，PN结处于反向偏置状态。这是JFET正常工作的控制方式。：JFET的栅极和源极之间形成了一个PN结（对于n沟道JFET是P型栅极和N型源极，对于p沟道JFET则是N型栅极和P型源极）。因此，为了确保JFET能够正确地控制电流并防止损坏，栅极和源极之间应该始终施加反向电压。结型场效应管（JFET）的工作原理是基于栅极与源极之间的电压来控制通道中的电流。

原创 判断和分析双极型晶体管的工作状态

这次是习题的整理，整理了几道关于判断和分析三极管的工作状态的·习题，意于帮助初学者巩固一下知识点。为了方便做题，答案不随题目一展示，答案一起集中于最后页。如果上述题目有不懂的地方可以私信我，我都会一一解答。

原创 BJK的输入特性曲线和输出特性曲线的分析

以下的分析都是以共射极放大电路为例哈我们主要需要讨论的问题就是为什么在U(CE)增大时，图像曲线会右移，当U(CE)增大到一定程度时，图像曲线就几乎不再变化。要讨论这个问题，我们首先要分析一下横纵坐标之间的关系，横坐标是U(BE)，纵坐标是I(B)，两个的比值是基极的等效电阻，等效电阻几乎不变，所以，在U(CE)变化的过程中，图像的大概轮廓不会改变。然后分析为什么U(CE)增大，曲线会右移：我们首先要知道IB()等于什么，就是那些电流组成了I(B)，然后分析U(CE)增大会对I(B)产生什么影响？

原创 为什么三极管处于放大时需要要求集电结的面积大一些？

集电结面积大，意味着有更多的空间来收集从基区穿越到集电极的载流子（电子或空穴）。这有助于降低集电极的电阻，从而减少由于集电极电阻引起的电压降，使得更多的电源电压可用于放大信号。较大的集电结面积有助于实现这一点，因为它可以更有效地收集载流子，从而允许基区更薄而不牺牲收集效率。较大的集电结面积有助于更好地散发热量，从而提高三极管的热稳定性。集电结面积大，通常可以承受更高的反向电压，从而提高三极管的击穿电压。因此，为了优化三极管的放大性能，设计时通常会考虑增加集电结的面积。更薄的基区，从而提高放大效率。

原创 为什么晶体管的基极区要制作的很薄？

基极电流放大：基极薄，注入的少数载流子数量少，但它们可以在集电极中产生较大的电流，因为集电极区域相对较大。减少存储时间：在晶体管从导通状态切换到截止状态时，基极薄有助于快速清除基区中的电荷，减少存储时间，从而提高晶体管的开关速度。减少基区复合：在基极较薄的情况下，载流子在基区中的复合（即电子与空穴结合并消失）的机会减少，从而提高了晶体管的效率。防止基区饱和：如果基极太厚，当晶体管处于导通状态时，基区可能会饱和，即基区中充满了电荷，这会降低晶体管的放大能力。避免基区饱和，保持良好的放大特性。

原创 如果要使晶体管（三极管）处于放大区，则需要满足条件之一就是UCE＞UBE，探讨其原因。

它确保了电子可以从发射极流向集电极。它保持了晶体管能够放大信号的基极-集电极电流控制关系。它避免了晶体管进入饱和状态，保持其放大能力。因此，为了使晶体管正常工作在放大状态，必须满足UCE > UBE的条件。

原创 为什么PN结中高掺杂的情况下，耗尽层的宽度会更窄

刚学的时候这个问题困扰了我很长时间，通过查阅很多资料，找到了一个相对详细且合理的解释，加上自己的一些思考，现在，算是差不多明白了，所以，写下这篇文章，为以后同样困惑于这个问题的同学提供一个思路。首先，提出这样的问题的同学，可以肯定的是你很细心，发现了这个点，但是现在的很多视频和教材解释的都比较模糊，不利于彻底理解这个问题。随着载流子的注入，耗尽层中的正负电荷得到部分中和，导致耗尽层的宽度减小。当耗尽层变窄到一定程度时，载流子的注入和扩散变得足够强，从而在PN结中形成显著的电流，这就是所谓的正向电流。

原创 模电期末复习 第一章

3.四种放大电路模型及其适用场合。1.模拟电路的基本处理方式。2.电子信息系统的组成框图。

原创 计算机能力挑战赛C语言赛道易错点归总

2.接下来对b进行分析，假设b先出来，那么a已经进栈，接下来就有两种情况：c的进栈或者a的出栈，这样子就延伸出了2种情况，（c进c出a出 ，a出c进c出）。因而可以得知，这个是按顺序进出站的，c进站那么b肯定在他前面完成进出站的事情，所以，推广到5种元素，进出站顺序绝对不能乱。3.最后对a进行分析，假设a先出来，那么此时b和c都没有进栈，就会有两种情况：（b进b出c进c出 ，b进c进c出b出）。1.先对c进行分析，假设c先出来，那么一定是a进b进c进c出b出a出的情况，出栈顺序是：cba。

原创 电路理论第七章复习大纲

电路理论的基础复习到第七章就结束了，上传的内容是我制作的文档，暂时以截图的方式上传到文章中了，如果需要看文档的可以到我上传的资源中下载。感谢大家！

原创 电路理论第六章复习概要

1.电容元件的性质、VCR关系,相关的结论。

原创 电路基础第五章复习概要

下面是第五章的内容概要：

原创 电路理论第四章复习纲要

又见面啦，今天把第四章的内容传上来了，如果有什么不懂的地方可以给我留言联系我哦，我都会一一看的。

原创 电路理论的第三章复习纲要

第三章的内容不多，就简单恰个饭，重点是第四章的内容，知识点很多。嘿嘿嘿，今天继续更新电路理论的第三章复习纲要啦~~~

原创 电路理论的第二章纲要

今天继续更新电路理论的内容，这是第二章的纲要。2.电阻的串/并联公式及分压、分流的公式。3.根据电阻的串并联关系，求电路的总电阻。4.电阻的Y形连接和△形连接的等效变换。1.电阻电路的组成，电源和线性电阻。

原创 电路基础第一章纲要

电路基础第一章复习摘要

原创 关于探讨TTL反相器在输入为高电平时为什么三极管T4是截止的问题。

TTL反相器在输入为高电平时为什么三极管T4是截止的