不会先思考-CSDN博客

原创 B2.0:对硬件学习的一些个人心得感悟

本文分享了硬件学习的心得与路径建议。作者指出大部分硬件工程师从借鉴电路开始，逐步发展到应用层面，但真正理解电路内部原理的人较少。建议初学者采用"工作学应用，下班学理论"的方式，通过多轮学习（数电/模电等）循序渐进，不必死磕难点。强调眼界决定水平，但需实践跟进，应定期观摩高水平作品并输出反馈。提醒硬件学习是理论与实践的长期结合，经验不等于水平，需持续提升。速成者可以侧重应用技巧，但深入发展仍需扎实理论基础。关键在于保持学习闭环，利用碎片时间持之以恒地进步。

2025-08-09 18:58:53 401

原创 C5.2:如何利用BJT的区域进行稳定工作

对于晶体管开关电路来说，基极偏置应用与数字电路，因为这种电路通常工作在饱和区和截止区，他们输出不是高电压就是低电压，所以Q点变化也就没关系，因为电流增益变化时，晶体管始终处于饱和或截止状态，所以输出电压的确切值不重要，重要的是能分辨高电平电压和低电平电压，数字电路也常常叫开关电路，因为Q点在负载线两端来回切换，大多数设计中这两个点就是饱和点和截止点，另一个常用名字叫双态电路，是指具体两种输出状态（高低电平）。

2025-08-08 21:35:22 808

原创 C5.1:共发射极组态

共发射极电路由基极输入回路和集电极输出回路组成，通过基极电流控制集电极电流实现小电流控制大电流。晶体管工作在有源区（发射结正偏、集电结反偏）时具有放大作用，饱和区和截止区用于开关电路，击穿区应避免。特性曲线显示集电极电流随基极电流线性变化，并受VCE影响。晶体管分析可采用理想（VBE=0）、二阶（VBE=0.7V）或更高阶近似，其中二阶近似最常用。实际应用中需注意功率限制和击穿电压，确保晶体管正常工作。

2025-08-07 21:06:41 756

原创 C5.0:双极型晶体管（BJT）

双极型晶体管(BJT)是一种利用自由电子和空穴两种载流子工作的半导体器件，其核心结构由发射极、基极和集电极三个掺杂区组成。BJT通过控制发射结正偏和集电结反偏实现电流放大，其中发射极重掺杂发射电子，基极轻掺杂且极薄促进电子传输，集电极收集电子。关键参数包括直流系数α(0.95-0.99)和电流增益β(20-300)，大功率晶体管因结构特性和热稳定性要求具有较低的增益值。器件性能受掺杂浓度、基区宽度和散热设计等因素影响。

2025-08-06 20:14:32 571

原创 A3.1:关于防反接和防倒灌引申的PMOS应用

本文分析了MOS管防反接电路的工作原理，重点解释了PMOS管在防反接电路中的特殊接法原因。传统PMOS管导通条件是栅源电压差，但防反接电路利用体二极管特性实现导通：当电源正接时，体二极管先导通抬升源极电位，使MOS管完全导通；反接时MOS管关断，负载两端等电位。文章指出这种设计的局限性，如在负载含电池时可能失效，并介绍了改进的双三极管防反接防倒灌电路，通过电压比较实现可靠关断。

2025-08-06 18:48:25 492

原创 A3.0:防反接和防倒灌的物理意义

先了解它们的意义，首先是防反接，听名字就知道，这是防止有的用户把电源部分的供电线序接反了，比如24VDC和GND，二者接反了位置，自然导致电路里本来是GND的大块铜皮变成了24VDC，而24VDC的小部分铜皮则变成了GND。在电源设计里，集成的降压芯片都有稳压二极管，当电源反接的时候，稳压二极管就会正向导通，导致短路，这只是其中一种情况，本质的物理意义就是防止电源正负极接反时电流反向流入电路，避免电子元件因反向电压或电流而损坏。二极管方案：串联在电源输出端，利用单向导电性阻止电流回流（但存在压降损耗）。

2025-08-05 19:31:34 423

原创 B1.1:EMC电路的设计要素

本文探讨了直流24V电源接口的EMC设计思路，重点分析了常用保护器件的特性及应用方法。压敏电阻(MOV)作为第一级防护，配合气体放电管(GDT)可有效钳制浪涌电压并阻断漏电流路径；Y电容用于泄放共模干扰，X电容则滤除差模噪声；共模电感通过磁通抵消原理抑制共模干扰。文章还详细阐述了器件布置顺序：先压敏电阻后保险丝，压敏电阻与气体放电管串联形成完整的泄放路径。这种多级防护设计能有效解决大部分EMI问题，确保电路工作稳定。

2025-08-05 10:09:56 1471 1

原创 C4.0:其他类型二极管

本文介绍了多种特殊二极管的特性与应用。压敏电阻器可抑制电压尖峰脉冲；稳流二极管能保持电流恒定；阶跃恢复二极管利用特殊掺杂实现快速关断，适用于倍频器；反向二极管对微弱信号整流；隧道二极管具有负阻特性，可用于高频振荡；PIN二极管在射频领域呈现可变电阻特性。这些器件各具特色，在电子电路中发挥重要作用。

2025-08-04 21:13:47 349

原创 A2.0:电容的公式引申出的物理意义的理解

电容的本质与特性解析本文深入探讨了电容的基本原理和工作特性。电容通过极板充放电实现通交流阻直流的特性，其容抗与电容值、频率成反比。当交流电加载时，电容的充放电过程导致电流超前电压90度相位。文章还解释了不同电容在滤波应用中的差异：大电容因ESL较大而适用于低频滤波，小电容因结构优势更适合高频滤波。通过剖析电容的物理本质，揭示了各种电容类型在电路中的共性原理

2025-08-04 20:14:36 711

原创 C3.0:变容二极管

变容二极管通过反向电压调控耗尽层厚度改变电容值，其特性基于PN结电容效应。它与电感并联可构成LC谐振电路，通过调节反偏电压实现电调谐，广泛应用于通讯设备。变容二极管采用超突变结掺杂结构，使电容变化范围更广（如10:1），满足宽频调谐需求。其工作原理是：高掺杂浓度产生窄耗尽层，电场强度高，电容变化更显著。谐振时LC回路阻抗最大，能量在电感和电容间周期性交换，实现频率选择性调谐。

2025-08-03 16:54:22 600

原创 D2.0:Allegro特殊问题解决汇总

PCB设计常见问题解答：1.Gerber钻孔文件异常是因工程名含特殊字符，应避免使用字符命名；2.丝印大小修改报错需调整属性设置，改为当前丝印属性即可；3.无法删除铜皮时，需使用Select shape or void/cavity工具选中后删除，或拖拽至外侧处理。这些方法可有效解决PCB设计中的文件导出、丝印修改和铜皮删除问题。

2025-08-02 15:46:29 144

原创 D1.0：Orcad如何全局修改网络名、元器件颜色、标签颜色

本文介绍了修改电源网络标签颜色的具体方法。全局修改需通过Find搜索网络名（保留*字符），全选后右键配置属性，逐个修改名称和颜色。非电源网络可通过Edit Object Properties批量修改颜色。单页修改时，可使用Command Window输入SetColor3命令快速修改选中标签颜色，按住Ctrl可多选标签批量操作。两种方法均需注意操作步骤和大小写规范。

2025-08-02 09:07:30 772

原创 C2.0:肖特基二极管

肖特基二极管相较于小信号整流二极管的优势在于其高频特性。传统PN结二极管因载流子存储效应导致反向恢复时间长（trr=ts+tf），无法适应高频应用。肖特基二极管采用金属-半导体结构，消除了电荷存储现象，无需反向恢复时间，能胜任300MHz以上的整流和开关任务。其工作原理基于肖特基势垒（约0.25V），正向偏置时电子从半导体注入金属形成电流。虽然具有大电流（50A级）、快速开关等优势，但由于耗尽区窄、电场集中且势垒较低，导致其击穿电压远低于常规PN结二极管。

2025-08-01 20:56:09 715

原创 A1.2:模拟差分毫伏信号是否要接上下拉电阻

本文讨论了模拟差分毫伏信号是否需要上下拉电阻的问题。差分信号通常来自惠斯通电桥，用于称重、压力等力测量领域。信号采集方式包括转单端信号后ADC采集或直接差分采集。由于半导体器件的偏置电流特性，必须提供电流回路防止电位漂移。一般情况下，差分信号建议采用一上一下拉电阻以平衡输入阻抗，避免失调电压；但在高阻抗运放和低阻抗信号源时可采用双下拉。文章还分析了共模噪声（电场耦合）和差模噪声（磁场耦合）的产生机制及抑制方法：共模噪声需缩短线缆或加扼流圈，差模噪声则需减小环路面积。

2025-08-01 19:24:03 721

原创 C1.1:光电二极管和光耦合器

光电二极管利用反向偏置检测光照强度，因其内建电场能有效分离光生载流子，避免正向电流干扰。光耦合器由LED和光电二极管组成，通过光信号实现输入输出的电隔离，隔离电阻可达千兆欧姆。LED发非相干光，激光二极管通过谐振腔产生相位一致的相干光，应用广泛。

2025-07-31 21:05:01 319 1

原创 B1.0:关于EMC的一些个人经验之谈

本文揭示了国内中小企业EMC设计不足导致EMI问题被误判为"玄学"的现象。通过分析PCB设计中的常见经验法则（如3W原则、电容摆放等），指出这些其实都是EMC的实用解决方案。文章重点解析了EMI三要素（干扰源、传播途径、被干扰源），特别强调感性负载产生的反向电动势是主要干扰源，并介绍了续流二极管、TVS管等防护措施。同时详细讲解了ESD保护电路中串联电阻的作用原理，以及模数地隔离中磁珠和0Ω电阻的选择策略。最后从信号反射和辐射干扰角度，解释了电容就近摆放的重要性。

2025-07-31 12:01:35 1128

原创 C1.0:发光二极管

电子在能级跃迁时会以光或热等形式释放能量，这是LED发光的基本原理。直接带隙材料（如GaAs）能高效发光，而硅等间接带隙材料主要产生热能。LED的发光颜色由材料带隙决定，压降通常在1.5-2.5V之间。使用LED需注意限流，其亮度由电流决定且受温度影响。大功率LED需考量发光效率（lm/W）。LED应用广泛，从数码管到显示屏，还可通过脉冲驱动降低功耗。

2025-07-30 20:39:31 545

原创 A1.1:从差分信号的上下拉引申的上拉电阻和下拉电阻问题

本文探讨了上拉电阻的工作原理及其在电路中的重要作用。作者指出，上拉电阻通过建立高阻路径，在无外部驱动时将引脚电位稳定拉高至VCC，避免引脚悬空导致的电压波动。当存在外部驱动时，由于低阻抗路径优先导通，上拉电阻不会影响信号传输。文章用风筝比喻上拉电阻如何通过持续电荷注入来抵消噪声干扰，并强调合理选择上拉电阻值（通常10kΩ）的重要性。最后指出上拉电阻通过降低引脚对电源阻抗，有效提高电路抗干扰能力。

2025-07-30 10:15:52 339

原创 A1.0:从差分信号的上下拉引申的上拉电阻和下拉电阻问题

差分信号设计中上拉/下拉电阻的选择直接影响信号稳定性。分析485总线案例表明，A上拉B下拉可避免空闲状态误判（±200mV阈值）。下拉电阻阻值选择需权衡：小电阻（≤信号内阻×500）提升驱动能力、信号速度及抗干扰性，但会增加功耗（P=U²/R）；大电阻可能引入约翰逊噪声。下拉电阻通过提供低阻抗回流路径消除浮空噪声（V=IR原理），而RC时间常数（τ=RC）决定信号响应速度。实际设计需综合考虑传感器带宽、功耗与噪声指标。

2025-07-29 16:22:25 803 2

嵌入式的学习