电源设计--详细讲解MOS管的米勒效应

### MOSFET 米勒平台效应原理 MOSFET 的米勒平台现象源于器件内部存在的寄生电容，特别是栅漏之间的米勒电容 \( C_{gd} \)[^1]。当 MOSFET 开始导通时，栅源电压 \( V_{GS} \) 达到阈值电压 \( V_{th} \)，此时沟道形成并开始传导电流。然而，在此过程中，由于米勒电容的存在，栅极和漏极间的耦合会使栅极电压暂时保持不变，即进入了所谓的“米勒平台”。 在这个平台上，尽管栅极驱动器持续提供电流，但由于米勒电容的作用，这些电流主要用于抵消因漏极电压变化而引起的额外电荷需求，而不是进一步提升栅极电压。因此，这段期间内栅极电压几乎不发生变化，直到漏极电压降至足够低水平，使得流过米勒电容的电流减少，栅极电压才能继续上升完成最终的完全导通。 这种特性不仅会影响 MOSFET 的开关速度，还会因为延长了过渡期而导致更高的开关损耗[^2]。 ```python # Python 伪代码模拟 MOSFET 导通过程中的米勒平台效果 def mosfet_conduction(v_gs, v_th, c_gd): if v_gs >= v_th: # 进入导通区 while True: # 模拟米勒平台阶段 if not is_miller_plateau_over(): charge_cgd(c_gd) else: break return fully_on() return off_state() def charge_cgd(capacitance): # 对米勒电容充电的过程 pass def is_miller_plateau_over(): # 判断是否结束米勒平台 pass def fully_on(): # 完全导通后的状态处理 pass def off_state(): # 关断状态下操作 pass ``` ### 应用场景 尽管米勒平台增加了开关损耗，但在某些应用场景下却能发挥积极作用。例如，在电源管理系统中，可以通过增大 MOSFET 的米勒电容来有意延缓其导通速率，从而实现平稳的软启动功能。这有助于防止瞬态冲击电流对系统的损害，并适用于需要逐步加电的应用场合，比如热插拔保护、独立模块供电以及大型电力电子装置的安全上电控制等。