自动驾驶中的传感器技术27——Lidar（2）

最新推荐文章于 2025-08-11 07:00:00 发布

Godspeed Zhao

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分类专栏：自动驾驶中的传感器技术文章标签：自动驾驶人工智能机器学习

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1、激光雷达的波长选择

设计一款Lidar，首先是波长方案的选择，目前市面上的Lidar有905nm、940nm、1550nm等，为什么要采用这些波长，以及这些波长的区别是什么，这里给出一个初步的讨论。

从上图可以看到，Lidar的激光处于红外波长部分。这是由于激光雷达系统的目标之一是发射不干扰其他传感器（即相机、人眼）的波。因此，Lidar的波长主要位于电磁波谱的近红外部分。

进一步Lidar的激光波长分别两个大类，如下图所示。

两部分具体为：一部分从750nm到1100m，另一部分从1000nm到1600nm。对于第一种，探测器的最佳材料是硅，因为它在这个范围内具有最佳的光学响应。事实上，最大光学效率位于900nm左右。在该值之后，效率在接近0时急剧下降，这就是为什么另一种材料通常用于更长的波长（例如砷化镓（InGaAS））。

尽管如此，InGaAs也能以良好的效率在900nm波长附件工作，但其固有噪声高于硅。这可能会使点云渲染更加嘈杂。

另外Lidar工作波长的选择还需要考虑到以下原因：

太阳光发射高达150KLux，直接或反射的信号可能会被激光雷达误解，并被视为激光回波。大气中的水分子吸收了大部分太阳辐射，从而减少了太阳光到达激光雷达传感器的机会。

所以激光雷达系统选用特殊波长：例如903 nm和905 nm。从太阳照射到我们身上的光穿过大气层，大气层吸收了一些辐射。空气中不断存在的水会吸收这些辐射。据观察，905纳米太阳辐射的一小部分存在于大气中，因为它主要被水蒸气吸收。

此外，在激光雷达传感器前方放置了一个窄带通滤波器。通过这种方式，只有在滤光片中心波长周围几纳米的选定波长才能穿过它。换句话说，它过滤了所有可能产生错误数据（即噪声）的阳光。这优化了激光雷达捕获和记录的光与其自身产生的光相对应的事实。

划重点：900nm附近和1550nm附近要记得，Si和InGaAs这两种材料要记得。

2、激光器与DBR

有很多种激光器：液体（染料）激光器、半导体激光器、气体激光器、固态激光器（也称为二极管激光器）和光纤激光器。

激光雷达制造商主要使用不同类型的二极管激光器（有Velodyne、Ouster、Innoviz、Hesai……）和光纤激光器（有Luminar、Aeye、Innovusion……）。

这两种技术（diode lasers 和 fiber lasers）都会发射特定波长（或光谱区域）的激光，各有优缺点：

工作在800至1064nm之间的二极管激光器：尽管它们的性能不如光纤激光器，但它们具有更简单、更小、更便宜的优点。这些波长接近可见光范围，因此眼睛安全法规对它们可以发射的能量有更大的影响。

以及工作在1550nm的光纤激光器：它们（几乎）不受眼睛安全的限制，可以提供高功率输出，从而提高信噪比、范围和测量精度。然而，由于其复杂性，光纤激光器不太适合集成到小型激光雷达系统中，而且它们更难以可承受的价格大规模制造。

DBR（Distributed Bragg Reflector）激光器是一种利用分布布拉格反射器结构来选择和稳定激光输出波长的半导体激光器。

DBR 激光器通过在激光二极管的一端或两端集成周期性的折射率调制区域（即布拉格光栅），形成高反射率的反射镜，从而实现对激光腔内振荡模式的选择。这种设计可以提供非常窄的线宽和高度稳定的单纵模输出。

DBR激光器的结构由三个主要区域组成：活性区、DBR镜区和波导区。

有源区包含一个量子阱或量子点结构，它提供发光所需的增益。该区域通常位于DBR激光器结构的中心，被DBR镜区所包围。

DBR镜区是由多层具有不同折射率的两种不同的半导体材料组成，以周期性结构排列。该结构的周期性被设计用于反射特定的波长范围，这决定了激光器的发射波长。DBR镜区作为高反射镜，通过活性区域来回反射激光，形成一个反馈机制，使激光振荡。

波导区位于有源区和DBR镜区之间。它作为一种引导结构，将激光限制在有源区内。波导区通常是一个单层的半导体材料，其折射率低于DBR镜区。

二极管激光器通常具有电流和功率之间的非线性响应，如上图所示。它们的特点是具有阈值电流值，低于该阈值时输出最小。高于该阈值时，输出功率急剧增加，因此必须小心调节二极管的最大输出功率。这是为了确保二极管不会达到其允许的最大输出功率，从而避免器件永久性损坏（这是二极管的常见故障模式）。通常需要使用调节电路来防止这种情况发生。与LED相比，VCSEL的工作阈值电流也较低，从而降低了功耗。

3、激光发射器

如上图所示，目前主流的激光发射器主要是EEL，VCSEL和光纤激光器。

3.1 EEL激光发射器

边缘发射激光器（EEL）从基板边缘发射光。在半导体晶片中，固态激光器的光学腔平行于晶片表面生长。Velodyne和Quanergy最初将其用于机械旋转LiDAR。

EEL属于diode lasers，即使性能较低，基于二极管的LiDAR也更适合短期大规模生产。

边发射半导体激光器的谐振腔由半导体晶体的自然解离面构成，输出光束从激光器前端射出。边发射型半导体激光器可以实现高功率输出，但其输出光斑呈椭圆形，光束质量较差，需要采用光束整形系统来修改光束形状。

下图为边发射半导体激光器的结构示意图。边发射半导体激光器的光学腔与半导体芯片表面平行，在半导体芯片边缘发射激光，可实现高功率、高速度、低噪声的激光输出。然而，边发射半导体激光器输出的激光束一般光束截面不对称，角度发散角较大，与光纤或其他光学元件的耦合效率较低。

图8 structure of the edge-emitting semiconductor laser

EEL输出功率的提升受到有源区余热积聚和半导体表面光学损伤的限制。通过增加波导面积减少有源区余热积聚以改善散热，增加出光面积以降低光束光功率密度以避免光学损伤，在单横模波导结构下可实现高达数百毫瓦的输出功率。

对于100mm波导，单个边发射激光器可以实现数十瓦的输出功率，但此时波导在芯片平面上高度多模化，输出光束长宽比也达到100:1，需要复杂的光束整形系统。

在材料技术和外延生长技术没有新的突破的前提下，提高单个半导体激光器芯片输出功率的主要途径是增加芯片发光区的条带宽度。但条带宽度增加过高容易产生横向高阶模振荡和丝状振荡，会大大降低光输出的均匀性，而且输出功率并不是随着条带宽度成比例的增加，所以单颗芯片的输出功率极其有限。为了大幅度提高输出功率，阵列技术应运而生。该技术将多个激光单元集成在同一基板上，使得各个发光单元在慢轴方向排成一维阵列，只要采用光隔离技术将阵列中的各个发光单元分开，使得它们互相不干扰，形成多孔径激射，可以通过增加集成发光单元的数量来提高整个芯片的输出功率。这种半导体激光芯片就是半导体激光阵列（LDA）芯片，又称半导体激光条。

3.2 VCSEL激光发射器

在VCSEL（垂直腔面发射激光器）中，光垂直于安装表面发射，而EEL则平行于表面发射光。这允许在单个阵列上制造许多激光器，并降低了每秒交付相同数量的点的成本。这是Ouster和其他制造商使用的。

VCSEL属于diode lasers，即使性能较低，基于二极管的LiDAR也更适合短期大规模生产。

其谐振腔是由在有源区(Active Region)的上下两边形成两个具有高反射率的分布布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector，简称DBR)构成，激光沿着材料外延生长方向垂直出射。

针对不同功率所需，VCSEL 具有高度可扩展性，当多个VCSEL 在平面上形成阵列结构，我们称之为VCSEL 阵列。这种设计加倍增加了VCSEL 的功率和多功能性，更适合高功率的应用场景。

3.3 VCSEL VS EEL

光束质量：a) 面发射激光器、b) LED 激光器和 c) 边发射激光器的光束质量。VCSEL 的圆形光斑尺寸较小。

当比较 EEL 激光器和 VCSEL 时，一些明显的区别使得 VCSEL 在许多方面成为一种更优越的技术。

相较于传统边射型雷射（EEL），VCSEL 产生的雷射光束通常具有较窄的光谱，在光通讯应用上也十分有利。此外，由于VCSEL 相容于半导体制程，且不需如EEL 的劈裂制程，VCSEL 的制造过程可以轻易大批量生产，有助于降低生产成本，这也是为什么VCSEL 在大规模消费产品，如智慧型手机中得到广泛应用的原因之一。

EEL 激光器又长又细，从边缘发光，这限制了它们的可扩展性和性能一致性。而 VCSEL 激光器结构紧凑，从表面发光，这使得它们更容易实现规模化量产，同时保持性能的一致性。这就像比较一根细长的吸管和一个开口很大的漏斗——设计上的差异会极大地影响功能。

在功耗之争中，VCSEL 激光器脱颖而出。与 EEL 激光器相比，它们的功耗远低于 EEL 激光器，使其成为需要高效性能的应用的理想选择。这对于数据中心和消费电子产品尤为重要，因为这些领域的能源效率日益受到关注。既然可以用更少的能源获得相同甚至更好的效果，何必浪费电力呢？

VCSEL 相较于 EEL 激光器最显著的优势之一是其可扩展性。紧凑的表面发射设计使制造商能够在单个芯片上创建 VCSEL 阵列，而这在 EEL 激光器中几乎是不可能实现的。这种可扩展性降低了生产成本，并使像Ace Photonics Co., Ltd.这样的制造商能够更轻松地根据特定客户需求定制解决方案。

成本上，VCSEL 技术的规模化生产比 EEL 激光器更具成本效益。能够在单个晶圆上制造多个 VCSEL，从而提高生产效率，这意味着可以用更少的成本生产出更多的激光器。在如今竞争激烈、分文不值、成本至上的市场中，这无疑是一项巨大的优势。

VCSEL 的多功能性才是其真正与众不同之处。从 3D 传感到高速通信，其应用领域极其广泛。从数据中心到手机的人脸识别系统，VCSEL 的应用无处不在，甚至还应用于尖端的自动驾驶技术。

以上说了VCSEL相对EEL的优势，但是EEL也有相对VCSEL的优势。

高光输出功率：目前，单模VCSEL可达功率约为4~5mW，多模VCSEL可达功率约为8~9mW。阵列式排列是进一步提升功率的常用方法。然而，考虑到芯片设计和尺寸，这种方法所能提升的功率仍然有限。而EEL只需单片芯片即可实现高功率。

高壁插效率（WPE）：VCSEL 的 WPE 约为 35%，EEL 约为 45%。低功率使用时，EEL 和 VCSEL 之间的 WPE 差异可能不那么明显。然而，当使用功率较高时，较低的 WPE 意味着 VCSEL 会消耗更多能量，产生更多废热。这将导致各种不良影响。

散热性好：激光光源的稳定性和可靠性与温度息息相关。高温会造成波长漂移、WPE降低、寿命缩短等负面影响。由于VCSEL的结构原因，一般产生光和热的P面无法直接接触散热器，热量容易积聚，尤其是在高输出功率状态下，这种影响会更加显著。而EEL可以将P面与散热器直接贴合，激光器芯片的散热能力和温度均匀性远优于VCSEL。

综上所述，可以发现，在低功率使用时，VCSEL确实是3D传感激光光源最合理的选择，因为几乎无需考虑散热和效率。然而，随着功率需求的增加，这些负面影响也会逐渐显现。相比之下，EEL在低功率下的性价比低于VCSEL。但在高功率领域，EEL是比VCSEL更具潜力的选择。