DDR管脚信号

DDR：Double Data Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存储器，双倍速率传输的SDRAM，在时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。我们电脑的内存条都是DDR芯片。 相关文章： DDR3 内存带宽计算https://blog.csdn.net/zsj100213/article/details/82496893...

查看DDR4手册，发现对alert驱动能力的描述，根据这个Ronpd来看，感觉100ohm上拉过强。alert_n是一个低有效的告警信号，给一个正常的初始态，用弱上拉应该是正确的。原理图中对DDR4的alert_n管脚使用了100ohm上拉。DDR4型号：MT40A512M16TB-062E:R TR。3.查看CSDN网址，有博主建议10kohm上拉。CPU型号：LS1046ASN8T1A。

在初始化过程中，模式寄存器通过模式寄存器设置(MRS)命令进行编程，并保留存储的信息(MR0[8]除外，即自清除)，直到重新编程，重置#下降，设备断电。功能与DQS相同，只是当两种不同的DIMM混合应用在同一个系统时，DQS的负载就会不同，这样会造成信号完整性问题，TDQS就是为了解决这个问题的。BL：Burst Lengths,突发长度，突发是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度(SDRAM)，在DDR SDRAM中指连续传输的周期数；

最近博主在根据例程做ddr3的读写测试，发现根本看不到好吧，虽然之前博主做过SDRAM的读写测试，但是ddr3更加复杂，时序写起来很吃力，所以需要用到vivado下自带的ip核。具体来看下面例化过程：1.在ip核下搜索mig 双击打开 2.直接next 然后在当前界面修改你的ddr3ip核的名字 这里博主是因为已经例化了ip核，所以名字不能修改，然后next3.这是要不要兼容芯片，不选，点击ne...

读写分离的方法有以下几种： （1）幅度。Read>Write （2）斜率。Read>Write （3）相位关系。Read是edge_aligned,Write是center_aligned. （4）DQSPreamble。Readpreamble>Write。（对于DDR3，就更容易区分了，因为Read preamble为负，Write preamble为正）

对于个人电脑，个人电脑上是没有内存条的，内存是直接以DIP芯片的形式安装在主板的DRAM插座上面，需要安装8到9颗这样的芯片，容量只有64KB到256KB，要扩展相当困难，但这对于当时的处理器以及程序来说这已经足够了，直到80286的出现硬件与软件都在渴求更大的内存，只靠主板上的内存已经不能满足需求了，于是内存条就诞生了。这是个DDR3一个Rank的示意图。主要的原因是作为嵌入式工程师的我们，这部分主要是配置参数，而这些参数都是由芯片厂商已经提供好了，硬件工程师都会基于厂商认证的DDR选型，减少开发周期。

基本知识 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory 简称 DDR SDRAM 双倍数据率同步动态随机存取内存 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输 DDR芯片的数据总线有 8位 16位 32位，如果是8位芯片则64位的数据总线需要8颗DDR3芯片。 DDR芯片引脚介绍 CK，CK#：差分时钟信号。所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#下降沿交叉处被采样，输入数据选通（DQS,DQS#）参考CK和CK#的

介绍了CA校验和Gear down模式

DDR4相比DDR3，在电源管理、数据完整性、并行访问和系统可靠性上都有显著改进。这些改动使DDR4在速度、功耗和稳定性上比DDR3更具优势，特别是在高性能计算和服务器应用中。

DDR的全称为Double Data Rate SDRAM（双倍速率的SDRAM），就是我们平时说的内存颗粒，也就是内存芯片。DDR在原有的SDRAM的基础上改进而来，SDRAM在一个CLK周期传输一次数据，而DDR在一个CLK周期传输两次数据，分别在上升沿和下降沿各传输一次数据。随着技术的发展，DDR经历了多轮技术迭代，发展出了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5，从DDR到DDR5主要的区别是在于传输速率的不同，随着时钟周期的不断降低，传输速率也不断提高。

DDR4 SDRAM 是一种高速的、基于 CMOS 技术的动态随机存取存储器（DRAM）。它内部配置为具有 16 个存储体的 DRAM，这些存储体被组织成 4 个存储体组，每个组包含 4 个存储体。这种设计允许 DDR4 SDRAM 实现高速操作，因为它采用了 8n-预取架构，结合了接口设计，能够在每个时钟周期的 I/O 引脚处传输两个数据字。512M×8的DDR4，功能框图如下所示(源文档图片就缺失了一块)256Mx16的DDR4，功能框图如下所示。

今天学习 H5AN8G6NDJR DDR4 SDRAM 芯片。

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。本文首先介绍了DDR工作原理及结构图，其次阐述了DDR DQS信号的处理，具体的跟随小编一起来了解一下。DDR工作原理及结构图DDR的基本...

以下面的DDR3读取为例，下图中共有8条数据线，每一条数据线都是一个8选1模拟开关的输出，每个输出前面还有8个输入，这个8个输入分别来自8个bank，8个输入会先存在fifo中缓存，MUX读出的时钟就是内核时钟的4倍，由于DDR的时钟上下边沿采样，所以读出8个数据的时间就是1个内核时钟，8个输出就对应64个输入，prefetch的8n的n是指DQ的IO位宽，表示以位宽的8倍来预取数据，n也就是DQ的数量一般可以是4，8，16，对应预取数据就是32，64，128。每行有1024列，每列包含8位数据。