DC-DC电路设计学习笔记——自举电容

自举电路是利用升压二极管，电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高。，使电容两端电压等于电源电压，但后。至电源高电位，这样就相当于。，因此电压得以升高，被称作。整个过程大致可以理解为先。电容两端电压不能突变。

假设输入电压（VDC）和输出电压 (VOUT) 之间有足够的电压差，由启动电阻 (RSTART)，启动二极管 (DSTART) 和齐纳二极管(DSTART) 组成的电路，可以解决这个问题，如图 14 所示。但是，当主要 MOSFET(Q1) 的源极和自举电容(CBOOT) 的负偏置节点位于输出电压时，它有对自举电容进行初始化启动和充电受限的问题。启动时，自举二极管 (DBOOT) 可能处于反偏，主要 MOSFET(Q1) 的导通时间不足，自举电容不能保持所需要的电荷，如图 1 所示。时间常数通过下式计算。

最近小白在做项目时，用到了一颗Charge IC。说起Charge IC,由于刚入职场一年多些。做的项目电路设计较为简单，客户对充电的需求也很一般。所以工作一年了，才算真正接触到Charge IC这个物种。 通过项目的学习，Charge IC其实也用到了BUCK电路的相关知识，所以对于芯片的外围设计也并不会感到很陌生。或许对于以往项目的BUCK芯片外围设计较为简单的原因，一直没有关注到的地方就是自举电容，芯片的外围引脚BTST与SW间接的一颗电容，其就属于自举电容。 在以往的DC-DC芯片中，小白这苍白的

在BUCK电路中，经常会看到一个电容连接在芯片的SW和boot管脚之间，这个电容称之为自举电容，关于这个电容，有以下几个问题。 自举电容有什么用？ 以MPS的buck芯片MP1484为例。规格书中芯片的BS管脚说明如下： 在BS和SW之间接一个0.01uf的电容，用来给上管供电。这里的上管自然是内部开关MOS管的上管了。 上图是MP1484芯片内部图。可以看到开关管是2个...

DCDC电路中，偶尔存在有自举电容的情况，手册对该电容的定义如下，假如该点的电压低于MOSFET的最小开启电压，MOSFET将保持关断状态。 看芯片手册的内部结构，此芯片的MOSFET为N沟道的MOSFET，N沟道的MOSFET开通电压VGS要大于某一阈值，结合DC/DC的拓扑结构，当开关管关断时，A点，电感电流通过二极管续流，此...

DCDC自举电容原理介绍

输入和输入大电容旁边往往并联一个小容量的陶瓷电容，由于ESL的存在，不同电容的自谐振频率不同（在自谐振频率处电容阻抗最小，近似短路，滤波效果最好）。电感中单个周期内纹波电流流过输出电容引起的纹波电压，由输出电容的等效串联电阻ESR引起，单周期内电感充放电，电流先抬升后下降。实际电容由于制作工艺，通常具有较大的电感效应，大电容的电感效应更明显，其自谐振频率相对较小，更适合滤除低频信号，小电容的电感效应较小，其自谐振频率相对较高，更适合滤除高频信号。增加时，对于给定的电容，阻抗减小，高频信号更容易通过电容。

DCDC电路中自举电容的

DCDC BUCK芯片有一个管脚叫BOOT,有的叫BST,如下是一个DCDC芯片对BOOT管脚的解释，在外部电路设计时，BOOT和SW管脚之间，需要加一个电容，一般是0.1uF，连接到DCDC高端MOS管的驱动端，这个电容就叫做自举电容其实在自举电路中，也可以加入电阻，一般叫BOOT电阻。BOOT电阻的作用是SW在高电平时，利用电容两端电压不能突变特性，会将BOOT脚电压泵至比SW高的电压，维持高边MOSFET的导通状态。

自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 举个简单的例子：有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压

更进一步，所确定的电压必须减去下管IGBT的饱和压降，这样导致上下管IGBT在不同的正向栅极电压下开通，因此Vcc应当保证上管有足够的栅极电压，同时保证下管的栅极电压不会变的太高。5、一方面，自举二极管必须快，因为它的工作频率和IGBT是一样的，另一方面，它必须有足够大的阻断电压，至少和IGBT的阻断电压一样大。最后，自举电路也有一些局限性，有些应用如电机驱动的电机长期工作在低转速大电流场合，下管的开通占空比一直比较小，造成上管的自举充电不够，这种情况需要在PWM算法上做特定占空比补偿或者独立电源供应。

当低侧 FET 导通（高侧 FET 关断）时，HS 引脚和开 关节点被拉至地；VDD 辅助电源通过旁路电容器经由自举二极管和电阻器为自举电容器充电。