MOS管开启过程中VGS的台阶——米勒平台？

关断时驱动欠阻尼，导致回路的寄生参数发生LC振荡，所以需要加大阻抗去消除这个振荡。增大栅极驱动电阻（Rg_off），减缓关断时的di/dt（但会增大开关损耗）。方法三：电机两级并一个反向二级管做续流，但是板子本来就加过了。：MOS管输出电容（Coss）、负载电容或布线电容。：线路寄生电感（如PCB走线、MOS管引脚电感）。电阻消耗振荡能量，电容限制电压尖峰。

与目前主流的半导体材料Si相比，采用GaN这种材料的功率器件具有导通损耗少（低导通电阻）和高速开关性能优异的特点，能够满足市场对于提高功率转换效率和小型化的需求。与传统的独立IGBT模块相比，PIM模块提供了更多的功能，同时简化了设计和制造过程。输入电容会影响 IGBT 的驱动特性和开关速度，较大的输入电容需要更大的驱动电流来快速充电和放电，从而影响开关时间。与 MOS 的ID​类似，它是衡量 IGBT 承载电流能力的重要指标，选择 IGBT 时需根据实际电路的电流需求来确定合适的IC​值。

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米勒平台是MOSFET在开通过程中的一个重要现象，它既有挑战也有机遇。

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现象-Mos的米勒电容导致，Mos管的上升和下降不够陡峭是Mos管发热的直接原因。Vgs的测量，是G、S的电压差，并非G和GND的电压差。Mos管存在三个电容，从Mos手册可以看到电容。Ciss是输入电容，Ccss是输出电容。Cgs会导致上升沿缓慢和振铃现象。Cds影响功率回路。Cgd是米勒电容。Cgd跨接在G和D之间，使得输出的信号被耦合在了输入端，导致Mos开通时间延长发热，或者Mos误导通烧毁。电容知识：测试电路：黄-GS，蓝-DS，粉色-SS。

1.选择适当的驱动芯片为了控制MOSFET，需要使用专门的驱动芯片。选择合适的芯片需要考虑MOSFET的电压和电流需求。常见的驱动芯片包括IR2110、IR2184、MIC4424等。2.设计电路在驱动电路中，需要加入一些电路元件来保证MOSFET的顺畅工作。包括以下几个方面：（1）反驱保护：加入反向二极管D1，用于保护MOSFET及其驱动电路不受电感自感电压的影响（2）滤波电容：加入滤波电容C1，用于平滑输入电源，减小噪音（3）电阻：加入限流电阻R2，用于限制电流，保护MOSFET。

随着栅极电压的增加，栅源gs寄生电容不断充电，栅极电荷也是不断增加的，当栅源极电压=米勒平台电压以后，此时，MOSFET的栅源gs寄生电容充满电了，开始给栅漏gd寄生电容充电，此时栅极电压基本不变，当栅漏gd寄生电容充满电后，栅极电压继续增加。1.栅极电压的变化变得较慢从而会影响MOSFET的开关速度2.栅极电流的增加和电容充电过程会增加开关损耗，特别是高频3.MOSFET的不稳定工作，振荡、过冲1.Id=K*（Vgs-Vth)^2 根据数据手册下图任意取两点，两组方程解两组未知数 K Vth。

适配器设计计算23步骤 闲话少说，那个，先来一张MOSFET的符号图：   为了描述方便，放一个boost电路先：其中S就是我们的MOSFET啦。   MOS开通过程我们主要看3个信号：Vgs，Vds，Id，他们三个啥意思我就不解释了。 我又笨手笨脚的画了一个图，我们来看图说话吧   从0时刻开始，Vgs开始上升的时候，Vds和Id保持不变，这个过程