在半导体显示领域,Micro-LED 凭借高亮度、高对比度、快速响应等优势,成为下一代显示技术核心方向。但其产业化中,巨量转印是关键瓶颈,弹性印章作为核心部件,其制程参数直接影响转印效率与良率,对工业化生产至关重要。光学轮廓仪以高分辨率、三维成像及精准表征微观结构的特性,在弹性印章制程参数研究中不可替代。光子湾科技的光学轮廓仪,能精准检测弹性印章表面形貌、微观力学性能等关键指标,提供可靠数据,为探究制程参数与转印性能的关联奠定技术基础。
一、实验材料与方法
采用弹性印章范德华力的巨量转印
1. 弹性印章材料制备
本研究选用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为弹性印章的基础材料,通过调整预聚物与固化剂的配比(质量比分别为 5:1、10:1、15:1),在不同固化温度(60℃、80℃、100℃)和固化时间(2h、4h、6h)条件下制备系列弹性印章样品。
2. 实验设备与表征方法
采用旋转涂布机将 PDMS 混合液均匀涂覆在硅基底上,经烘箱固化后脱模获得弹性印章。利用光学轮廓仪对弹性印章的表面粗糙度、微结构尺寸进行表征;通过万能材料试验机测试其弹性模量与硬度;借助高速摄像机记录巨量转印过程,统计转印效率与缺陷率。
3. 巨量转印实验设计
以 4 英寸蓝宝石衬底上生长的 Micro-LED 芯片(尺寸 10μm×10μm)为转印对象,设置不同的印章与芯片接触压力(5kPa、10kPa、15kPa)、接触时间(0.5s、1s、2s)以及剥离速度(50mm/s、100mm/s、200mm/s),开展多组对照实验。
二、光学轮廓仪对弹性印章材料的表征
光学轮廓仪观测光刻胶制成的弹性印章模板形貌
光学轮廓仪观测显示,光刻胶制成的弹性印章模板形貌主要有半椭球形(多数正常显影)、截头圆锥形(蚀刻至硅片基底)等,掩模图案设计宽度越大,显影效果越好。AFM测量 与 DMT 模型拟合表明,弹性模量在 130μm 宽度处最大,在 335K(62℃)和 415K(142℃)时达峰值。PDMS 材料的化学和热稳定性、良好光学透明性、低模量等特性,使其成为弹性印章的理想材料,适当的固化条件可保证印章既具有良好弹性变形能力,又能提供稳定黏附力,减少转印过程中芯片脱落与损伤。
三、转印工艺参数的优化分析
显影工艺参数对弹性印章性能影响显著:相同显影时间下,显影深度随掩模图案设计宽度增加而增加;相同掩模宽度下,显影深度随显影时间增加而增加。显影过程中垂直方向速率(约为水平方向的 1.37 倍)快于水平方向,重力和曝光时的固化作用是主要原因。巨量转印中,剥离速率是控制粘附力的关键:快速剥离利于拾取,慢速利于释放,施加剪切力可提高成功率。
四、弹性印章微观结构与转印效果的关联
光学轮廓仪下弹性印章表面微柱的三维图
光学轮廓仪三维成像分析显示,微柱高宽比是影响转印效果的关键参数:高宽比过高易导致转印过程中微柱塌陷,过低则无法承受转印压力。微柱尺寸精度对转印一致性影响显著:所制造的弹性印章微柱顶面和底面宽度误差可控制在 5% 以内,高度标准偏差较小,且微柱宽度与掩模图案设计宽度的平均偏差相对稳定,基本与尺寸无关。
综上研究,光学轮廓仪对光刻胶制成的弹性印章模板形貌进行了探索,半椭球形占大多数,截头圆锥形是由于光刻胶被蚀刻完碰到硅片基底时而产生的。除这两种形貌外,其他形貌均被视为失败。得出结论:掩模图案设计宽度越大,显影的效果越好。在光学和半导体制造过程中,表面纹理和三维轮廓测量非常重要,就表面结构和粗糙度而言,微观几何形状对器件的功能和耐用性具有重要影响。光子湾科技光学轮廓仪技术将助力 Micro-LED 等新兴显示技术优化与产业化,推动半导体显示行业的技术革新。
光子湾3D光学轮廓仪
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光子湾光学轮廓仪以原位观察与三维成像能力,为Micro-LED巨量转印技术中弹性印章的关键制程参数研究提供表征技术支撑,助力从表面粗糙度与性能分析的精准把控,成为推动新能源领域技术升级的重要光学测量工具。