模电学习 —— 双极晶体管 BJT

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#学习 #程序人生 #笔记

于 2024-11-17 22:09:21 首次发布

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1.2.1 双极晶体管 BJT

结构

掺杂三个区域，三明治结构，形成两个PN结，

发射极(e)：emitter；
- 发射区：发射载流子的区域
- 发射区的掺杂浓度是所有区域当中最高的，才能发射载流子
集电极(c)：collector
- 集电区：收集载流子
- 掺杂浓度不能过高，但是集电区面积得大，相当于仓库
基极(b)：base；
- 基区：控制区
- 掺杂浓度比较低，而且基区非常薄

c模型：箭头方向就是 PN方向，导通电流方向。

电流放大作用

放大：放大不能失真；

现象：基极有一个输入电流进来， $I_{B}$ ，集电极通过的电流， $I_{C}$ ；发现在一定条件下， $I_{C} / I_{B}$ 近似于一个常数，叫 $\beta$ ，即电流放大系数。那么 $I_{C}$ 会随着 $I_{B}$ 变化，假如电流放大系数是100， $I_{B}$ 是10微安， $I_{C}$ 是 1 毫安。主要是有一个控制外部能量放大电流的作用。

基本共射放大电路

共射就是发射端同时参与了两个回路，是公共的极端。

Vcc肯定要比Vb大，发射结是正向导通，把这种情况叫做正向偏置，也就是正偏；那么对应的PN结反向导通，叫做反偏。

在图中，发射结正偏，那么集电结必然是反偏，因为c处是两节电池的电压，N->P不导通。

发射结看左边回路，是正向导通，集电结看整个大回路，一节电池与两节电池抵消一个，正极在上。

放大电流 $I_{C}$ ，是由 $V_{CC}$ 产生的，是控制了 $V_{CC}$ 的能量产生的放大电流。

内部载流子运动

PN结正向偏置，那扩散运动就会恢复，（反之截止，就是漂移运动），此时，发射区大量的自由电子就会向基区扩散，产生电流： $I_{EN}$ ，同时，基区的多子空穴，也会向发射区扩散，产生电流： $I_{EP}$ ；也就是说发射区的电流 $I_{E} = I_{EN} + I_{EP}$ ，然而 $I_{EP}$ 和 $I_{EN}$ 差距是在太大（浓度），直接省略就行。

此时，在基区中，来自发射区扩散的大量的自由电子经过基区向集电结扩散，同时基区中会发生复合。因为基区掺杂浓度低且厚度薄，而且基区的多子是空穴，那么只会有少数的自由电子经过基区时发生复合，而且在复合时，基区会在外电场的作用下重新产生新的自由电子。所以复合的自由电子和通过的自由电子会渐渐近似成比例（扩散速度一定），也就是 $I_{C} / I_{B}$ 会稳定。

$I_{C} / I_{B}$ 比例和扩散速度相关，稳定的扩散速度才会产生稳定的比例。

而扩散速度和浓度梯度相关。来到集电结旁边的自由电子，一定要快速的移走，否则会产生聚集，扩散速度会减慢。集电结是反偏的，也就是说，集电结反偏的时候，会向下产生一个很大的电场；那么自由电子就会被反偏的电场收集到集电区中，保证扩散的浓度梯度的正常，也就保证了 $I_{C} / I_{B}$ 比例稳定。

如果没有集电结的存在， $I_{C}$ 电流会下降，因为产生了堆积， $I_{B}$ 电流就会增加，因为没有集电结将多余自由电子吸走。

（基极是鳄鱼，自由电子是角马，集电极是河岸的青青草原）

穿透电流 $I_{CEO}$

$I_{CEO}$ ，在基极开漏的时候，C和E之间的电流。

反向电流 $I_{CBO}$

$I_{CBO}$ ，因为集电结的反偏，产生了漂移运动，产生了电流，相当于是反偏饱和电流。

放大系数

共射的电流放大系数：

直流 $\beta = \frac{I_{CN}}{I_{BN}} = \frac{I_{C} - I_{CBO}}{I_{B} + I_{CBO}} \approx \frac{I_{C}}{I_{B}}$

交流 $\Delta \beta = \frac{\Delta I_{C}}{\Delta I_{B}}$

在数值上几乎一样，就按一个 $\beta$ 看就行。

在 $I_{B} = 0$ 的时候，依然会有一个穿透电流 $I_{CEO}$

共基的放大系数

$\alpha = \frac{I_{C}}{I_{E}} = \frac{\beta}{1 + \beta}$

交流上也是近似。

记忆：共基和基无关，共射和射无关

BJT 共射特性曲线

基极到发射极：输入回路

集电极到发射极：输出回路

1、输入特性

$i_{B} = f(U_{BE})|_{U_{CE} = const}$

曲线族：

$U_{CE}$ 越大，越往右移动：

$U_{CE}$ 增大，集电结反偏增大，集电结耗尽层加宽，基区有效宽度变小，复合电子的能力下降，因此 $i_{B}$ 下降，曲线右移。反之同理。

当 $U_{CE} >= 1V$ 后，几乎就不变、重合了：

因为集电结的电场已经足够大到能把扩散到基区的自由电子吸过去，所以再增大也不会怎么改变了。
因为集电区收集载流子的能力到头了，你再加，也不会增加，所以，你们懂得!
大于1V基本不变是因为此时集电结反偏电压已经将大部分电子捕获，对基区的电流 $i_{B}$ 基本忽略不计（影响很小）
因为河对岸已经羊满为患了。

2、输出特性

$i_{C} = f(U_{CE})|_{I_{B} = const}$

输出可以看成是， $i_{C}$ 和 $U_{CE}$ 之间的关系。

导通条件：发射结正偏，集电结反偏。

单条曲线： $U_{CE}$ 越大越反偏，（从上面的输入特性归纳中得知：当 $U_{CE}$ >= 1V后，几乎就不变、重合了 ），也就是说，当 $i_{B}$ 不变， $U_{CE}$ 大于一定值后， $i_{C}$ 就会稳定了。

三个区域

放大区： $\beta = \frac{I_{CN}}{I_{BN}} = \frac{I_{C} - I_{CBO}}{I_{B} + I_{CBO}} \approx \frac{I_{C}}{I_{B}}$ ， $I_{B}$ 和 $I_{C}$ 成比例，发射结正偏，集电结反偏。

截止区 ： $I_{B} = 0$ ，双节反偏（发射结反偏就是源泉关了），相当于c、e断路，基极不导通，在基极开漏的时候，C和E之间的穿透电流， $I_{CEO}$ ，还存在。

饱和区：

$\beta * I_{B} > I_{Cmax}$ ， $I_{B}$ 和 $I_{C}$ 不成比例，双节正偏，饱和电压： $U_{CES}$ （ $U_{CE}$ 能达到的最小的值，硅管0.1，锗管大约0.3V），相当于c、e是开关闭合，此时BJT的相当于就是导通的，看成是 $R_{C}$ 的导线。
$I_{Cmax}$ ：
- 光分析外电路：
  - 当输入 $i_{B}$ 不断加大（发射结不烧坏）， $i_{C}$ 会因为集电区的收集而不断增大并稳定，其值 $\frac{V_{CC}-U_{CE}}{R_{C}}$ 不会超过 $\frac{V_{CC}}{R_{C}}$ （忽略BJT算出的外电路最大电流），
  - 也可知晓， $i_{C}$ 不断增大， $U_{CE}$ 会不断减小，并达到饱和电流 -> $I_{Cmax}$
- 再回头看内电路，饱和就是：双节正偏，集电区收集电子的功能失效，内部电子处于一个自由扩散的状态， $i_{B}$ 就无法控制 $i_{C}$ 了（ $i_{B}$ 就只和 $U_{BE}$ 电压相关），外电路电压决定通过的电流。
- 从载流子运动的角度看，在饱和区，集电区向基区注入载流子，基区中的复合过程增强。
- 也就是说，想处于放大电路下， $U_{CE}$ 要是一个比较大的值，才能集电结反偏，不断的收集电子（有收集电子的能力）。
而如果 $U_{CE}$ 非常小，小到处于集电结正偏，此时发射结就是是正偏。
可得出：
- 截止区和饱和区是可以来回跳转的。截止：基极无电压；饱和：基极电压大到双节正偏。做到一个电子开关的作用。
- 低电平ce断开，高电平ce饱和。可以通过控制继电器以控制更大功率的电路。