模电学习——场效应管（FET）

安庆平.Я

已于 2024-11-26 08:25:34 修改

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分类专栏：模电基础文章标签：学习程序人生单片机嵌入式硬件物联网 mcu

于 2024-11-24 23:56:29 首次发布

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控制上，FET通过电场控制，几乎没电流。而BJT需要付出一部分电流功率。
FET输入电阻非常高
FET只有多子参与导电，受温度影响小。BJT是双极性器件，有少子参与，受温度影响大。（查看PN结）

1.4.1 结型场效应管

……

1.4.2 绝缘栅型场效应管

1962年，比BJT晚了10年。别名金属氧化物半导体场效应晶体管，MOS FET，在此基础上 -> CMOS。栅极型：栅极和谁都绝缘。

N沟道增强型 MOS管

g：栅极

s：源极

d：漏极

箭头方向：P -> N。N沟道型：衬底指向N沟道；P沟道型：P沟道指向衬底。也可以记忆电子流动方向。

工作原理

出厂的时候，会把源极s 和衬底B 链接在一起，一旦衬底是单独的没连（四个极），那么d.s可互换。

按步分析：

先不给漏极施加电压， $U_{ds} = 0$
给栅极施加电压， $U_{gs} > 0$
P区的自由电子会被 $U_{gs}$ 吸引，ds两极之间形成沟道，沟道中自由电子是多子，所以是N沟道。此时，因为接入电路的是两个 N极，所以形成的沟道就相当于是联通了电路的一个电阻，栅极只是一个控制开关，看符号时不要把箭头看成电流方向了。
1. 外部背对背MOSFET的反向电流阻断
沟道越宽，ds两极之间的电阻越小，反之越大。-> 用电压控制的可变电阻器 $U_{gs} \Leftrightarrow R_{ds}$ 。补充：只要不进入预夹断。
$U_{gs(th)}$ ：gs开启电压（threshold）。当 $U_{gs} > U_{gs(th)}$ 时，沟道开始形成。也就是增强型的由来。
当保持 $U_{gs} > U_{gs(th)}$ 时，控制 $U_{ds} > 0$ 且其值不断上升时：
- a) $U_{ds}$ 不断增加， $U_{gs}- U_{ds}$ 减小，d边沟道宽度越来越小
- b) 预夹断
  - 此时： $U_{gs}- U_{ds} = U_{gs(th)}$
  - 不会真夹断，会有很小的缝隙。如果真断了，没有电流了，也就是没有压降了，空隙会自动打开。MOSFET处于一个自动平衡的状态
- c) 预夹断之后再加大 $U_{ds}$ ，缝隙会变长，那么 $R_{ds}$ 阻值越大。
  - 此时， $i_{d}$ 几乎不变了 -> 恒流区。沟长调制效应。增加的电压都去抵抗增加的电阻。
  - 如果gs施加另一个更大的电压 $U_{gs2}$ ，图线会上移，因为U_{gs} 越大，沟道越宽， $R_{ds}$ 阻值越小，也就是此图斜率就更大。
  - 也就是说，进入恒流区后 $i_{d}$ 只和 $U_{gs}$ 相关.
- 恒流特性：
  - 当 $U_{gs}- U_{ds} = U_{gs(th)}$ 预夹断之后，进入恒流区，栅极和源极之间的电压能够控制 $i_{d}$ 的电流，也就是成比例（只在恒流区），也就是场效应管的放大
  - 增强型：一定得有 $U_{gs} > U_{gs(th)}$ 这么一个增强过程才能导通。
    - 结型：天生导通