SI3434DV-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
SI3434DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET，具有30V的额定电压和6A的额定电流。在10V的门极电压下，其导通电阻为30mΩ。该器件采用SOT23-6封装，适用于各种低功率电路应用。

**详细参数说明：**
- 通道类型：N-Channel沟道
- 额定电压（VDS）：30V
- 额定电流（ID）：6A
- 导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
- 门极电压（VGS）：20V
- 门极阈值电压（Vth）：1.2V
- 封装类型：SOT23-6

**适用领域和模块：**
1. **电源管理模块**：SI3434DV-T1-GE3-VB可用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC变换器等电路中，实现高效的功率转换和电源管理功能，例如便携式设备的电池管理电路。

2. **马达控制**：在小型直流马达驱动器电路中，可用于电机控制模块，控制电机的启停、转速和方向，例如无人机中的电机驱动器控制电路。

3. **LED照明**：适用于LED照明产品中的LED驱动器模块，用于LED灯的亮度调节和功率控制，提供高效能耗管理和光照控制功能，例如室内照明灯具的LED驱动器电路。

4. **电池保护模块**：在电池管理系统中，可用于电池保护模块中的电路，实现对电池充放电过程的监测和保护，确保电池的安全运行，例如便携式电子设备的电池保护模块。

综上所述，SI3434DV-T1-GE3-VB适用于电源管理模块、马达控制、LED照明和电池保护模块等领域的低功率应用，为这些领域的电子产品提供稳定、高效的功率管理和控制功能。