SQ3456BEV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

**VBsemi N-Channel MOSFET SQ3456BEV-T1-GE3-VB**

- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - N—Channel沟道
  - 额定电压：30V
  - 额定电流：6A
  - 导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
  - 阈值电压（Vth）：1.2V
- **封装：** SOT23-6

**产品简介：**

SQ3456BEV-T1-GE3-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道的MOSFET。它具有低导通电阻、低阈值电压和高性能，适用于各种低功率应用。

**详细参数说明：**

1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为30V，适用于低电压电路设计。

2. **额定电流（ID）：** 具有6A的额定电流，适用于小功率电路和开关应用。

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为30mΩ，这有助于降低功率损耗，提高效率。

4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.2V，使得器件易于控制和驱动。

**适用领域和模块举例：**

1. **电池管理系统：** 用于移动设备和便携式电子产品中的电池管理系统。

2. **LED驱动：** 可用作LED照明中的驱动器件，例如LED灯带控制器和LED灯泡驱动器。

3. **电源管理：** 适用于小功率电源中的开关电源和DC-DC转换器等应用。

SQ3456BEV-T1-GE3-VB的低电阻和低阈值电压特性使其在各种低功率应用中具有广泛的应用前景。