SQD25N06-22L-GE3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

**VBsemi N-Channel MOSFET SQD25N06-22L-GE3-VB**

- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - N—Channel沟道
  - 额定电压：60V
  - 额定电流：45A
  - 导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=10V
  - 阈值电压（Vth）：1.8V
- **封装：** TO252

**产品简介：**

SQD25N06-22L-GE3-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道的功率MOSFET。它具有高电压、高电流和低导通电阻的特点，适用于各种功率控制和开关应用。

**详细参数说明：**

1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为60V，适用于中等功率电路设计。

2. **额定电流（ID）：** 具有45A的额定电流，适用于需要大电流承载能力的应用。

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为24mΩ，这有助于降低功率损耗，提高效率。

4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.8V，使得器件易于控制和驱动。

**适用领域和模块举例：**

1. **电源逆变器：** 用于电动汽车、UPS系统和太阳能逆变器等高功率电源逆变应用中。

2. **电机驱动器：** 可用于电动工具、电动车辆和工业机械等电机驱动器中。

3. **电源开关：** 适用于开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正电路等功率控制模块中。

SQD25N06-22L-GE3-VB的高电压和高电流特性，以及低导通电阻，使其在各种功率应用中具有广泛的应用前景。