弱内存模型和强内存模型架构(Weak/Strong Memory Model)

弱内存模型和强内存模型架构(Weak/Strong Memory Model)

**强/弱内存模型(Strong/Weak Memory Model)**是一个非常核心的计算机体系结构概念，尤其对编写底层并发代码（如操作系统、驱动、无锁数据结构）至关重要。

核心摘要

这两种模型定义了处理器为了提升性能而对内存操作（读/写）进行重排序的自由度。

• 强内存模型：规则严格。处理器保证指令执行的顺序与程序代码编写的顺序高度一致。重排序较少，对程序员更友好。
• 弱内存模型：规则宽松。处理器为了性能，会广泛地重排内存操作的顺序。程序的最终结果正确性需要程序员通过内存屏障来显式地保证。

你可以把它想象成交通规则：

• 强模型：像严格的交警，要求车辆几乎必须按道行驶，顺序前进。
• 弱模型：像繁忙的交叉路口，车辆可以见缝插针地行驶，但需要司机自己（程序员）设置红绿灯（内存屏障）来避免事故。

1. 强内存模型

核心特征：处理器保证，对于任何一个CPU核心来说，它自己对内存的操作顺序，与其他CPU核心观察到的这个顺序是高度一致的。

代表架构：经典的 x86 和 x86-64 架构是（相对）强内存模型的代表。SPARC 的 TSO (Total Store Order) 模式也是强模型。

它做了什么保证？
在 x86 上，只有一种重排序是被允许的：

1. StoreLoad 重排：一个写操作之后的一个读操作可能会被重排到写操作之前。
   • 代码顺序：Write A -> Read B
   • 可能的重排：Read B -> Write A

它保证了不会发生什么？（这对程序员非常重要）

1. 不会发生 StoreStore 重排：两个写操作 Write A -> Write B，其他核心保证会先看到 A 被更新，然后才看到 B 被更新。
2. 不会发生 LoadLoad 重排：两个读操作 Read A -> Read B，处理器保证不会先读 B 再读 A（尽管它可能会预读，但顺序不会乱）。
3. 不会发生 LoadStore 重排：一个读操作之后的一个写操作 Read A -> Write B，顺序不会乱。

对程序员的意义：
在 x86 上编写多线程程序相对更“省心”一些。例如，在一个线程中按照 A = 1; B = 2; 的顺序写入数据，另一个线程看到 B 变成 2 时，一定也能看到 A 已经变成了 1。这是因为 StoreStore 重排被禁止了。

2. 弱内存模型

核心特征：处理器为了极致性能，几乎允许任何形式的内存操作重排序（StoreStore, LoadLoad, LoadStore, StoreLoad），除非程序员显式地使用内存屏障来禁止。

代表架构：ARM (包括 ARM64/AArch64)、PowerPC、RISC-V 和 MIPS 都是弱内存模型（通常称为 Relaxed Memory Model）。

它几乎什么都可能发生：
处理器和编译器可以自由地重新排列指令顺序，只要在单线程上下文中最终结果正确。这意味着：

• Write A -> Write B 可能被重排为 Write B -> Write A。
• Read A -> Read B 可能被重排为 Read B -> Read A。
• Read A -&g