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RSS订阅原创 芯片制造：流片（Tapeout）流程详解
芯片流片是设计到量产的核心环节，涉及多阶段协作与严格工艺控制。流程包括：架构设计、RTL开发、物理设计、掩模制作、晶圆制造和封装测试，周期6个月至2年，成本达数百万到数亿美元。关键岗位包括系统架构师、数字设计工程师、物理设计工程师等，需掌握Verilog、时序分析等专业技能。主要挑战在于时序收敛、良率提升和成本控制，不同制程（如7nm/5nm）面临FinFET、EUV光刻等技术难点。行业正向Chiplet异构集成发展以降低流片风险。成功流片依赖严谨验证、稳定工艺和高效跨团队协作。
2025-08-01 10:04:09
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原创 集成电路版图设计中重要信号线的处理
在集成电路版图设计中，某些信号线对噪声、干扰或工艺波动极为敏感，需特殊保护以确保电路性能。：易受噪声干扰，导致信噪比（SNR）下降或失调电压（Offset）增大。：信号完整性（SI）要求高，反射、串扰会导致时序错误。：模拟小信号、高频时钟、弱电流路径、关键电源/地。差分对（如P/N信号）严格对称走线，等长、等距。敏感信号线与噪声源（如数字开关信号、功率线）保持。—— 屏蔽要严、间距要宽、路径要短、对称要准！：屏蔽、差分走线、间距隔离、滤波。：噪声耦合、工艺变异、信号完整性。
2025-06-16 18:02:39
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原创 芯片制造中大线宽工艺和小线宽工艺的区别
小线宽工艺的工作电压可降至0.8V甚至更低（大线宽通常1.8V~5V），功耗大幅下降。：小线宽工艺不断逼近物理极限，而大线宽仍是“老将不死”的实用选择。：≥0.18μm（180nm）的工艺，如180nm、350nm。：指芯片制造中晶体管的最小特征尺寸（如28nm、180nm）。小线宽：需EUV光刻（波长13.5nm），设备成本极高。：＜0.18μm的工艺，如28nm、7nm、5nm。：要低成本、高可靠性、大功率（如家电、工业控制）。：要高性能、低功耗、高集成度（如手机、AI芯片）。等，大线宽基本无视。
2025-06-11 22:40:43
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原创 半导体的掺杂与电阻率详解
通过调控掺杂，半导体电阻率可从绝缘体级（本征）跨越到导体级（重掺杂），这是半导体器件设计的核心基础！增加，但n增长放缓，且μ显著下降，导致电阻率下降趋势变缓，甚至可能略微回升。低掺杂时电阻率与掺杂浓度成反比，高掺杂时迁移率下降成为限制因素。电阻率可通过掺杂精确调控，N型/P型分别以电子/空穴主导导电。（杂质散射增强，迁移率下降）。（晶格散射主导，迁移率较高）。（部分杂质未电离，）。），反映载流子运动速度。（因载流子浓度大幅提升）（杂质完全电离）。
2025-05-24 00:12:56
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原创 详解芯片制造中的天线效应
在深亚微米CMOS工艺中，天线效应是一个重要的可靠性问题。它发生在芯片制造过程中，当暴露的金属或多晶硅导体在等离子刻蚀时收集电荷，导致电位升高，可能击穿MOS管的栅氧化层，造成不可逆的损伤。天线效应的严重性与导体的暴露面积成正比。为了消除这一效应，常用的方法包括跳线法（特别是向上跳线法）、添加反偏二极管和插入缓冲器。这些方法通过改变布线层次、提供电荷泄放路径或切断长线来保护栅氧化层。其中，向上跳线法因其在高层金属尚未制造时阻断电荷传递路径而被优先采用。在保证芯片性能和面积的同时，有效降低了天线效应的风险。
2025-05-22 00:17:27
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原创 版图设计工程师面试题整理（一）
本征半导体指材料中不含有任何杂质，纯净的、未掺杂的半导体。本征半导体的电阻率最高，因为其载流子浓度仅由热激发产生（电子和空穴数量相等，但总量很低）。P型或N型半导体电阻率较低，因为掺杂引入了大量受主杂质（P型）或施主杂质（N型），显著增加了空穴或电子的浓度。(1) 短沟道效应：MOS管的沟道（L）太短时，栅极会控制不住电流流出。（类似于水龙头太短控制不了水流）(2) 体效应：当MOS管的衬底（B）和源极（S）电压不同时（VBS≠0），阈值电压（Vth）会发生变化。
2025-05-19 12:09:12
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原创 集成电路制造中CD Layer和Mask Layer的关系
Mask Layer 是实际用于制造光刻掩模（Photomask）的图形层，每一层掩模对应一道光刻工艺步骤（如Active、Poly、Metal等）。CD Layer 的数据会被转换为 Mask Layer 的图形，但 Mask Layer 可能包含更多信息（如辅助图形、OPC修正结构）。：CD Layer 的规则会直接影响 Mask Layer 的图形生成，但 Mask Layer 的复杂性远高于原始设计（因包含工艺补偿）。：在掩模上添加修正图形（如锯齿边、亚分辨率辅助特征），补偿光刻中的衍射效应。
2025-05-18 21:49:02
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空空如也
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