电池充电曲线简介

hqlgch_again

于 2025-07-16 17:29:02 发布

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文章标签：驱动开发

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一、充电曲线是什么？

想象一下给电池充电不是一股脑猛灌电流，而是像精密的灌溉系统。充电曲线 就是描述这个“灌溉”过程的蓝图。它用图形或数据表格定义了 电池充电电压、充电电流随时间（或电池电量/SOC）变化的轨迹。

一个典型的锂电池充电曲线（如CC-CV）包含几个关键阶段：

涓流预充： 电池深度放电后（电压过低），用小电流“唤醒”，防止损伤。
恒流充电： 电池达到安全电压后，以允许的最大恒定电流快速充入大部分电量（效率最高阶段）。
恒压充电： 电压达到上限，电流逐渐减小，避免过压，确保电池充满。
满电截止/涓流维护： 电流降至极小值或完全停止，防止过充，可能用微小电流补偿自放电。

二、为什么要有充电曲线？（核心原因）

安全第一（绝对核心！）：
- 防止过充： 超过上限电压会导致电解质分解、产气（鼓包）、甚至热失控（起火爆炸）。恒压阶段严格控制电压。
- 防止过放后损伤： 深度放电的电池直接大电流充电易损坏，涓流预充保护电池。
- 温度控制： 大电流充电产生热量。曲线设计需考虑温升，并在高温时限制电流或暂停充电（依赖PMIC和温度传感器）。
- 防止析锂： 过高的充电电流或低温充电会导致锂离子在负极表面堆积形成金属锂枝晶，刺穿隔膜引发短路。合理的电流限制和低温保护至关重要。
延长电池寿命：
- 减少应力： 长期处于过高电压（满电状态）或深度放电状态会加速电池老化。曲线控制充满即停，并避免深度放电。
- 优化充电策略： “浅充浅放”比“深充深放”更利于寿命。一些曲线会故意不充到100%或在用户不急需时慢充（如夜间充电优化）。
- 温度管理： 高温是电池老化的头号杀手。曲线设计需限制高温下的充电速率。
平衡充电速度与发热：
- 用户期望快充，但快充（大电流）必然带来更多发热。曲线需要在 速度、温升、电池承受能力 之间找到最佳平衡点。快充协议（如PD， QC， VOOC）本质上就是协商出更高功率的充电曲线片段。
适应电池特性：
- 不同化学体系（Li-ion， Li-Po）、不同厂家、不同容量、不同老化程度的电池，其最佳充电电压、最大允许电流都不同。充电曲线需要适配具体的电池规格。
系统稳定性：
- 不合理的充电可能导致系统电压波动，影响其他敏感电路（如射频、摄像头）。稳定的充电曲线有利于整机供电。

三、如何设计充电曲线？

设计充电曲线是硬件（电池、充电IC）、系统（PMIC、Fuel Gauge）和软件（驱动、框架、策略）的协同工作。驱动工程师主要关注实现和控制：

深入理解硬件基础：
- 电池规格书： 获取电池的 绝对最大充电电压、推荐充电电压、最大充电电流、温度限制范围、涓流预充阈值/电流 等关键参数。这是曲线设计的物理边界！
- 充电IC规格书： 了解PMIC或独立充电芯片支持的 充电模式（CC/CV/Pre-charge/Termination）、寄存器配置（设定电压、电流、使能/禁止、状态读取）、ADC精度、温度检测输入 等。
- 温度传感器： 理解温度采样位置（电池NTC？PCB NTC？）、精度、与PMIC/主控的连接方式（ADC？ Thermal Zone？）。
定义曲线参数与策略：
- 关键阈值设定：
  - V_prechg_threshold：启动涓流预充的电池电压阈值。
  - I_prechg：涓流预充电流值。
  - V_float / V_cv：恒压阶段的电压设定值（通常略低于电池最大允许电压）。
  - I_cc：恒流阶段的电流设定值（受限于电池、充电IC、线缆、适配器能力）。快充协议协商后此值会动态提高。
  - I_term：充电终止电流阈值（当电流小于此值，认为充满）。
  - T_cold / T_cool / T_warm / T_hot：不同温度范围的边界定义。
- 温度补偿策略：
  - 低温： 在 T_cold 以下禁止充电或使用极小的 I_prechg；在 T_cool 区间，降低 I_cc（甚至可能跳过CC直接进入小电流CV）。
  - 高温： 在 T_warm 区间开始线性或阶梯式降低 I_cc；在 T_hot 达到时停止充电或进入极小电流维护模式。V_cv 也可能随温度微调（通常是降低）。
- 快充协议集成：
  - 实现协议栈（如PD Sink， QC Client），与适配器协商电压(V_cv)和电流(I_cc)。
  - 驱动层需提供设置电压/电流的接口 给协议层调用（如通过PMIC寄存器或专用charger IC的I2C命令）。
- 充电状态管理：
  - 实现状态机（Pre-charge -> CC -> CV -> Termination/Full -> Maintenance/Recharge）。
  - 根据电压、电流、温度、时间等条件进行状态转换。
Android驱动层实现（关键工作）：
- 与PMIC/Charger IC交互：
  - 编写或配置驱动，通过 I2C/SPI/SMBus 读写充电IC寄存器。
  - 设置： 使能/禁止充电、设定充电电压(V_cv)、设定充电电流限制(I_cc， I_prechg)、设置终止电流(I_term)、使能/配置温度监控。
  - 读取： 获取充电状态（CC/CV/Pre-charge/Done/Fault）、输入电压/电流、电池电压/电流、芯片温度、故障标志等。
- 与Fuel Gauge（电量计）交互：
  - 获取更精确的电池电压、电流、温度（如果电量计有独立传感器）、SOC、健康状态。电池温度通常优先采用电量计或电池包内NTC的值。
- 与内核Thermal框架集成：
  - 注册为冷却设备，接收thermal core发来的温控请求（限制充电电流）。
  - 将读取到的充电相关温度（电池温度、充电IC温度）上报给thermal core。
- 实现sysfs接口或Netlink：
  - 提供用户空间（如Health HAL， BatteryService）查询充电状态、限制信息、设置某些策略（如禁止快充）的接口。
- 处理中断与故障：
  - 处理充电IC的中断：充电完成、温度告警、输入过压/欠压、电池过压、看门狗超时等。
  - 根据故障类型采取安全措施：停止充电、降低电流、重置IC、上报错误日志和状态。
与Android Framework协作：
- Health HAL： 驱动层通过内核接口（如power_supply子系统）向Health HAL提供实时充电状态、电流、电压、温度、健康信息等。HAL汇总后上报给BatteryService。
- BatteryService： 接收HAL数据，广播系统状态，影响UI显示（如“正在快充”、“因温度暂停充电”）、系统行为（如降低亮度、性能）。
- Thermal Service： 接收thermal core的温控事件，可能通过HAL或直接要求驱动层限制充电电流。
测试与验证（至关重要！）：
- 仪器验证： 使用电源、电子负载、示波器、温度记录仪精确测量实际电压、电流、温度曲线，确保与设计预期一致。验证不同温度、不同适配器、不同电量下的行为。
- 安全边界测试： 测试过压、过流、短路、高温、低温等极端和故障条件下的保护机制是否可靠触发。
- 老化测试： 长期循环充放电，评估电池容量衰减是否符合预期。
- 系统稳定性测试： 在充电过程中进行高负载操作（游戏、录像、导航），确保系统供电稳定，无重启、宕机。
- 快充协议兼容性测试： 与多种协议适配器测试握手成功率和功率。