电子技术——DC偏移
因为差分放大器是直接耦合的并且对于DC有着有限的增益,因此本节我们讨论差分放大器在DC相关方面的问题。
MOS差分放大器的输入偏移电压
考虑下面的电路,我们将MOS差分放大器的输入端都置地:
此时假如电路完全对称,那么 VOV_OVO 本应该等于零,但是由于实际电路中的非理想因素存在,若电路不完全对称,那么即使输入两端均置地 VOV_OVO 也不为零。我们称此时的 VOV_OVO 为 输出DC偏移电压 。进一步我们将其除以差分增益 AdA_dAd 我们称其为 输入偏移电压 :
VOS=VO/Ad V_{OS} = V_O / A_d VOS=VO/Ad
若我们在输入端应用差分电压 −VOS-V_{OS}−VOS 那么 VOV_OVO 就会减小到零,如图:
这对于偏移电压给了我们一个直观的感受。应该注意,因为偏移电压是电路不匹配造成的,因此极性无法提前预知。
总共有三个因数造成了DC偏移:负载电阻不匹配, W/LW/LW/L 不匹配,以及 VtV_tVt 不匹配。
首先我们考虑 Q1Q_1Q1 和 Q2Q_2Q2 完全匹配,但是负载电阻不匹配的情况,也就是:
RD1=RD+ΔRD2 R_{D1} = R_D + \frac{\Delta R_D}{2} RD1=RD+2ΔRD
RD2=RD−ΔRD2 R_{D2} = R_D - \frac{\Delta R_D}{2} RD2=RD−2ΔRD
因此输出电压为:
VD1=VDD−I2(RD+ΔRD2) V_{D1} = V_{DD} - \frac{I}{2}(R_D + \frac{\Delta R_D}{2}) VD1=VDD−2I(RD+2ΔRD)
VD2=VDD−I2(RD−ΔRD2) V_{D2} = V_{DD} - \frac{I}{2}(R_D - \frac{\Delta R_D}{2}) VD2=VDD−2I(RD−2ΔRD)
因此差分电压为:
VO=VD2−VD1=I2ΔRD V_O = V_{D2} - V_{D1} = \frac{I}{2} \Delta R_D VO=VD2−VD1=2IΔRD
通过除以 Ad=gmRDA_d = g_mR_DAd=gmRD 得到:
VOS=VOV2ΔRDRD V_{OS} = \frac{V_{OV}}{2} \frac{\Delta R_D}{R_D} VOS=2VOVRDΔRD
接下来,考虑 W/LW/LW/L 不匹配的情况:
(WL)1=WL+12Δ(WL) (\frac{W}{L})_1 = \frac{W}{L} + \frac{1}{2} \Delta(\frac{W}{L}) (LW)1=LW+21Δ(LW)
(WL)2=WL−12Δ(WL) (\frac{W}{L})_2 = \frac{W}{L} - \frac{1}{2} \Delta(\frac{W}{L}) (LW)2=LW−21Δ(LW)
因为 VGS1=VGS2V_{GS1} = V_{GS2}VGS1=VGS2 所以两个漏极电流之比等于 W/LW/LW/L 之比,并且总和仍为 III 解得:
I1=I2[1+Δ(WL)2(WL)] I_1 = \frac{I}{2}[1 + \frac{\Delta(\frac{W}{L})}{2(\frac{W}{L})}] I1=2I[1+2(LW)Δ(LW)]
I2=I2[1−Δ(WL)2(WL)] I_2 = \frac{I}{2}[1 - \frac{\Delta(\frac{W}{L})}{2(\frac{W}{L})}] I2=2I[1−2(LW)Δ(LW)]
则输出电压为:
VO=I2Δ(WL)(WL)RD V_O = \frac{I}{2}\frac{\Delta(\frac{W}{L})}{(\frac{W}{L})} R_D VO=2I(LW)Δ(LW)RD
除以 AdA_dAd 得到:
VOS=(VOV2)(Δ(W/L)(W/L)) V_{OS} = (\frac{V_{OV}}{2})(\frac{\Delta (W/L)}{(W/L)}) VOS=(2VOV)((W/L)Δ(W/L))
最后我们考虑 VtV_tVt 不匹配的情况,即:
Vt1=Vt+ΔVt2 V_{t1} = V_t + \frac{\Delta V_t}{2} Vt1=Vt+2ΔVt
Vt2=Vt−ΔVt2 V_{t2} = V_t - \frac{\Delta V_t}{2} Vt2=Vt−2ΔVt
这给出电流:
I1=12kn′WL(VGS−Vt−ΔVt2)2=12kn′WL(VGS−Vt)2(1−ΔVt2(VGS−Vt))2 I_1 = \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t - \frac{\Delta V_t}{2})^2 = \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t)^2(1-\frac{\Delta V_t}{2(V_{GS} - V_t)})^2 I1=21kn′LW(VGS−Vt−2ΔVt)2=21kn′LW(VGS−Vt)2(1−2(VGS−Vt)ΔVt)2
假设 ΔVt≪2(VGS−Vt)\Delta V_t \ll 2(V_{GS} - V_t)ΔVt≪2(VGS−Vt) 则:
I1≃12kn′WL(VGS−Vt)2(1−ΔVtVGS−Vt) I_1 \simeq \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t)^2(1-\frac{\Delta V_t}{V_{GS} - V_t}) I1≃21kn′LW(VGS−Vt)2(1−VGS−VtΔVt)
I2≃12kn′WL(VGS−Vt)2(1+ΔVtVGS−Vt) I_2 \simeq \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t)^2(1+\frac{\Delta V_t}{V_{GS} - V_t}) I2≃21kn′LW(VGS−Vt)2(1+VGS−VtΔVt)
因为 VtV_tVt 的变化不会引起 VGSV_{GS}VGS 的变化,所以:
12kn′WL(VGS−Vt)2=I2 \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t)^2 = \frac{I}{2} 21kn′LW(VGS−Vt)2=2I
则电流差为:
VO=IΔVtVOVRD V_O = \frac{I \Delta V_t}{V_{OV}} R_D VO=VOVIΔVtRD
则除以 gmRDg_m R_DgmRD 为:
VOS=ΔVt V_{OS} = \Delta V_t VOS=ΔVt
最终,我们发现三个因素是不相关因素,因此存在一个简单的模型来综合这三个因素的影响:
VOS=(VOV2ΔRDRD)2+[(VOV2)(Δ(W/L)(W/L))]2+(ΔVt)2 V_{OS} = \sqrt{(\frac{V_{OV}}{2} \frac{\Delta R_D}{R_D})^2 + [(\frac{V_{OV}}{2})(\frac{\Delta (W/L)}{(W/L)})]^2 + (\Delta V_t)^2} VOS=(2VOVRDΔRD)2+[(2VOV)((W/L)Δ(W/L))]2+(ΔVt)2
BJT差分放大器的输入偏移电压
同样的BJT差分放大器也存在输入偏移电压,这是由:负载电阻不匹配,截面积不匹配, β\betaβ 不匹配和其他BJT不匹配因素造成的。
首先考虑负载电阻不匹配:
RC1=RC+ΔRC2 R_{C1} = R_C + \frac{\Delta R_C}{2} RC1=RC+2ΔRC
RC2=RC−ΔRC2 R_{C2} = R_C - \frac{\Delta R_C}{2} RC2=RC−2ΔRC
假设BJT完全匹配,则输出电压为:
VC1=VCC−(αI2)(RC+ΔRC2) V_{C1} = V_{CC} - (\frac{\alpha I}{2})(R_C + \frac{\Delta R_C}{2}) VC1=VCC−(2αI)(RC+2ΔRC)
VC2=VCC−(αI2)(RC−ΔRC2) V_{C2} = V_{CC} - (\frac{\alpha I}{2})(R_C - \frac{\Delta R_C}{2}) VC2=VCC−(2αI)(RC−2ΔRC)
则输出电压为:
VO=VC2−VC1=α(I2)(ΔRC) V_O = V_{C2} - V_{C1} = \alpha (\frac{I}{2})(\Delta R_C) VO=VC2−VC1=α(2I)(ΔRC)
增益为:
Ad=gmRC=αI/2VTRC A_d = g_mR_C = \frac{\alpha I/2}{V_T} R_C Ad=gmRC=VTαI/2RC
则输入电压偏移为:
∣VOS∣=VTΔRCRC |V_{OS}| = V_T \frac{\Delta R_C}{R_C} ∣VOS∣=VTRCΔRC
需要注意的一点是 VTV_TVT 要小于 VOV/2V_{OV}/2VOV/2 ,说明在同等的情况下,BJT的DC偏移要比MOS的DC偏移小。
接下来我们考虑 Q1Q_1Q1 和 Q2Q_2Q2 不匹配。特别的,我们假设BJT的截面积不相同,这给出缩放电流 ISI_SIS 不相同:
IS1=IS+ΔIS2 I_{S1} = I_S + \frac{\Delta I_S}{2} IS1=IS+2ΔIS
IS2=IS−ΔIS2 I_{S2} = I_S - \frac{\Delta I_S}{2} IS2=IS−2ΔIS
注意到 VBE1=VBE2V_{BE1} = V_{BE2}VBE1=VBE2 所以发射极电流只和 ISI_SIS 成正比,并且保存和为 III 解得:
IE1=I2(1+ΔIS2IS) I_{E1} = \frac{I}{2}(1 + \frac{\Delta I_S}{2 I_S}) IE1=2I(1+2ISΔIS)
IE2=I2(1−ΔIS2IS) I_{E2} = \frac{I}{2}(1 - \frac{\Delta I_S}{2 I_S}) IE2=2I(1−2ISΔIS)
则输出电压为:
VO=α(I2)(ΔISIS)RC V_O = \alpha (\frac{I}{2})(\frac{\Delta I_S}{I_S}) R_C VO=α(2I)(ISΔIS)RC
对应的输入偏移为:
∣VOS∣=VT(ΔISIS) |V_{OS}| = V_T(\frac{\Delta I_S}{I_S}) ∣VOS∣=VT(ISΔIS)
再一次我们注意到,BJT不想MOS正比于 VOVV_{OV}VOV 而是正比于 VTV_TVT ,说明在同等的情况下,BJT的DC偏移要比MOS的DC偏移小。
因为两个因素不相同,所以存在一个估算模型:
VOS=(VT(ΔISIS))2+(VTΔRCRC)2 V_{OS} = \sqrt{(V_T(\frac{\Delta I_S}{I_S}))^2 + (V_T \frac{\Delta R_C}{R_C})^2} VOS=(VT(ISΔIS))2+(VTRCΔRC)2
我们只推算这两种情况,实际上BJT还受 β\betaβ 和 ror_oro 的影响。无论是MOS还是BJT都存在DC偏移电压,因此在电路设计师通常设计 偏移归零 电路,使得当输入相等电压的时候,输出总为零。
BJT差分放大器的输入偏置和偏移电流
由于BJT存在有限的基极电流,当BJT完美匹配的时候,此时基极电流相等:
IB1=IB2=I/2β+1 I_{B1} = I_{B2} = \frac{I/2}{\beta + 1} IB1=IB2=β+1I/2
这称为BJT差分放大器的 输入偏置电流 。
当BJT不完美匹配的时候,此时基极电流不相等,我们称此时基极电流的差值为 输入偏移电流 IOSI_{OS}IOS :
IOS=∣IB1−IB2∣ I_{OS} = |I_{B1} - I_{B2}| IOS=∣IB1−IB2∣
特别的,我们假设 β\betaβ 不同:
β1=β+Δβ2 \beta_1 = \beta + \frac{\Delta \beta}{2} β1=β+2Δβ
β2=β−Δβ2 \beta_2 = \beta - \frac{\Delta \beta}{2} β2=β−2Δβ
我们假设 Δβ\Delta \betaΔβ 足够小,则两路电流仍可看成相等均为 I/2I/2I/2 ,然后:
IB1=I21β+1+Δβ/2≃I21β+1(1−Δβ2β) I_{B1} = \frac{I}{2}\frac{1}{\beta + 1 + \Delta \beta /2 } \simeq \frac{I}{2}\frac{1}{\beta + 1}(1 - \frac{\Delta \beta}{2 \beta}) IB1=2Iβ+1+Δβ/21≃2Iβ+11(1−2βΔβ)
IB2=I21β+1−Δβ/2≃I21β+1(1+Δβ2β) I_{B2} = \frac{I}{2}\frac{1}{\beta + 1 - \Delta \beta /2 } \simeq \frac{I}{2}\frac{1}{\beta + 1}(1 + \frac{\Delta \beta}{2 \beta}) IB2=2Iβ+1−Δβ/21≃2Iβ+11(1+2βΔβ)
IOS=I2(β+1)(Δββ) I_{OS} = \frac{I}{2(\beta + 1)}(\frac{\Delta \beta}{\beta}) IOS=2(β+1)I(βΔβ)
一般的,我们定义偏移电流为:
IB≡IB1+IB22=I2(β+1) I_B \equiv \frac{I_{B1} + I_{B2}}{2} = \frac{I}{2(\beta + 1)} IB≡2IB1+IB2=2(β+1)I
因此:
IOS=IB(Δββ) I_{OS} = I_B(\frac{\Delta \beta}{\beta}) IOS=IB(βΔβ)
最后一点,MOS因为其没有栅极电流,因此MOS不受输入偏置和偏移电流的影响。