电子技术——DC偏移

文章详细探讨了差分放大器在直流(DC)条件下的偏移问题,主要关注MOS和BJT两种类型。MOS差分放大器的DC偏移由负载电阻不匹配、W/L比例不一致及Vt不匹配造成,而BJT的偏移则涉及负载电阻、截面积不匹配以及基极电流的差异。通过对各种因素的数学建模,文章展示了如何计算输入偏移电压,并指出在同等条件下BJT的DC偏移通常小于MOS的DC偏移。

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电子技术——DC偏移

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因为差分放大器是直接耦合的并且对于DC有着有限的增益,因此本节我们讨论差分放大器在DC相关方面的问题。

MOS差分放大器的输入偏移电压

考虑下面的电路,我们将MOS差分放大器的输入端都置地:

输入端置地
此时假如电路完全对称,那么 VOV_OVO 本应该等于零,但是由于实际电路中的非理想因素存在,若电路不完全对称,那么即使输入两端均置地 VOV_OVO 也不为零。我们称此时的 VOV_OVO输出DC偏移电压 。进一步我们将其除以差分增益 AdA_dAd 我们称其为 输入偏移电压

VOS=VO/Ad V_{OS} = V_O / A_d VOS=VO/Ad

若我们在输入端应用差分电压 −VOS-V_{OS}VOS 那么 VOV_OVO 就会减小到零,如图:

偏移消除
这对于偏移电压给了我们一个直观的感受。应该注意,因为偏移电压是电路不匹配造成的,因此极性无法提前预知。

总共有三个因数造成了DC偏移:负载电阻不匹配, W/LW/LW/L 不匹配,以及 VtV_tVt 不匹配。

首先我们考虑 Q1Q_1Q1Q2Q_2Q2 完全匹配,但是负载电阻不匹配的情况,也就是:

RD1=RD+ΔRD2 R_{D1} = R_D + \frac{\Delta R_D}{2} RD1=RD+2ΔRD

RD2=RD−ΔRD2 R_{D2} = R_D - \frac{\Delta R_D}{2} RD2=RD2ΔRD

因此输出电压为:

VD1=VDD−I2(RD+ΔRD2) V_{D1} = V_{DD} - \frac{I}{2}(R_D + \frac{\Delta R_D}{2}) VD1=VDD2I(RD+2ΔRD)

VD2=VDD−I2(RD−ΔRD2) V_{D2} = V_{DD} - \frac{I}{2}(R_D - \frac{\Delta R_D}{2}) VD2=VDD2I(RD2ΔRD)

因此差分电压为:

VO=VD2−VD1=I2ΔRD V_O = V_{D2} - V_{D1} = \frac{I}{2} \Delta R_D VO=VD2VD1=2IΔRD

通过除以 Ad=gmRDA_d = g_mR_DAd=gmRD 得到:

VOS=VOV2ΔRDRD V_{OS} = \frac{V_{OV}}{2} \frac{\Delta R_D}{R_D} VOS=2VOVRDΔRD

接下来,考虑 W/LW/LW/L 不匹配的情况:

(WL)1=WL+12Δ(WL) (\frac{W}{L})_1 = \frac{W}{L} + \frac{1}{2} \Delta(\frac{W}{L}) (LW)1=LW+21Δ(LW)

(WL)2=WL−12Δ(WL) (\frac{W}{L})_2 = \frac{W}{L} - \frac{1}{2} \Delta(\frac{W}{L}) (LW)2=LW21Δ(LW)

因为 VGS1=VGS2V_{GS1} = V_{GS2}VGS1=VGS2 所以两个漏极电流之比等于 W/LW/LW/L 之比,并且总和仍为 III 解得:

I1=I2[1+Δ(WL)2(WL)] I_1 = \frac{I}{2}[1 + \frac{\Delta(\frac{W}{L})}{2(\frac{W}{L})}] I1=2I[1+2(LW)Δ(LW)]

I2=I2[1−Δ(WL)2(WL)] I_2 = \frac{I}{2}[1 - \frac{\Delta(\frac{W}{L})}{2(\frac{W}{L})}] I2=2I[12(LW)Δ(LW)]

则输出电压为:

VO=I2Δ(WL)(WL)RD V_O = \frac{I}{2}\frac{\Delta(\frac{W}{L})}{(\frac{W}{L})} R_D VO=2I(LW)Δ(LW)RD

除以 AdA_dAd 得到:

VOS=(VOV2)(Δ(W/L)(W/L)) V_{OS} = (\frac{V_{OV}}{2})(\frac{\Delta (W/L)}{(W/L)}) VOS=(2VOV)((W/L)Δ(W/L))

最后我们考虑 VtV_tVt 不匹配的情况,即:

Vt1=Vt+ΔVt2 V_{t1} = V_t + \frac{\Delta V_t}{2} Vt1=Vt+2ΔVt

Vt2=Vt−ΔVt2 V_{t2} = V_t - \frac{\Delta V_t}{2} Vt2=Vt2ΔVt

这给出电流:

I1=12kn′WL(VGS−Vt−ΔVt2)2=12kn′WL(VGS−Vt)2(1−ΔVt2(VGS−Vt))2 I_1 = \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t - \frac{\Delta V_t}{2})^2 = \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t)^2(1-\frac{\Delta V_t}{2(V_{GS} - V_t)})^2 I1=21knLW(VGSVt2ΔVt)2=21knLW(VGSVt)2(12(VGSVt)ΔVt)2

假设 ΔVt≪2(VGS−Vt)\Delta V_t \ll 2(V_{GS} - V_t)ΔVt2(VGSVt) 则:

I1≃12kn′WL(VGS−Vt)2(1−ΔVtVGS−Vt) I_1 \simeq \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t)^2(1-\frac{\Delta V_t}{V_{GS} - V_t}) I121knLW(VGSVt)2(1VGSVtΔVt)

I2≃12kn′WL(VGS−Vt)2(1+ΔVtVGS−Vt) I_2 \simeq \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t)^2(1+\frac{\Delta V_t}{V_{GS} - V_t}) I221knLW(VGSVt)2(1+VGSVtΔVt)

因为 VtV_tVt 的变化不会引起 VGSV_{GS}VGS 的变化,所以:

12kn′WL(VGS−Vt)2=I2 \frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS} - V_t)^2 = \frac{I}{2} 21knLW(VGSVt)2=2I

则电流差为:

VO=IΔVtVOVRD V_O = \frac{I \Delta V_t}{V_{OV}} R_D VO=VOVIΔVtRD

则除以 gmRDg_m R_DgmRD 为:

VOS=ΔVt V_{OS} = \Delta V_t VOS=ΔVt

最终,我们发现三个因素是不相关因素,因此存在一个简单的模型来综合这三个因素的影响:

VOS=(VOV2ΔRDRD)2+[(VOV2)(Δ(W/L)(W/L))]2+(ΔVt)2 V_{OS} = \sqrt{(\frac{V_{OV}}{2} \frac{\Delta R_D}{R_D})^2 + [(\frac{V_{OV}}{2})(\frac{\Delta (W/L)}{(W/L)})]^2 + (\Delta V_t)^2} VOS=(2VOVRDΔRD)2+[(2VOV)((W/L)Δ(W/L))]2+(ΔVt)2

BJT差分放大器的输入偏移电压

同样的BJT差分放大器也存在输入偏移电压,这是由:负载电阻不匹配,截面积不匹配, β\betaβ 不匹配和其他BJT不匹配因素造成的。

BJT差分放大器的输入偏移电压

首先考虑负载电阻不匹配:

RC1=RC+ΔRC2 R_{C1} = R_C + \frac{\Delta R_C}{2} RC1=RC+2ΔRC

RC2=RC−ΔRC2 R_{C2} = R_C - \frac{\Delta R_C}{2} RC2=RC2ΔRC

假设BJT完全匹配,则输出电压为:

VC1=VCC−(αI2)(RC+ΔRC2) V_{C1} = V_{CC} - (\frac{\alpha I}{2})(R_C + \frac{\Delta R_C}{2}) VC1=VCC(2αI)(RC+2ΔRC)

VC2=VCC−(αI2)(RC−ΔRC2) V_{C2} = V_{CC} - (\frac{\alpha I}{2})(R_C - \frac{\Delta R_C}{2}) VC2=VCC(2αI)(RC2ΔRC)

则输出电压为:

VO=VC2−VC1=α(I2)(ΔRC) V_O = V_{C2} - V_{C1} = \alpha (\frac{I}{2})(\Delta R_C) VO=VC2VC1=α(2I)(ΔRC)

增益为:

Ad=gmRC=αI/2VTRC A_d = g_mR_C = \frac{\alpha I/2}{V_T} R_C Ad=gmRC=VTαI/2RC

则输入电压偏移为:

∣VOS∣=VTΔRCRC |V_{OS}| = V_T \frac{\Delta R_C}{R_C} VOS=VTRCΔRC

需要注意的一点是 VTV_TVT 要小于 VOV/2V_{OV}/2VOV/2 ,说明在同等的情况下,BJT的DC偏移要比MOS的DC偏移小。

接下来我们考虑 Q1Q_1Q1Q2Q_2Q2 不匹配。特别的,我们假设BJT的截面积不相同,这给出缩放电流 ISI_SIS 不相同:

IS1=IS+ΔIS2 I_{S1} = I_S + \frac{\Delta I_S}{2} IS1=IS+2ΔIS

IS2=IS−ΔIS2 I_{S2} = I_S - \frac{\Delta I_S}{2} IS2=IS2ΔIS

注意到 VBE1=VBE2V_{BE1} = V_{BE2}VBE1=VBE2 所以发射极电流只和 ISI_SIS 成正比,并且保存和为 III 解得:

IE1=I2(1+ΔIS2IS) I_{E1} = \frac{I}{2}(1 + \frac{\Delta I_S}{2 I_S}) IE1=2I(1+2ISΔIS)

IE2=I2(1−ΔIS2IS) I_{E2} = \frac{I}{2}(1 - \frac{\Delta I_S}{2 I_S}) IE2=2I(12ISΔIS)

则输出电压为:

VO=α(I2)(ΔISIS)RC V_O = \alpha (\frac{I}{2})(\frac{\Delta I_S}{I_S}) R_C VO=α(2I)(ISΔIS)RC

对应的输入偏移为:

∣VOS∣=VT(ΔISIS) |V_{OS}| = V_T(\frac{\Delta I_S}{I_S}) VOS=VT(ISΔIS)

再一次我们注意到,BJT不想MOS正比于 VOVV_{OV}VOV 而是正比于 VTV_TVT ,说明在同等的情况下,BJT的DC偏移要比MOS的DC偏移小。

因为两个因素不相同,所以存在一个估算模型:

VOS=(VT(ΔISIS))2+(VTΔRCRC)2 V_{OS} = \sqrt{(V_T(\frac{\Delta I_S}{I_S}))^2 + (V_T \frac{\Delta R_C}{R_C})^2} VOS=(VT(ISΔIS))2+(VTRCΔRC)2

我们只推算这两种情况,实际上BJT还受 β\betaβror_oro 的影响。无论是MOS还是BJT都存在DC偏移电压,因此在电路设计师通常设计 偏移归零 电路,使得当输入相等电压的时候,输出总为零。

BJT差分放大器的输入偏置和偏移电流

由于BJT存在有限的基极电流,当BJT完美匹配的时候,此时基极电流相等:

IB1=IB2=I/2β+1 I_{B1} = I_{B2} = \frac{I/2}{\beta + 1} IB1=IB2=β+1I/2

这称为BJT差分放大器的 输入偏置电流

当BJT不完美匹配的时候,此时基极电流不相等,我们称此时基极电流的差值为 输入偏移电流 IOSI_{OS}IOS

IOS=∣IB1−IB2∣ I_{OS} = |I_{B1} - I_{B2}| IOS=IB1IB2

特别的,我们假设 β\betaβ 不同:

β1=β+Δβ2 \beta_1 = \beta + \frac{\Delta \beta}{2} β1=β+2Δβ

β2=β−Δβ2 \beta_2 = \beta - \frac{\Delta \beta}{2} β2=β2Δβ

我们假设 Δβ\Delta \betaΔβ 足够小,则两路电流仍可看成相等均为 I/2I/2I/2 ,然后:

IB1=I21β+1+Δβ/2≃I21β+1(1−Δβ2β) I_{B1} = \frac{I}{2}\frac{1}{\beta + 1 + \Delta \beta /2 } \simeq \frac{I}{2}\frac{1}{\beta + 1}(1 - \frac{\Delta \beta}{2 \beta}) IB1=2Iβ+1+Δβ/212Iβ+11(12βΔβ)

IB2=I21β+1−Δβ/2≃I21β+1(1+Δβ2β) I_{B2} = \frac{I}{2}\frac{1}{\beta + 1 - \Delta \beta /2 } \simeq \frac{I}{2}\frac{1}{\beta + 1}(1 + \frac{\Delta \beta}{2 \beta}) IB2=2Iβ+1Δβ/212Iβ+11(1+2βΔβ)

IOS=I2(β+1)(Δββ) I_{OS} = \frac{I}{2(\beta + 1)}(\frac{\Delta \beta}{\beta}) IOS=2(β+1)I(βΔβ)

一般的,我们定义偏移电流为:

IB≡IB1+IB22=I2(β+1) I_B \equiv \frac{I_{B1} + I_{B2}}{2} = \frac{I}{2(\beta + 1)} IB2IB1+IB2=2(β+1)I

因此:

IOS=IB(Δββ) I_{OS} = I_B(\frac{\Delta \beta}{\beta}) IOS=IB(βΔβ)

最后一点,MOS因为其没有栅极电流,因此MOS不受输入偏置和偏移电流的影响。

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