分享ENEPIG与Al线键合，一文搞懂

捷配科技

于 2025-08-21 10:50:24 发布

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分类专栏： PCB大全文章标签：制造捷配 pcb工艺

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在 LED 芯片、功率器件的封装中，ENEPIG（化学镀镍钯金）载板与 Al 线键合是常见组合 ——ENEPIG 提供稳定的键合基底，Al 线则凭借低成本、高导电性成为连接首选。但很多工程师没意识到：键合后 ENEPIG 的 Au/Pd/Ni 三层，会与 Al 线发生 “微观化学反应”，要是反应失控，原本牢固的键合点会变成 “脆化陷阱”，用不了半年就可能断键。今天就拆解：ENEPIG 与 Al 线键合的界面反应到底是什么？哪些反应会毁了键合可靠性？又该如何控制？

先搞懂：ENEPIG 与 Al 线的界面结构 —— 三层 “夹心饼干”

ENEPIG 与 Al 线键合后，界面会形成 “Al 线→反应层→ENEPIG” 的结构，就像一块三层夹心饼干，最关键的 “夹心” 就是 Al 与 ENEPIG 各层反应生成的金属间化合物（IMC）。咱们先明确各层角色：

ENEPIG 表层 Au（0.02-0.05μm）：最外层，键合时先与 Al 线接触，反应最快；

中间层 Pd（0.08-0.12μm）：承上启下，减缓 Au 与 Al 的过度反应，同时自身也会与 Al 反应；

底层 Ni（3-5μm）：核心阻挡层，防止基材 Cu 扩散，仅在 Pd 层被穿透时才与 Al 反应；

Al 线（直径 25-50μm）：键合时通过超声振动，与 ENEPIG 表层形成机械 + 化学结合。

键合瞬间（超声振动 + 压力），Al 线与 ENEPIG 表层会发生 “摩擦生热”，温度可达 150-200℃，这个温度足以触发金属间反应 —— 就像冬天搓手会发热，微观上金属原子也会因摩擦 “活跃” 起来，开始互相扩散、结合。

界面反应的 “三部曲”：从 Au-Al 到 Pd-Al，步步有风险

ENEPIG 与 Al 线的界面反应不是 “一步到位”，而是随着时间和温度推移，分三个阶段进行，每个阶段的反应产物对可靠性影响截然不同：

1. 初期（键合后 1-24 小时）：Au-Al 反应 “快速启动”

键合后，ENEPIG 表层的 Au 会迅速与 Al 线的 Al 反应，生成 Au-Al 金属间化合物（主要是 Au₄Al、Au₅Al₂）。这个过程很快，就像往热水里加糖，瞬间溶解。

反应特点：Au 层薄（0.02-0.05μm），24 小时内基本反应完，生成的 Au-Al IMC 厚度约 0.1-0.2μm；

对可靠性影响：初期 Au-Al IMC 能增强键合强度，键合拉力值从初始的 6g 升至 7g—— 这是因为 IMC 让 Al 线与 ENEPIG “咬得更紧”，就像水泥刚凝固时能增强砖块连接。

但要注意：要是 Au 层过厚（>0.05μm），会生成过多 Au-Al IMC，这些 IMC 本身有脆性，初期就可能让拉力值下降 10%，埋下隐患。

2. 中期（1-3 个月）：Pd-Al 反应 “接力进行”

Au 层反应完后，Al 原子会继续向 ENEPIG 内部扩散，与中间层 Pd 反应，生成 Pd-Al IMC（主要是 PdAl、Pd₂Al₃）。这个阶段反应速度比 Au-Al 慢，就像温水煮茶，慢慢出味。

反应特点：Pd 层厚度 0.08-0.12μm，3 个月内反应约 50%，生成的 Pd-Al IMC 厚度 0.05-0.1μm；

对可靠性影响：Pd-Al IMC 的韧性比 Au-Al 好，能缓冲界面应力，此时键合拉力值稳定在 6.5-7g，是可靠性最佳的阶段。某 LED 封装厂的测试显示：键合后 2 个月，Pd-Al IMC 形成稳定层，冷热循环（-40℃~85℃）500 次，拉力值仅下降 5%。

可要是 Pd 层过薄（<0.08μm），Al 原子会快速穿透 Pd 层，提前与底层 Ni 反应，跳过这个 “稳定阶段”，直接进入风险期。

3. 长期（3 个月以上 / 高温环境）：Ni-Al 反应 “风险爆发”

如果 Pd 层被 Al 原子完全穿透，Al 会与底层 Ni 反应，生成 Ni-Al IMC（主要是 NiAl₃、Ni₂Al₃）。这个反应的产物是 “脆化杀手”，就像在键合界面埋了颗 “定时炸弹”。

反应特点：Ni 层厚（3-5μm），但 Ni-Al 反应生成的 IMC 生长速度快，高温环境（如 125℃）下，3 个月就能生成 0.5-1μm 厚的 Ni-Al IMC；

对可靠性影响：Ni-Al IMC 脆性极大，会让键合拉力值 “断崖式下降”—— 某功率器件厂的测试显示：125℃高温存储 3 个月后，Ni-Al IMC 厚度达 0.8μm，键合拉力值从 7g 降至 4g（合格线 4g），刚好达标；6 个月后，IMC 厚度 1.2μm，拉力值降至 3g，直接不合格，出现断键。

更危险的是：Ni-Al 反应还会在界面形成 “柯肯达尔空洞”——Al 原子扩散速度比 Ni 快，扩散后留下的空隙会形成微小空洞，这些空洞像海绵里的孔，会让键合区逐渐 “疏松”，最终断裂。

哪些因素会加速界面反应 “失控”？三个 “高危操作”

ENEPIG 与 Al 线的界面反应本是正常过程，但以下三个操作会让反应失控，提前引发断键：

1. 键合温度过高：反应 “按下快进键”

键合时超声功率过大（>300mW），会导致界面温度超过 250℃，此时 Au-Al 反应速度加快 3 倍，Pd-Al 反应加快 2 倍，Ni-Al 反应提前 1 个月启动。某封装厂因超声功率调错，键合温度达 280℃，原本 3 个月才出现的 Ni-Al 反应，1 个月就发生了，拉力值下降 20%。

2. Pd 层过薄 / 有针孔：Al 原子 “抄近道”

Pd 层是阻挡 Al 扩散的 “关键防线”，要是 Pd 层厚度 < 0.08μm，或孔隙率 > 3%（有针孔），Al 原子会像 “走小路” 一样快速穿透 Pd 层，提前与 Ni 反应。测试显示：Pd 层 0.06μm 的 ENEPIG，Al 原子穿透时间从 3 个月缩短至 1 个月，Ni-Al IMC 提前生成，拉力值下降 30%。

3. 高温高湿环境：扩散 “助力器”

在高温高湿环境（如 85℃/85% RH）下，水汽会加速 Al、Ni、Pd 原子的扩散速度，让界面反应加快 1.5 倍。某户外 LED 灯具的实测：在湿热环境下，ENEPIG 与 Al 线键合的灯具，6 个月就有 15% 出现断键；而在干燥环境下，12 个月断键率仅 5%。

如何控制界面反应？三个 “实用控温术”

要让 ENEPIG 与 Al 线键合的界面反应 “可控”，关键是延缓 Ni-Al 反应，延长中期稳定阶段，这三个方法经过大量实践验证，非常有效：

1. 优化 ENEPIG 参数：给 Pd 层 “加厚 + 加密”

Pd 层厚度控制在 0.1-0.12μm：比传统厚度（0.08μm）增加 25%-50%，延长 Al 原子穿透时间，让中期稳定阶段从 3 个月延长至 6 个月；

采用脉冲镀 Pd 工艺：减少 Pd 层针孔，孔隙率从 3% 降至 1% 以下，避免 Al 原子 “抄近道”。某厂采用这个方案后，Ni-Al 反应启动时间从 3 个月推迟到 6 个月，拉力值稳定期翻倍。

2. 调整键合工艺：降低界面温度

超声功率控制在 200-250mW：避免界面温度过高，让 Au-Al 反应缓慢进行，减少初期脆性 IMC 生成；

键合压力降至 15-20g：压力过大会导致界面金属变形，加速原子扩散，适当降低压力能让反应更平缓。测试显示：键合压力从 25g 降至 18g，Au-Al 反应时间从 24 小时延长至 48 小时，初期拉力值更稳定。

3. 界面预处理：给 ENEPIG “穿防护衣”

键合前在 ENEPIG 表面涂覆一层薄的有机防护膜（如苯并咪唑类化合物），厚度 5-10nm，这层膜能像 “滤网” 一样，减缓 Al 原子向 Pd、Ni 层扩散的速度。某功率器件厂的实践：涂覆防护膜后，Ni-Al 反应启动时间从 3 个月推迟到 8 个月，高温存储 12 个月，拉力值仍保持在 5.5g，远高于合格线。