25、基于量子的经典信息存储记忆体研究

基于量子的经典信息存储记忆体研究

1. 稳定性分析

若要在室温下操作，受限电子所具有的热能约为一千哈特里。从相关图表可知，这对应主量子数 N 为几百的情况。此时，这些能量下电子的平均位置⟨x⟩约为 l0∕2。这一结果与无限深方势阱的情况形成对比，在无限深方势阱中，无论粒子处于何种状态，平均位置始终为 l0∕2。

实现所描述的量子记忆体全规模网络，需要在计量学和室温下量子特性的实验维护方面取得多项技术进步。最近，通过控制石墨烯片的破裂制备出了具有高达 1.6 eV（室温）附加能量的新型石墨烯量子点。原子和分子结是一类新兴材料，它们利用量子限制效应来提高品质因数。不过，量子点接触（QPC）在室温下投入使用仍有一段距离，尽管在这方面已取得了一些进展。

从经典角度看，无论量子记忆体的具体结构如何，都必须防止环境的影响。与全量子记忆体不同，这里无需担心量子相干性问题。但最具挑战性的是防止电荷泄漏，信息存储完成后，需用一层额外的超薄金属层覆盖所有量子芯片和附加设备。

2. 通用门类别

考虑任意一个双量子比特门 A，其在计算基{|00⟩, |01⟩, |10⟩, |11⟩}下的作用由幺正矩阵表示：
[
A(\phi, \alpha, \theta) =
\begin{pmatrix}
1 & 0 & 0 & 0 \
0 & 1 & 0 & 0 \
0 & 0 & e^{i\alpha}\cos\theta & -ie^{i(\alpha - \phi)}\sin\theta \
0 & 0 &