相控阵天线（2）——一维线性阵列特性_天线阵扫描时产生栅瓣条件-CSDN博客

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在《相控阵天线（1）》中，我们学到一维线性阵列天线的工作原理，在此基础上，我们了解一维线性阵列的特性。

一、波束调向

根据《相控阵天线（1）》中公式（15）可知，如式（1）：

$\left| {{E_n}(\theta )} \right| = \frac{1}{N}\left| {\frac{{\sin \left( {N(kd\sin \theta - \Delta \varphi )/2} \right)}}{{\sin \left( {(kd\sin \theta - \Delta \varphi )/2} \right)}}} \right|$

（1）

当式（1）中kdsinθ-∆φ=0时，函数取得最大值1，此时可得到|E(θ)|天线方向图的最大值：

${\rm{sin}}{\theta _B}{\rm{ = }}\frac{{\rm{1}}}{{kd}}\Delta \varphi$

（2）

或

$\Delta \varphi {\rm{ = }}kd{\rm{sin}}{\theta _B}$

（3）

式中， $\theta _B$ 为波束视线角。

由此可知，当kd确定时，改变阵内相邻单元之间相位差∆φ，便可改变视线角 $\theta _B$ ，即改变天线波束最大值指向。这就是相控阵天线名称的由来。如果∆φ由连续式移相器提供，则天线波束可实现连续扫描；如果∆φ由数字式移相器提供，则天线波束可实现离散扫描，移相器的位数越高，离散步长越小。

二、波束宽度

将波数k = 2π/λ以及式（3）中∆φ与波束指向之间的关系代入原式（1）中，可得：

$\left| {{E_n}(\theta )} \right| = \frac{1}{N}\left| {\frac{{\sin \left( {\frac{{\pi Nd}}{\lambda }(\sin \theta - \sin {\theta _B})} \right)}}{{\sin \left( {\frac{{\pi d}}{\lambda }(\sin \theta - \sin {\theta _B})} \right)}}} \right|$

（4）

波束指向为天线阵面法线方向时的宽度，这时 $\theta _B=0$ ，即∆φ = 0，为各阵元等幅同相馈电情况。由式(4)可得方向性函数为

$\left| {{E_n}(\theta )} \right| = \frac{1}{N}\left| {\frac{{\sin \left( {\frac{{\pi Nd}}{\lambda }\sin \theta } \right)}}{{\sin \left( {\frac{{\pi d}}{\lambda }\sin \theta } \right)}}} \right|$

（5）

通常情况下，波束很窄，|θ| 很小，sin[(πd/λ)sinθ]≈(πd/λ)sinθ，上式变为：

$\left| {{E_n}(\theta )} \right| = \left| {\frac{{\sin \left( {\frac{{\pi Nd}}{\lambda }\sin \theta } \right)}}{{\frac{{\pi Nd}}{\lambda }\sin \theta }}} \right|$

（6）

上式近似为辛克(Sinc)函数，当取Sinc[(πNd/λ)sinθ] = 0.707(即(πNd/λ)sinθ = 1.39)时，得到天线波瓣的半功率点位置，进而可计算出相控阵天线3dB波束宽度θ3为：

${\theta _3} \approx \frac{{0.886}}{{Nd}}\lambda (rad) \approx \frac{{50.8}}{{Nd}}\lambda (^\circ )$

（7）

式中，Nd为线阵长度。当d = λ/2时

${\theta _3} \approx \frac{{100}}{N}(^\circ )$

（8）

所以，在d = λ/2的条件下时，若要求 $\theta _3=1^{\circ}$ ，则所需要阵元数N=100。在二维线性阵列天线中，若要求水平和垂直面内的波束宽度都为1°，则需要100*100个阵元。

图1 水平和垂直面内的波束宽度均为1°的相控阵天线

当波束扫描时，波束偏离法线方向，如图8所示，θB ≠ 0时方向性函数用式（4）表示。波束较窄时，|θ-θB | 很小，sin[(πd/λ)(sinθ-sinθB)]≈(πd/λ) (sinθ-sinθB)，式（4）可近似为：

$\left| {{E_n}(\theta )} \right| = \left| {\frac{{\sin \left( {\frac{{\pi Nd}}{\lambda }(\sin \theta - \sin {\theta _B})} \right)}}{{\frac{{\pi Nd}}{\lambda }(\sin \theta - \sin {\theta _B})}}} \right|$

（9）

图2 扫描时的波束宽度

同理，式（9）为Sinc函数。设在波束半功率点上θ的值为 $\theta _+$ 和 $\theta _-$ ，见图8，由辛克函数曲线，当Sinc(x)=0.707时，可查出x = ±0.443π，故知当 $\theta =\theta _+$ 时应有

$\frac{{\pi Nd}}{\lambda }(\sin {\theta _ + } - \sin {\theta _B}) = 0.443\pi$

（10）

根据正弦差角公式，可得：

$\sin {\theta _ + } - \sin {\theta _B} = \sin ({\theta _ + } - {\theta _B})\cos {\theta _B} - [1 - \cos ({\theta _ + } - {\theta _B})]\sin {\theta _B}$

（11）

当波束很窄时， $\theta _+-\theta _B$ 很小，式（11）中第二项可忽略，简化为

$\sin {\theta _ + } - \sin {\theta _B} \approx ({\theta _ + } - {\theta _B})\cos {\theta _B}$

（12）

代入式（10），整理可得扫描时的波束宽度 $\theta _{3B}$ 为

$\begin{array}{l} {\theta _{3B}} = {\theta _ + } - {\theta _ - } = 2({\theta _ + } - {\theta _B})\\ \approx \frac{{0.886\lambda }}{{Nd\cos {\theta _B}}}(rad) = \frac{{50.8\lambda }}{{Nd\cos {\theta _B}}}(^\circ ) = \frac{{{\theta _3}}}{{\cos {\theta _B}}} \end{array}$

（13）

式中， $\theta _3$ 为波束在法线方向时的半功率波束宽度。上式也可从概念上定性地得出，因为波束总是指向同相馈电阵列天线的法线方向，将图8中的同相波前 MM'看成同相馈电的直线阵列，但有效长度为 $Ndcos{\theta_B}$ ，代入式(7)便得出式(13)。

从式(13)可看出，波束扫描时，随着波束指向 $\theta _{B}$ 的增大， $\theta _{3B}$ 要展宽， $\theta _{B}$ 越大，波束变得越宽。例如， $\theta _B=60^{\circ}$ ， $\theta _{3B}=2\theta _3$ 。

三、天线增益

我们在讨论天线的有效面积时，得到：

${A_e} = \frac{{G{\lambda ^2}}}{{4\pi }}$

（14）

式中， $A_e$ 为天线孔径的有效面积，G为天线的功率增益。

对于含有 N个半波振子单元的线阵天线，假设天线孔径面积为A，无损耗，孔径场均匀分布（即孔径面利用系数为1），阵元间距为d。若d=λ/2，则A = Nd2 =Nλ2/4。在法线方向上， $A_e=A$ ，代入式(14)得

$G{\rm{ = }}N\pi$

（15）

天线波束由法线方向扫描到 $\theta _{B}$ 后，天线在方向有效孔径为 $A_e=Acos\theta _B$ ，因此，此时的天线增益为

$G = \frac{{4\pi }}{{{\lambda ^2}}}A\cos {\theta _B}$

（16）

对于d=λ/2，有：

$G = N\pi \cos {\theta _B}$

（17）

所以，在波束扫描时，由于在 $\theta _{B}$ 方向等效天线孔径面尺寸等于天线孔径面在等相面上的投影(即乘以 $cos\theta _B$ )，与法线方向相比，尺寸减小，波束加宽，因而天线增益下降，且随着 $\theta _{B}$ 的增大而加剧。所以波束扫描的角范围通常限制在±60°或±45°之内。若要覆盖半球，至少要有3个面天线阵，如图3所示。

图3 三阵面相控阵天线

四、栅瓣问题

从第一节中公式（4）可以看出，

（18）

当 $(\pi Nd/\lambda )(sin\theta -sin\theta _B)=0,\pm \pi ,\pm 2\pi ,\cdots ,\pm n\pi$ (n为整数)时，分子为零，若分母不为零，则有F(θ)=0。而当 $(\pi d/\lambda )(sin\theta -sin\theta _B)=0,\pm \pi ,\pm 2\pi ,\cdots ,\pm n\pi$ (n为整数)时，上式分子、分母同为零，由洛比达法则得 F(θ)=1,由此可知 F(θ)为多瓣状，如MATLAB仿真图图4所示。其中， $(\pi d/\lambda )(sin\theta -sin\theta _B)=0$ ，即 $\theta =\theta _B$ 时称为主瓣，其余称为栅瓣。

图4 一维线性阵列的归一化方向图

当波束指向在法线方向上（天线不扫描， $\theta _B=0$ ）时，即出现栅瓣的条件为：

$\begin{array}{l} \frac{{\pi d}}{\lambda }\sin \theta = \pm n\pi \\ \sin \theta = \pm n\frac{\lambda }{d} \end{array}$

（19）

因此，仅当d≥λ时才可能产生栅瓣。d的取值越大，出现的栅瓣越多。例如，当d=λ时，出现两个栅瓣，如图所示，栅瓣的位置为： $\theta _1= 90^{\circ}(n=1)$ 、 $\theta _2=- 90^{\circ}(n=-1)$

图5 d = λ时栅瓣位置示意图

当d=2λ时，出现四个栅瓣，如图所示，栅瓣的位置为： $\theta _1= 90^{\circ}(n=2)$ 、 $\theta _2=- 90^{\circ}(n=-2)$ 、 $\theta _3= 30^{\circ}(n=1)$ 、 $\theta _4=- 30^{\circ}(n=-1)$

图6 d = 2λ时栅瓣位置示意图

由图5、6可以看出，出现栅瓣将会产生测角多值性，为避免出现栅瓣，需保证式（4）中分母控制在第一个周期范围内，只存在一个主瓣，需下式成立即可：

$\left| {\frac{{\pi d}}{\lambda }(\sin \theta - \sin {\theta _B})} \right| < \pi$

（20）

即

$\frac{d}{\lambda } < \frac{1}{{\left| {\sin \theta - \sin {\theta _B}} \right|}}$

（21）

因 $\left |sin\theta -sin\theta _B \right |\leq 1+\left | sin\theta _B \right |$ ，故不出现栅瓣的条件可取为：

$\frac{d}{\lambda } < \frac{1}{{1 + \left| {\sin {\theta _B}} \right|}}$

（22）

当波长λ取定以后，只要调整阵元间距d以满足上式，便不会出现栅瓣。如要在 $-90^{\circ}\leq \theta _B\leq 90^{\circ}$ 范围内扫描，则 d/λ <1/2。在第二节波束宽度中已经讨论过，当θB增大时，波束宽度也要增大，故波束扫描范围不宜取得过大，一般取 $\theta _B\leqslant 60^{\circ}$ 或 $\theta _B\leqslant 45^{\circ}$ ，此时分别是d/λ < 0.53或d/λ < 0.59。为避免出现栅瓣，通常选d/λ <1/2。