全栈电子产品工程师——电脑界面
优势:软硬都会(每日复盘群消息、微信公众号、B站、CSDN、阿里狗)
劣势:只会吹牛比
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电阻
- 采样电阻,注意功率,封装
- 可变电阻/排阻/水泥电阻/精密电阻/高精度低温漂
- 基尔霍夫电压/电流定律
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电容
- RC(适用于低频小体积一般场合),f=1/2ΠRC
- LC(适用于高频大体积射频电源场合),f= = 1/(2π√(LC))
高通低通带通带阻
3.先旁路再去耦,耦合是信号,滤波是电源,万能公式10uf/100nf(100倍数配置),
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- X7R/X5R/Y5V/NPO/低温漂/注意大铝电解电容会干涸,NPO目前性能最好也最贵
电容充放电曲线
在充电过程中,当t=RC时,电容电压约为电源电压的63.2%;当t=2RC时,电容电压约为86%;当t=3RC时,电容电压约为95%;当t=4RC时,电容电压约为98%;当t=5RC时,电容电压约为99%。这意味着经过3到5个时间常数后,充电过程基本结束。
1个好记,3个一样(下反向/左移)
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电感
- 变压器
- 注意电感太小会谐振啸叫/谐振频率/Q值
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二极管
- 伏安特性曲线
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- 桥式整流
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三极管
- 输入特性曲线
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- 输出特性曲线
电流镜,MOS也可构成。电流复制更稳定,可以稍加改造构成电流源。
MOS
- MOS输出特性曲线
- 常用的电源缓起电路
放屁朝外,多用NMOS,次之PMOS其他都很少用
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运算放大器
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必须记住,默写出来
1. 放大(同向/反向/差分,不接地付那种,交流必须有静默电平做直流偏置+电容耦合)
2. 比较器(393专用)
3. 跟随器(随意使用,增强驱动)
4. V/I(PWM恒流源,好难得恒流源,差分恒流源)
5. I/V(跨阻放大器LED接收信号)
6. 电流检测(高侧差分检流)
7. 波形发生器(500Hz方波)
8. 单端信号转差分(便于传输)
9. 峰值检波(高频速度太快转为低速用单片机识别)
10. 复合放大器(仪表放大器,专用运放高级运放)放大器万能公式:高通、同向放大、高通(更精确用带通)、低速比较器/高速峰值检波、ADC采电压
- 输出特性曲线
- 同向放大器
- 反向放大器
- 跟随器
- 差分放大器
- PWM恒流源(压控恒流源/VI转换器)
2.Howland好难的恒流源(自己恒流)
- 电流检测电路
- 波形发生器
- 跨阻放大器(电流-电压转换器,光电二极管转换器)
- 峰值检波电路
二个二极管保证信号不能倒灌,充分输出。
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电源
- BUCK
- BEST
- BUCK/BEST/INVERTER
- LDO
电源接口基本操作
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EMC
- 接口防护
- 辐射
- 抗干扰
- 干扰源/传播路径/敏感设备。
- LVDS/电机/电源
核心操作,使用铜皮把辐射大的器件,包裹起来,包粽子。
其余EMS,传导,传导抗扰度,电压跌落,静电浪涌群脉冲(ESD/TVS/EFT)都是开关电源厂家的事情(前提不是自己DIY的电源,选明纬好)
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安规
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- 爬电距离
- 电气间隙
- 隔离器件
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PCB设计
- 拼版
- Gerber
- 高速信号,不是线短,而是匹配,
- 阻抗匹配,单端阻抗,差分阻抗,特征阻抗
频率与间距关系
根据电磁波理论,信号频率越高,波长越短。若过孔间距大于信号波长的1/4(如1GHz信号波长30cm,1/4波长为7.5cm),则需在信号过孔周围增加接地过孔,确保回流路径连续性。 打过孔的理论是:法拉第笼效应和趋肤深度——前者解释为什么接地环能屏蔽辐射,后者决定孔间距的极限。
最佳实践建议
- 间距控制:通常建议接地过孔间距不超过信号波长的1/4(如1GHz信号建议间距≤7.5mil)
- 数量建议:每1000mil打一个接地过孔即可满足需求 (2.5cm)
PCB布局去耦半径。电流回流路劲要短!降低EMC!
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通信
- 485
- 232
- Usart
- Usb
- Spi
- IIC
- I3C,MIPI,mple
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变压器、射频天线、FPGA、MCU、数字逻辑电路(门电路)、时序逻辑电路(各类触发器)、can、mipi、三相电
其他经典面试题:
1、如接解决DCDC的SW脚毛刺多
正常,mos斩波形式都有,一体式DCDC芯片毛刺较少,外置MOS斩波毛刺较多,解决使用小电容吸收,频率设置低点(一般是500K),或者RC
2、DCDC PWM PFM区别和联系
PWM重载,效率高,能耗大。
PFM轻载,效率高,能耗小。 一般芯片自己控制混着用
3、运放放大器压摆率0.5V/us,输入方波占空比50%,幅值5V,频率10K,输出是什么样子
输出类似梯形,压摆率太低,f=1/T,频率100us,半个是50us,上升需要10us,下降10us,有效占空比只有30us,方波变梯形。为避免失真,选择5V/us的压摆率运放即可。没有啥要求,要求就是越完美越好。
压摆率(SR)需满足:SR ≥ 2π × f × Vp,
5V | 0.314 | 2π×10k×5 ≈ 0.314V/μs |
实际选型需预留 1.5~10倍裕量(高频或精密应用取更高值),LM358是0.5V/us刚刚够,但是失真严重。最好3V/us
4、10k信号使用多大带宽的运算放大器
- 压摆率验证:SR ≥ 2π×f×Vp(Vp为峰值电压),再加5-10倍
- 带宽验证:GBW ≥ G增益×10kHz,再加5-10倍
- 如信号5V,10k,
- SR ≥ 2π×0.01MHz×5V≈0.314V/μs(至少选SR≥1V/μs)
- GBW ≥ 10倍×10kHz=100kHz(至少选1M)
- LM358将就用,但是最好TL072
5、如何选择运放,信号5V,10k,放大10倍,噪声要求高,
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压摆率(SR)要求
- 最小理论值:SR≥2π×f×Vp=2π×10k×5≈0.314 V/μsSR≥2π×f×Vp=2π×10k×5≈0.314V/μs
- 实际设计值:建议 ≥1 V/μs(预留3倍裕量),避免输出方波时出现梯形失真
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增益带宽积(GBW)要求
- 最小理论值:GBW≥G×f×裕量系数=10×10k×5=500 kHzGBW≥G×f×裕量系数=10×10k×5=500kHz
- 实际设计值:建议 ≥5 MHz(裕量系数取50),确保高频信号无衰减
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输出电压范围
- 输出峰值电压 Vp(out)=5V×10=50VVp(out)=5V×10=50V,需选用高压运放(如±15V供电)或轨到轨输出运放(单电源供电时输出可达电源轨)
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噪声与精度
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输入信号5V较大,噪声影响较小,但如需高精度,选 Vos<1mVVos<1mV、dVosdT2[3][16][19<μV/℃dTdVos2[3][16][19<μV/℃ 的型号]。
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🔧 二、推荐运放型号及对比
型号 | 压摆率 | 增益带宽积 | 供电电压 | 适用场景 |
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TLV9062 | 10 V/μs | 10 MHz | ±1.35V~±18V | 通用型,性价比高7 |
OPA2991 | 25 V/μs | 18 MHz | ±2.25V~±18V | 高精度、低失真413 |
ADA4807-1 | 225 V/μs | 180 MHz | ±5V~±15V | 高速信号处理14 |
LM358 | 0.5 V/μs | 1.2 MHz | 单电源3V~32V | 低成本、低功耗8 |
✅ 选型建议:
- 优先选择:TLV9062(平衡性能与成本)或OPA2991(高精度需求)47。
- 避免型号:LM358压摆率裕量不足(0.5V/μs),输出50V方波时边沿时间达100μs(半周期50μs),严重失真89。
️ 三、电路设计关键注意事项
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反馈电阻匹配
- 反相放大电路:Rf=10×R1Rf=10×R1(例:R1=1kΩR1=1kΩ, Rf=10kΩRf=10kΩ)714。
- 电阻精度:选0.1%公差电阻,减小增益误差。
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电源去耦与稳定性
- 电源引脚就近并联0.1μF陶瓷电容+10μF电解电容,抑制高频噪声。
- 容性负载>100pF时,需串联10Ω电阻隔离,避免振荡。
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输入保护
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输入串联100Ω电阻+钳位二极管(如1N4148),防止过压损坏23。
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💎 四、实测调试建议
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波形验证
- 输入10kHz方波,用示波器观察输出:
- 上升时间:tr=VpSRtr=SRVp(SR=1V/μs时,50V输出需50μs)19。
- 平顶倾斜:带宽不足时,正弦波输出幅值衰减>3%需换型号56。
- 输入10kHz方波,用示波器观察输出:
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增益误差修正
- 若实测增益偏离10倍(如9.5倍),可并联微调电阻校准 RfRf 815。
选型核心:
- 压摆率≥1V/μs(TLV9062或OPA2991);
- 增益带宽积≥5MHz;
- 输出幅值匹配电源轨(高压选±15V供电型号)。
避免低成本运放(如LM358)导致的失真,优先验证上升时间与增益精度12。
6、占空比D越大,电源效率越高,损耗越小?
对,有效值越多越好,损耗小,电感是储能的。
7、