嵌入式常见存储器

阅读引言: 在看一款芯片的数据手册的时候, 无意间翻到了它的启动模式(Boot Mode), 发现这种这么多种ROM,所以就写下了这篇文章。

目录

一、存储器汇总

二、易失性存储器(RAM)

1. SRAM

1.1 单口SRAM

1.2 双口SRAM

2. DRAM

2.1 SDRAM

2.2 异步DRAM

2.3 DDR DDR2 DDR3

3.FRAM

4. SRAM和DRAM的区别

三、非易失性存储器(ROM)

1. PROM

2. EPROM

3. EEPROM

4. FLASH

4.1 NOR FLASH

4.1.1 Serial NOR FLASH

4.1.2 Parallel NOR FLASH

4.2 NAND FLASH

4.3 NOR FLASH和NAND FLASH对比

5. NAND FLASH常见存储器

5.1 EMMC 

5.2 SSD

5.3 SD卡

5.4 U盘


一、存储器汇总

        存储器是计算机必不可少的组成部分,是用来存储程序代码和数据的部件,有了存储器,计算机才具有记忆功能。存储器通常分为内存和外存,内存是电路板上的半导体存储器件,外存包含硬盘、光盘、U盘、电子盘以及各类存储卡等等。

        对于嵌入式系统的存储器系统而言,与通用计算机系统的设计方法有所不同,嵌入式微处理器片上也集成了一定数量的存储器,是构成嵌入式系统硬件的主要组成部分, 也叫做片上存储器, 这个片就是SOC, 将CPU, 存储器, 外设控制器, Bus等做在了一块硅片上。

考查存储器性能的一些指标主要在于易失性、只读性、位容量、速度、功耗、可靠性以及价格等等因素。嵌入式存储器按掉电信息是否保留可以分为以下两大类,ROMRAM,图示如下。

二、易失性存储器(RAM)

1. SRAM

SRAM(Static Random Access Memory)是静态随机存取存储器的缩写,是一种随机存取存储器。它的特点是速度快、读写延迟低,但需要持续供电以保持数据不丢失。

单口SRAM和双口SRAM是SRAM的两种类型:

1.1 单口SRAM

单口SRAM:只有一个数据输入/输出端口,即一个端口可以同时进行读/写操作。在单口SRAM中,由于读/写操作共享同一个端口,因此需要进行同步控制,以确保读写操作不会相互干扰。

1.2 双口SRAM

双口SRAM:有两个独立的数据输入/输出端口,分别称为A端口和B端口。每个端口都可以独立地进行读/写操作,不需要进行同步控制。与单口SRAM相比,双口SRAM具有更高的并发性能和更好的可扩展性。

2. DRAM

        DRAM(Dynamic Random Access Memory)是动态随机存取存储器的缩写,是一种常见的随机存取存储器。与SRAM不同,DRAM需要定期刷新以保持数据不丢失,因为它依靠电容来存储数据,而电容会随着时间泄漏电荷导致数据丢失。

2.1 SDRAM

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)是同步动态随机存取存储器的缩写,是一种常见的计算机内存类型。它与DRAM类似,但具有同步性,即需要与系统时钟保持同步,以确保数据的准确读写。

SDRAM的主要特点包括:

  1. 同步性:SDRAM需要与系统时钟保持同步,以确保数据的准确读写。
  2. 可扩展性:由于SDRAM支持多个模块的组合,因此可以实现更大的容量。
  3. 高速性能:相比于普通的DRAM,SDRAM具有更快的读写速度和更低的延迟。
  4. 可靠性:由于同步性的存在,SDRAM可以更好地抵抗噪声和干扰,从而提高了数据的可靠性。

总的来说,SDRAM适用于要求高性能和高可靠性的应用场景,如服务器、网络设备和图形工作站等。

2.2 异步DRAM

异步DRAM(Asynchronous Dynamic Random Access Memory)是一种随机存取存储器,与同步的SDRAM相比,它不需要与系统时钟保持同步。

异步DRAM的主要特点包括:

  1. 不同步性:异步DRAM不需要与系统时钟保持同步,因此可以实现更快的读写速度和更低的延迟。
  2. 可扩展性:由于异步DRAM支持多个模块的组合,因此可以实现更大的容量。
  3. 可靠性:由于不同步性的存在,异步DRAM可能更容易受到噪声和干扰的影响,从而降低了数据的可靠性。
  4. 成本相对较低:相比于同步的SDRAM,异步DRAM的成本较低,因此在一些对性能要求不高的应用场景中仍然被广泛使用。

总的来说,异步DRAM适用于对性能要求不高的应用场景,如嵌入式系统、物联网设备和低功耗应用等。

2.3 DDR DDR2 DDR3

DDR、DDR2和DDR3是一系列不断进化的内存技术

DDR(Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM)是一种同步动态随机存取存储器,它使用一个时钟信号来同步数据的读写操作。DDR技术通过在单个时钟周期内同时读取和写入数据,提高了内存的带宽和性能。

DDR2是DDR技术的升级版,它在DDR的基础上进行了改进,提供了更高的数据传输速率、更低的功耗和更好的兼容性。DDR2采用新的芯片封装技术和更高效的电路设计,使得其在相同容量下可以提供更高的频率和更快的速度。

DDR3则是DDR2技术的进一步升级,它采用了更先进的制程工艺和电路设计,具有更高的频率、更低的功耗和更大的容量。DDR3还引入了新的内存架构和技术,如PCI Express总线接口和并行性传输技术等,进一步提高了内存的性能和效率。

总的来说,DDR、DDR2和DDR3是一系列不断进化的内存技术,它们在不同的应用场景中提供了不同的性能和效率优势。随着技术的发展,DDR4和DDR5等更高级别的内存技术也已经开始出现。

3.FRAM

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