化学键类型与电负性关联

最新推荐文章于 2025-09-14 09:48:24 发布

mac99

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文章标签：电负性化学键离子键

元素的电负性是衡量原子在化合物中吸引电子倾向的指标。

a. 熔融氯化钠 ：能导电。在熔融状态下，热能影响离子键，使离子变得可移动，从而能够导电。

b. 氯化钠水溶液 ：能导电。在溶液状态下，溶剂化能影响离子键，使离子变得可移动，进而导电。

c. 固态氯化钠 ：通常不导电。在离子固体中，离子在晶格位置被强烈束缚，不能移动。但某些情况下，可能因晶格缺陷或结构中存在可移动电子而导电。

d. 固态铜 ：能导电。铜是金属，金属中存在自由电子，自由电子的定向移动形成电流，从而导电。

e. 液态四氯化碳 ：不导电。四氯化碳是共价化合物，液态时没有可自由移动的离子或电子，所以不能导电。

晶格能是指 气态离子从无限远的距离聚集形成一克分子晶体时所释放的能量 。

虽然钠挥发、电离以及氯气分子分裂成原子都需要能量，但当气态的 Na⁺ 和 Cl⁻ 离子结合形成氯化钠晶体时会释放大量能量。

实验表明：

Na⁺(g) + Cl⁻(g) → NaCl(s) 释放的能量为 784 kJ/mol，

整个过程的净能量变化为 -639 kJ/mol，显示出能量大幅降低。

只要离子间的净吸引力大于离子形成所需的能量，就会有能量净降低，使得由 Na⁺ 和 Cl⁻ 离子组成的晶格能量低于分离的 Na 和 Cl 原子集合的能量，这就是钠金属能与氯气剧烈反应的原因。

本征/化学计量缺陷 ：
- 肖特基缺陷 ：晶体晶格中产生空位，如氯化钠（NaCl）。不存在特定的导电机制，因为整体化学计量不变且电中性得以保持。
- 弗兰克尔缺陷 ：离子（通常是阳离子）从原始位置移动到晶格间隙位置，如卤化银。阳离子移动到间隙位置后，空位和间隙离子的移动可导致导电。
非本征缺陷或非化学计量缺陷 ：
由于晶格中存在外来原子而产生，如在硅（Si）中引入砷（As）。掺杂原子提供额外的电子（n型）或空穴（p型），电子或空穴的移动导致导电。
点缺陷 ：
如原子在正常位置缺失或出现在非正常位置。以铜金合金（CuAu）为例，原子交换产生点缺陷。当空穴在晶体中迁移时可导致导电。
原子交换或反位缺陷 ：
由一对原子互换形成，如铜金（CuAu）合金。原子交换产生的空穴迁移可导致导电。
非化学计量缺陷 ：
化合物中阳离子和阴离子数量不符合简单整数比，如氧化亚铁（FeO）。过量的金属离子或非金属离子可提供额外的电子或空穴，从而导致导电。
金属过量缺陷 ：
晶体晶格中存在过量金属离子，如氧化锌（ZnO）在高温下。过量的金属离子提供额外的电子，电子移动导致导电。

晶格能是指在标准状况下，使离子晶体变成气态正离子和气态负离子时所吸收的能量。根据盖斯定律，可通过以下步骤计算氯化铯的晶格能：

设晶格能为 $ U_0 $，已知：

$ \text{Cs(s)} \rightarrow \text{Cs(g)} \quad \Delta H_1 = +79.9\ \text{kJ mol}^{-1} $
$ \text{Cs(g)} \rightarrow \text{Cs}^+\text{(g)} \quad \Delta H_2 = +374.05\ \text{kJ mol}^{-1} $
$ \frac{1}{2} \text{Cl}_2\text{(g)} \rightarrow \text{Cl(g)} \quad \Delta H_3 = +120.92\ \text{kJ mol}^{-1} $
$ \text{Cl(g)} + e^- \rightarrow \text{Cl}^-\text{(g)} \quad \Delta H_4 = -397.90\ \text{kJ mol}^{-1} $
$ \text{Cs(s)} + \frac{1}{2} \text{Cl}_2\text{(g)} \rightarrow \text{CsCl(s)} \quad \Delta H_5 = -623.00\ \text{kJ mol}^{-1} $

由 $ \Delta H_5 = \Delta H_1 + \Delta H_2 + \Delta H_3 + \Delta H_4 - U_0 $，可得：

$$
U_0 = \Delta H_1 + \Delta H_2 + \Delta H_3 + \Delta