【PRB】1.5w字深度解析GaN中最浅的受主缺陷

2025 年 1 月 16 日，Virginia Commonwealth University 的 M. A. Reshchikov 和 SUNY–Albany 的 B. McEwen 等人在《Physical Review B》期刊发表了题为《Identity of the shallowest acceptor in GaN》的文章，基于对 50 多个 Be 掺杂 GaN 样品的光致发光实验以及 Heyd-Scuseria-Ernzerhof（HSE）混合泛函的第一性原理计算，研究了 GaN 中最浅的受主缺陷。实验结果表明，GaN:Be 中 3.38 eV 的紫外发光带（UVLBe）是由 Be 相关的浅受主引起的，其 −/0 转变能级位于价带上方 0.113 eV，第一性原理计算将该受主鉴定为 BeGaONBeGa 复合体，同时预测了一个位于价带上方 0.34 eV 的深能级，但实验中未发现该深能级的证据，该研究的结果对深入理解 GaN 材料的缺陷特性以及开发新型高效的 III 氮化物材料 p 型掺杂具有重要意义。

文章主要结论

1. 确认新型浅受主：通过光致发光（PL）实验和第一性原理计算，确认氮化镓（GaN）中3.38 eV紫外发光带（UVLBe）的来源为BeGaONBeGa复合体。该复合体是一种新型浅受主，其−/0转变能级位于价带上方0.113 eV，比传统的Mg受主（离化能0.22 eV）更浅。

2. 理论预测与实验差异