聚焦离子束-扫描电镜（FIB-SEM）：二维样品制备与分析、三维层析成像以及透射电镜薄片制备

作为材料研究中的多功能强大工具，聚焦离子束 - 扫描电镜（ FIB-SEM ）可实现多尺度多维度的精细微观结构分析。之前的文章主要介绍 FIB-SEM中的聚焦束与物质相互作用的基本原理、常用分析技术及相关部件。这篇文章介绍其三大主要应用技术：二维样品制备与分析、三维层析成像以及透射电镜薄片制备。

二维样品制备能揭示样本的内部微观结构，获取超越表面的深层信息；

三维层析成像则提供结构与性能关联的定量化信息；

透射电镜薄片制备作为高分辨率纳米表征的关键技术，能为透射电镜分析提供优质样本。

一、二维样品制备

FIB技术在二维样品制备的材料溅射方面，对试样几何形状与基底材料具有卓越的灵活性。这种局部直写方式能精准实现目标几何形状，同时可通过扫描电镜实时监控加工过程，确保操作中的直接对准与质量控制。

在FIB-SEM表征中，采用有效的成像与铣削策略并遵循标准样品处理流程，对获取高质量数据至关重要。样品制备过程中可能出现帘状伪影、充电效应、表面污染和束流损伤等常见缺陷。帘状伪影表现为离子束铣削区域的垂直条纹，源于材料硬度不均或参数设置不当导致的非均匀铣削，可通过加厚保护层或采用摇摆抛光法缓解。充电效应因绝缘样品电荷积累造成图像畸变或亮区，可采用导电层包覆或低真空模式解决。表面污染多由真空腔污染物或不当操作引起，需严格执行清洁规程。束流损伤则因长时间光子/离子/电子束照射导致样品微观结构改变，其中非晶化是典型现象——离子束作用使晶体结构转变为非晶态。可通过缩短曝光时间、降低束流强度与能量有效抑制。全面认识并应对这些缺陷，能显著提升表征数据的准确性。

除优化成像与FIB抛光策略外，还需遵循电镜样品标准处理流程。FIB-SEM制造商对样品尺寸和重量有限制：样品通常需固定在直径为12 mm样品台上，尺寸控制在毫米级。使用金刚石锯或精密切割工具修整样本至所需尺寸和形状后抛光，可最大限度的减少帘状伪影。此外，样品必须经异丙醇/丙酮溶剂清洗并氮气吹干以去除污染物。为减少样品处理过程中的充电效应，需用导电胶或双面金属胶带将样品牢固固定在支架或样品台上，以确保样品接地良好。绝缘样品需溅射数十纳米厚的金/铂/碳导电层，可采用镀膜仪确保均匀覆盖。在操作时务必始终佩戴防护手套并使用专用镊子。

1、溅射机制

当轰击离子将样品表面原子溅射出来时，即发生离子溅射现象（如图1b）。单个离子可溅射多个样品原子，故用溅射产率（溅射原子数与入射原子数之比）量化该过程。仅表层原子才可能被溅射——表面碰撞越频繁，溅射概率越高。深层原子因离子束在穿透样品时能量衰减更难被溅射。

图1（a）电子、（b）离子和（c）超短脉冲光子与物质相互作用激发各类信号的示意图

溅射产率主要受轰击离子元素、入射离子能量（加速电压）、入射角、表面结合能（样品原子）以及样品晶体取向（离子沟道效应与碰撞级联）的影响。图2展示了各因素对溅射产率的作用规律。

图2 溅射产率的影响因素：(a)轰击离子类型及其能量、（b）入射角、（c-d）晶体取向与（e）样品几何构型.

（1）轰击离子元素

离子的质量和类型直接影响溅射产率。较重的离子（如Ar⁺、Xe⁺）因动量更大，能更有效地传递能量给靶原子，从而提高溅射产率。例如，重离子在相同能量下通常比轻离子产生更高的溅射率。此外，离子与靶原子的原子序数差异也会影响动量传递效率，质量相近时动量传递更有效。

（2）加速电压（入射离子能量）

在典型溅射能量范围（10~5 000 eV）内，溅射产率随入射能量增加而显著上升，因为高能离子能更有效地克服靶原子的结合能。然而，当能量超过一定阈值（如30 keV）时，产率可能因离子深入晶格内部导致能量损失而下降。

（3）入射角

入射角对溅射产率有显著影响。角度越斜（垂直度越小），溅射产率越高。因为离子与靶表面的相互作用时间更长，从而导致更有效的能量转移。另外，高角度下离子反射增加，导致有效能量传递减少。

（4）表面结合能

靶材料中原子的表面结合能会影响它们被射出的难易程度。结合能越强，原子脱离表面所需的能量越高，因此产率较低。此外，表面结合能还受样品表面状态（如氧化层、污染）影响。

（5）样品晶体取向

晶体的取向会显著影响溅射产率。不同晶面的溅射产率差异可达10倍，例如Cu单晶的(100)面产率高于(110)面。此外，离子辐照可能通过晶格损伤（如空位、位错）进一步提高产率。对于强通道晶体（如Cu），入射角和取向的组合效应会显著改变溅射行为。

2、二维截面制备方法

聚焦离子束截面制备技术是一种定位加工方法，广泛应用于材料科学、生命科学及半导体领域，用于制备特定区域的样品，以便进行离位/原位成像和/或能谱分析（EDS）、电子背散射衍射（EBSD）等后续分析。该技术融合了聚焦离子束精密铣削与SEM成像优势，可获取材料截面的高分辨率图像。图3展示了典型截面制备与分析流程。

图3 FIB-SEM制备典型截面案例：（a）截面制备与分析流程；（b）FIB图像；（c）SEM二次电子像；（d）自上而下铣削截面几何侧视示意图，α通常为52°;（e）（f）分别展示FIB/飞秒激光束（激光无需保护层）自上而下铣削及等离子FIB摇摆抛光原理；（g）NMC正极截面经Xe+ PFIB（30 kV@200 nA）铣削形成的帘状结构

该过程首先选定样品目标区域（如特定特征、缺陷或界面），随后FIB-SEM 利用带电离子束与GIS系统在目标区沉积数微米厚的保护层（常用铂 Pt 或钨 W ）。继而采用聚焦离子束（Ga+，Xe+，Ar+， O+）或飞秒脉冲激光束（TriBeam系统）逐层铣削形成截面。离子束/激光束可精准控制以实现纳米级分辨率截面。Ga+传统FIB 通过自上而下铣削（图3e）获得洁净截面（图3c ），而等离子FIB类似铣削会形成周期性表面起伏，即帘状结构（图3g）。可通过加厚保护层（∼ 10μm厚 ）或摇摆抛光法改善。如图3f所示，摇摆抛光通过在两个固定角度位置±<6 deg 周期性交替铣削实现。光束类型选择主要取决于目标区域尺寸与所需截面大小。因铣削速率限制，Ga+ 聚焦离子束（FIB）用于制备宽度小于50μm、深度小于 20μm的微小截面（如图3b和3c所示）。等离子体聚焦离子束（PFIB）可制备宽度达数百微米、深度与宽度相当的更大截面，而飞秒脉冲激光聚焦束能制备毫米级宽深的截面。图4比较了用Ga+ FIB、Xe+ PFIB和飞秒激光束制备的镍锰钴氧化物（NMC）阴极的横截面尺寸。

图4 Ga+ FIB、等离子FIB与飞秒激光束制备典型截面尺寸对比，箭头指示铣削方向

在铣削过程中，扫描电镜（SEM）柱体同时利用二次电子（SE）或背散射电子（ BSE ）进行快速成像，实现加工进度监控与实时调整。FIB-SEM联用系统的成像功能可获取样品结构信息，辅助选定最佳截面位置。达到目标深度后，可通过多种表征技术对截面样品进行分析（如EDS、EBSD、FIB-SIMS技术等）。随后对收集到的图像和数据进行后处理，如降噪处理、微观结构特征分割、元素EDS图谱或晶体取向图谱生成等。后处理步骤通常采用机器学习（ML）算法，如图像去噪和图像分割。数据量化与报告生成标志着数据采集分析流程的完成。

3、旋转铣削

等离子体聚焦离子束旋转铣削（PFIB-SM）是较新的FIB应用技术。如图5a示意图所示，该技术复现了宽离子束（BIB）抛光系统的铣削几何构型。PFIB-SM采用小于5°的低掠射角对平面进行加工，聚焦离子束在设定的矩形或椭圆形区域内快速铣削。通过设置多个固定载物台旋转位（而非连续旋转）实现旋转铣削。FIB-SM典型加工区域直径为300 μm，但也可扩大至∼1 mm。该方法支持载物台轴向与非轴向位置的加工（图5b）。

图 5（a）旋转铣削几何原理图；（b）旋转铣削各步骤工作台与探测器位置（包含同轴/离轴抛光、SEM成像、EDS面扫描及EBSD数据采集）；（c）软件拼接 Xe+等离子FIB旋转铣削双目标区的高分辨率SEM图像；（d）（e）分别为抛光区域微观结构的SEM二次电子像与背散射电子像；（f）旋转铣削制备-执行-分析全流程。

图 5（a）旋转铣削几何原理图；（b）旋转铣削各步骤工作台与探测器位置（包含同轴/离轴抛光、SEM成像、EDS面扫描及 EBSD数据采集）；（c）软件拼接Xe+等离子 FIB旋转铣削双目标区的高分辨率SEM图像；（d）（e）分别为抛光区域微观结构的SEM二次电子像与背散射电子像；（ f）旋转铣削制备-执行-分析全流程。

二、三维连续切片层析成像

三维连续切片层析成像（3D Serial Sectioning Tomography）是一种通过连续获取样品二维截面图像并重建三维结构的成像技术，广泛应用于材料科学、生物医学等领域。其核心原理是利用高精度切片设备（如聚焦离子束FIB、超薄切片机或显微镜）对样品进行逐层切割，结合成像系统（如SEM、TEM或显微镜）获取每一层的图像，最终通过算法将二维图像叠加为三维模型。

聚焦离子束三维连续切片层析成像是一种原位定点分析技术。该技术通过沿第三维度连续切片，扩展了2D截面分析能力，实现了目标区域三维成像与分析。它结合了Ga+聚焦离子束（FIB）、等离子体FIB、飞秒聚焦激光束技术精密铣削以及扫描电镜（SEM）成像与能谱分析（EDS）/电子背散射衍射（EBSD）等分析方法的优势，可从材料连续切片中获取高分辨率数据。专用软件实现了连续切片与数据采集的全自动化，确保可重复性、精确性和无人值守操作。图6展示了典型切片制备与分析流程步骤，深绿色标记步骤表示经连续切片软件授权执行FIB和PFIB操作。使用飞秒激光束进行连续切片时，需手动激光预处理目标区域，自动化功能通过激光设备用户界面实现。

图6（a）连续截面制备与分析流程步骤，深绿色标记步骤由连续切片软件控制；（b）标注连续截面特征部位的FIB图像；（c）SEM二次电子图像；（d）连续截面几何构型的侧视示意图，其中α通常为52°

首先将一个典型尺寸（几毫米）的样本固定在SEM样品台上。原位分析始于选定样品目标区域，该区域可通过手动或自动连续切片软件制备。此阶段FIB柱会在目标区域（ROI）沉积保护层（通常为铂或钨），并在其后加工较小定位台，台面铣削基准标记用于精确定位连续切片束流（图6b）。随后铣削侧槽与前槽，设定连续切片参数:包括束流能量与电流、切片厚度与深度、切片数量，以及等离子体FIB的摇摆抛光条件，同时定义SEM成像和/或EDS/EBSD图谱参数。FIB与SEM参数设定完成后，启动3D自动化数据采集程序。飞秒激光束、SEM柱、样品台及TriBeam系统外围设备均由激光用户界面预设程序或定制Python脚本控制。所选束流类型主要取决于ROI的深度位置与尺寸。Ga+ FIB因铣削速率限制，适用于近表面约20×20×20 μm3体积分析；等离子体FIB可实现更深层表面穿透及约200×200×200 μm3三维成像；而飞秒激光束能处理毫米级深埋ROI（包括低温条件），并可对近1 mm3体积材料进行连续切片。

三维数据集采集完成后，需进行适当的后处理以实现微观结构特征的精确提取，并在数据分析阶段完成建模。首先需使用3D渲染软件对切片进行坐标配准，此步骤可校正数据采集过程中因图像漂移、电子束偏移和样品台位移产生的误差。配准方法包括平移、刚性变换、各向异性缩放和仿射变换等。随后需进行剪切变换处理——由于聚焦离子束（FIB）垂直切割样品，而扫描电镜（SEM）以52°夹角对截面成像，导致SEM图像中感兴趣区域（ROI）移至y轴方向，在三维重建时会改变数据结构，需通过剪切变换还原形变结构。完成切片配准和剪切变换的三维重构后，需先进行图像分析与分割才能开展定量计算与建模。图7展示了从数据采集到最终分割的全流程。经过切片-成像流程（图7a-b）后，样品表面不平整通常会在SEM图像中产生垂直条纹伪影（即帘幕效应，图7c）。消除此类伪影需对整个SEM图像堆栈进行快速傅里叶变换（FFT），频域中条纹表现为强方向性分量，可通过楔形滤波器有效去除（图7d）。FFT滤波后，对背散射电子（BSE）图像施加高斯滤波以去除高频噪声，同时最大限度保留数据特征（图7e）。最后采用阈值分割法结合顶帽变换，根据灰度差异精确分割各相，获得清晰相界（图7f）。当不同物相被精确分割后，将对三维数据集进行结构量化以深入解析样品结构。需特别说明，原始图像质量（各相间对比度及制样/成像伪影控制）始终是决定分割精度的最关键因素，因为任何图像处理操作在消除伪影的同时都会引入误差。

图7 单个NMC颗粒的SEM-FIB连续切片及数字处理流程：（a）ROI区域的SEM表面图像；（b）连续切片结构的截面图像；（c）FIB切片流程获取的背散射电子（BSE）图像；（d）图像堆栈重建前采用FFT滤波器消除所有BSE图像中的垂直条纹伪影；（e）图像堆栈重建前采用高斯滤波器消除所有BSE图像中的统计噪声背景；（f）经裁剪的BSE实验图像堆栈（尺寸256×256像素），应用阈值分割和顶帽变换后制备的分割数据集孔隙图像。

三、TEM薄片制备

虽然透射电子显微镜（TEM）是研究纳米级微观结构不可或缺的工具，但获得准确的TEM分析结果关键在于高质量的TEM薄片样品。传统制样技术如抛光和离子研磨存在固有缺陷，包括样品损伤率高和制备精度有限。此外，在样品中高效定位和提取目标观测区域（ROI）也存在挑战。聚焦离子束（FIB）技术提供了理想的解决方案，有效克服了这些局限。FIB通过精确控制的离子束实现高分辨率样品制备，相比传统方法显著减少样品损伤并大幅提升制备效率，使得复杂结构的有效分析成为可能。凭借其卓越效能，FIB已成为材料科学、生物学和半导体工业等多个领域广泛采用的样品制备技术。

以NMC正极材料为例（图8所示），通过FIB-SEM制备TEM样品的标准流程包括：ROI定位、保护层沉积、块状区域铣削、底部切割、样品提取、铜网焊接和最终减薄等关键步骤。为确保样品质量，某些步骤需特别注意。当样品表面信息至关重要时（如图8b），保护层沉积不可或缺——未经保护直接铣削将导致25~40 nm表面损伤。决定薄片质量的最终减薄步骤中，低电压清洁工艺尤为关键。在初始高电压FIB加工阶段（如 30 kV Ga+离子束），暴露表面会因Ga+离子轰击形成约20 nm厚的非晶层。对于采用30 kV Ga+ FIB制备的 100 nm 厚度样品，该有害层会增厚至40 nm左右，严重影响高分辨率TEM分析。低电压FIB清洁工艺能有效改善此问题，采用5 kV或2 kV等较低加速电压可将非晶层厚度分别减至约6 nm和3 nm，这对获得高质量TEM分析结果至关重要。

图8 NMC正极材料TEM样品制备流程：（a）ROI定位的SEM图像；（b）碳前驱体气体沉积保护层；（c）保留目标区域的块状铣削；（d）样品提取的底部切割；（e）针尖吸附样品提取过程；（f）铜网焊接准备减薄；（g）减薄至电子透明厚度；（h）减薄后SEM-STEM结构成像分析

尽管FIB技术已成熟应用于TEM样品制备，某些难题仍需特殊策略应对。镓离子束轰击和注入造成的损伤会干扰结构分析，应采用惰性离子制备方法。此外，聚焦离子束加工可能导致样品热损伤，此时需采用冷冻FIB制样技术。

1、利用 SEM 分析找到感兴趣的区域，表面尽量平整。选定目标微区（长×宽约为15 μm×2 μm），并在该微区内选定一个特征点置于画面中心，倾转样品台至样品表面与离子束垂直（～54°）。

为了避免在此过程中离子束对样品表面的“误伤”，通常还需利用电子束及离子束沉积的方式在该目标微区表面预先沉积约～1 μm厚的Pt或C，作为保护层（配合气体注入系统，GIS）（图a）

2、待样品倾转到合适角度并移动到视野中心位置后，利用离子束在保护层上下两侧紧邻区域向纵深方向挖出两个凹型槽，初步将目标样品暴露出来（图b）。这个过程通常先采用大束流进行粗切，当靠近目标样品时需要降低离子束束流进行精细切割，直到宽度约1.5 μm。然后，通过转动样品台的倾角至0～10°，并通过离子束继续切割将目标样品的底部及其一个侧边与母样断开。此时，目标样品与母样只有一个侧边相连。

3、移动纳米操作手，使其尖端缓慢接近样品，按针尖与样品的距离选择合适的速度（即保证移动相应距离约需5～10 s）。待针尖轻轻接触到目标样品顶部的端口位置，采用GIS系统对连接处进行Pt沉积（30 kV，20～50 pA），从而将目标样品与纳米操作手相连。之后，采用离子束将目标样品与母样从另一边完全切离，并移动纳米操作手将目标样品从母样中缓慢提出（图c）。

4、将FIB专用的TEM载网竖直放入到专用样品台中，并在FIB中将载网倾转和样品同样的角度，缓慢上移至最优中心处。移动纳米操作手使目标样品缓慢下降，轻轻贴到载网上，然后利用GIS系统在目标样品与TEM载网的接触点上沉积Pt并连接，连接牢固后利用离子束切割将操作手的针尖与目标样品进行断开，撤出针尖。

5、对已经固定在FIB专用TEM载网上的目标样品进行二次减薄和精修。为了保护样品表面不被离子束很快刻蚀掉，样品刻蚀角度需偏转1.5°。随着样品减薄，其易受损伤程度增加，因此需要逐步降低束流，最终达到所需厚度（通常为～100 nm）（在电子束5 kV或3 kV透亮）。

加工注意事项：

FIB刻蚀过程中，电荷容易在样品表面积累产生荷电效应，从而造成样品的漂移，通常需对样品表面进行比常规SEM分析更厚层的镀碳或镀金处理。

FIB-SEM制备出的FIB超薄样品为微米大小纳米厚度，只有两个连接点与TEM载网相连，在后续的转移和实验过程极易遭受外力破坏。建议将FIB超薄片样品妥善保存在超弹膜盒中，压紧防止其自由移动。

作为结合聚焦离子束精准材料加工与扫描电镜高分辨率成像的技术，FIB-SEM显著加速了材料发现与优化进程。其表征能力包括截面制备与成像、 三维断层分析，以及样品修饰（如TEM薄片制备），可实现多维结构解析。结合FIB-SEM内置的能谱（EDS）、电子背散射衍射（EBSD）和二次离子质谱（SIMS）等多重分析功能，进一步强化了宏观性能与微观现象之间的关联认知。

此综述至此完结，综述其余部分为电池相关内容，包括FIB-SEM在电池材料表征中的应用等，若需深入了解，可参阅完整文献。

参考文献：

FIB-SEM: Emerging Multimodal/Multiscale Characterization Techniques for Advanced Battery Development

Chemical Reviews 2025 125 (11), 5228-5281

DOI: 10.1021/acs.chemrev.4c00831