半导体存储器

半导体存储器是用半导体集成电路工艺制成的存储数据信息的半导体电子器件。以下是关于半导体存储器的详细介绍：
分类：

随机存储器（RAM）：

*静态随机存储器（SRAM）：

其基本存储电路主要由 R-S 触发器构成，只要电源供电，存入的数据就可以保存和读出。具有速度快、稳定性高的优点，但集成度相对较低、功耗较大，常用于高速缓存等对速度要求较高的场景。例如一些高端处理器的缓存就会使用 SRAM。*

动态随机存储器（DRAM）：

数据以电荷形式存放在电容之中，一般以无电荷代表 “0”，有电荷代表 “1”。由于电容存在漏电问题，即使不断电，信息也会慢慢衰减，所以需要定期刷新来维持数据。DRAM 的集成度高、成本低、容量大，是计算机主内存的主要选择。*

只读存储器（ROM）：

掩模 ROM（MROM）：

在制造过程中，数据通过掩膜工艺被永久性地写入，一旦做好，其内容就不能更改，适合存储成熟的、不需要修改的固定程序和数据，如计算机的开机自检程序等。

可编程 ROM（PROM）：

由厂商生产出的空白存储器，用户可以根据需要利用特殊方法写入程序和数据，但只能写一次，写入后信息就固定了。

可擦除可编程 ROM（EPROM）：

编写后，如果需要擦除，可以用紫外线灯照射进行擦除，然后用户可再编程。

电可擦除可编程 ROM（EEPROM）：

可以通过电来进行擦除和改写，并且不需要把芯片拔下插入编程器编程，在用户系统中即可进行操作，常用于存储一些需要经常修改的参数，如主板的 BIOS 设置等。

闪存（Flash Memory）：

属于非易失性存储器，在电源关闭后仍能保持片内信息。具有成本低、密度大、可快速读写等优点，广泛应用于固态硬盘、U 盘、手机存储等设备。
结构：
存储矩阵：由存储单元呈二维排列组成，是存储器的存储体，用于存放数据。
译码驱动电路：主要用于翻译地址线，根据输入的地址信号确定被选中的存储单元。
读写控制电路：用来控制存储器的读写操作，根据控制信号决定是进行读取数据还是写入数据。
性能指标：
容量：通常表示为字数（存储单元数）乘以字长，单位为位（bit）或字节（Byte）。例如，一个 8K×8b 的存储器，表示有 8K（8×1024 = 8192）个存储单元，每个存储单元可以存储 8 位数据，总容量为 8192×8 = 65536 位。
存取时间：访问一次存储器（对指定单元写入或读出）所需要的时间，一般为几纳秒到几百纳秒。存取时间越短，存储器的速度越快。
功耗：指每个存储元（bit）消耗功率的大小，单位为微瓦 / 位（µW / 位）或毫瓦 / 位（mW / 位）。低功耗对于移动设备等对电量要求较高的场景非常重要。
可靠性：对电磁场及温度变化等的抗干扰能力，以及无故障时间等。可靠性高的存储器能够保证数据的准确存储和读取。
优点：
集成度高：可以在较小的芯片面积上集成大量的存储单元，有利于提高存储容量和降低成本。
存取速度快：半导体存储器的读写操作速度较快，能够满足现代电子设备对高速数据处理的需求。
体积小：半导体芯片的体积小，可以使电子设备更加紧凑和便携。
功耗低：相比于其他类型的存储器，半导体存储器的功耗相对较低，有助于延长电子设备的电池续航时间。
半导体存储器在现代电子设备中起着至关重要的作用，广泛应用于计算机、手机、平板电脑、数码相机等各种电子设备中。
静态随机存储器SRAM



金属——氧化物半导体场效应晶体管MOSFET









以上就是二极管的工作原理









动态随机存储器DRAM










上述是一个自毁型操作——这将事情变得复杂
那么怎么将他变得更有可靠性

这条线称为位线



那如何不擦除数据呢
将位线充电到工作电压一半——这里是0.5V

由于栅极打开，电容电压>位线电压——放电——位线电压上涨
电容电压<位线电压——充电——位线电压下降



但由于位线电压不能存在很长时间，所以当检测放大器检测到值就存储起来——然后位线放电（放电后感应放大器还能输出指定行的值）——但如果想要一个特定点的值咋办

然后使用地址输入来确认——哪一个发送到输出线


那么如何去写数据呢——解复用器——Demultiplexer


多路复用器和解复用器——mux—demux





另一个问题


刷新——先读取——然后充电刷新——但总是一行一行的刷新——在没有行刷新时进行读和写操作
这就造成了在刷新时不能读和写——因为电路被占用了——CPU就会被延迟

不同时使用这设计到了CPU
动态随机存储器比静态——造价便宜——读写速度慢等不同特点