【PDN仿真笔记9-使用Sigrity PowerDC进行IR Drop仿真的方法】

PDN仿真笔记9-使用Sigrity PowerDC进行IR Drop仿真的方法

使用PowerDC进行IR Drop的仿真,分析电源平面的电压跌落及电流密度的分布情况,有利于对电源平面压降、电流载流瓶颈进行分析。

(1)打开IR Drop仿真流程

按照如下流程打开一个设计文件
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(2)仿真基本配置

按照PowerSI中的配置方式,对叠层进行配置
PDN仿真笔记6-使用Sigrity PowerSI进行PDN仿真的方法1
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设置待仿真电源网络
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可以按照元器件进行自动选择,如下

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设置电源电压

<think>嗯,用户想了解Sigrity电源仿真中VRM和Sink参数的设置方法。首先,我需要回忆一下之前学过的关于电源完整性的知识,特别是Cadence Sigrity工具的使用。根据用户提供的引用内容,引用[1]提到了Power DC的仿真流程,引用[3]则讨论了VRM和电容在电源完整性中的作用。这些可能是关键点。 首先,VRM(电压调节模块)在仿真中代表电源的来源,负责提供稳定的电压。而Sink通常是消耗电流的器件,比如芯片或负载。设置这两个参数的正确性直接影响到IR Drop分析的准确性。用户可能在进行直流压降仿真时遇到了问题,或者想确保他们的配置步骤正确。 接下来,我需要整理具体的设置步骤。根据引用[1],仿真开始需要选择模式和导入文件,所以第一步应该是打开Power DC并导入相应的PCB文件。然后,在设置VRM时,需要定义电压值、阻抗模型以及工作条件。例如,在Power DC中,可能需要右键点击网络,分配VRM模型,输入电压值如1.8V,并选择理想的电压源或者更复杂的模型。同时,设置工作温度等参数,这些会影响导体的电阻率。 然后是Sink的设置,这里需要分配电流或功耗模型。用户可能需要根据芯片的功耗数据,输入最大电流值,比如2A,或者使用动态功耗曲线。引用[3]提到优化PDN阻抗需要考虑VRM和电容,所以Sink的电流特性对整体阻抗分析也很重要。 另外,仿真参数配置部分,引用[2]提到了前仿真生成电容方案,所以网格划分的精度和收敛条件也需要详细说明。比如,网格大小设置为0.5mm,收敛阈值0.5%等,这些参数会影响仿真结果的准确性和计算时间。 用户可能还想知道常见问题,比如如何验证模型是否正确,或者如何处理仿真不收敛的情况。这时候需要检查VRM和Sink的连接,或者调整网格设置。此外,他们可能需要参考资料,比如Sigrity的官方文档或应用笔记,来进一步深入理解。 最后,生成的相关问题应该围绕用户可能的后续疑问,比如前仿真中的电容优化、不同负载条件下的分析,以及如何验证设置的正确性。这些问题能帮助用户更全面地掌握电源仿真的各个方面。 总结一下,回答需要分步骤讲解VRM和Sink的设置流程,结合引用中的操作步骤,并给出实际例子和常见问题解决方法,确保用户能够按照指导进行正确的参数配置。</think>### Sigrity电源仿真中VRM与Sink参数配置步骤 在Sigrity电源完整性仿真中,VRM(电压调节模块)和Sink(负载端)的参数设置直接影响直流压降(IR Drop)和电源分布网络(PDN)阻抗分析的准确性。以下是具体操作流程: --- #### **1. VRM参数配置** **作用**:VRM代表电源源头,需定义其电压输出特性与阻抗模型。 **操作步骤**: 1. 在Power DC中导入设计文件后,右键点击目标电源网络(如`VDD_1V8`),选择`Assign VRM`[^1]。 2. 设置输出电压值(如$V_{\text{out}}=1.8\ \text{V}$),选择理想电压源或导入实测/仿真得到的VRM阻抗曲线(S参数或RLGC模型)[^3]。 3. 配置工作条件:如温度(默认$25^\circ\text{C}$)、负载瞬态响应等(需根据实际VRM规格书填写)。 **示例**: ```plaintext VRM Type: Ideal DC Source Voltage = 1.8V Impedance Model: 0.1mΩ (理想情况忽略寄生参数) ``` --- #### **2. Sink参数配置** **作用**:Sink表示负载端(如芯片),需定义其电流或功耗模型。 **操作步骤**: 1. 右键点击负载器件(如CPU芯片的电源引脚),选择`Assign Sink`。 2. 输入静态电流值(如$I_{\text{max}}=2\ \text{A}$)或动态电流波形(需导入CSV文件)。 3. 若需精确建模,可关联芯片的功耗模型(如基于活动因子的电流曲线)。 **示例**: ```plaintext Sink Type: Constant Current Current = 2A Location: U1_VDD (芯片电源引脚网络) ``` --- #### **3. 仿真参数配置** 1. **网格划分**:设置合适的网格大小(如$0.5\ \text{mm}$),确保电流密度分布精度。 2. **收敛条件**:调整求解器迭代次数与残差阈值(如$0.5\%$)以平衡速度与精度[^2]。 3. **材料属性**:检查导体电导率(如铜为$5.8\times10^7\ \text{S/m}$)与介质层厚度。 --- #### **常见问题与验证** - **Q1**: 如何验证VRM/Sink模型是否正确? **A**: 运行仿真后查看电流流向图,确认电流从VRM流向Sink,且无短路/开路警告。 - **Q2**: 仿真结果与实测偏差大? **A**: 检查VRM阻抗模型是否包含高频特性(如去耦电容影响),或Sink电流是否为最坏场景。 ---
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