【计组】3.3 半导体随机存储器

本文详细介绍了主存储器的基本组成,特别是半导体随机存储器(DRAM)的工作原理。存储体由存储单元构成,存储单元由包含MOS管和电容的存储元组成。DRAM的特性包括需要定期刷新以保持数据,地址线复用技术用于减少地址线数量。此外,文章还对比了DRAM和静态SRAM的特性,指出DRAM适用于主存,而SRAM常用于Cache。

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主存储器基本组成

半导体元器件原理

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· 存储器主要由存储体、地址寄存器、数据寄存器组成(图左上);这三部分在时序控制逻辑电路的组织下有条不紊的进行工作(图右上);简而言之就是存储芯片由存储器和控制电路组成
· 存储体(图右下)由存储单元构成,存储单元由存储元构成;
· 存储元(图左下)是一个电路,包含2个半导体元件:MOS管、电容;
· MOS管:输入高电压即可导通,不加电压或低电压则绝缘
· 电容:2个金属板和中间的绝缘体构成;给上金属板加高电压,地下金属板接地为0,则上下产生电压差,电容开始充电,电容上保存了电荷则对应二进制的1;
· 读取二进制:给MOS管加高电压,MOS管接通,电容里有电荷可以向外流出,则就是二进制的1
· 多个存储元相互连接,上边的红线连着存储元的MOS管,当红线加高电压,即MOS管都接通,如果绿色线检测到有电流,则该存储元存储了二进制1,一次性可以读出一整行存储元存储的二进制信息,一整行存储元就是一个存储单元也是一个存储字- - - 一个存储单元(一个存储字)的存储元的MOS都连在一根线上

存储芯片的组成原理

在这里插入图片描述· 译码器(图坐下):根据MAR给出的地址,将 某1条 字选线变成高电平信号;每1 个地址对应译码器的 1 跟字选线,MAR有n位,则译码器有2的n次方跟字选线
· 本存储单元的字选线上有高电平信号时,存储单元内的每个存储元的数据线(位线)(图右上绿色线)会将存储元内的电流信号串给MDR,从而读出本存储单元的内容
· 上图所示芯片只有译码器、MAR、MDR还不够完整,还需要增加控制电路(如下图),才是一个存储芯片
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· 控制电路:控制译码器、MAR、MDR
· 作用一:MAR和译码器
···········CPU通过地址总线将地址信息传送给MAR,使用电信号传送难免会有不稳定的情况出现,所以当MAR中的电信号稳定下来之前,MAR中的地址信号是不能送给译码器的;只有MAR中的电型号稳定下来后,控制电路才会打开译码器的开关;
· 作用二:MDR和数据总线
···········只有MDR中的电信号稳定后,控制电路才会允许MDR将内容传给数据总线
· 作用三:芯片是否处于可工作状态
···········片选线CE或CS被加上低电平的时候,这个芯片才处于可工作状态,类似于这个芯片的“总开关”
· 作用四:读写状态表示
··········有2中表示策略,一种是读控制线和写控制线分开,当读控制线被加上低电平时,表示现在要进行度操

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