【PCB设计原则7】-驱动布局优先原则

MOS 驱动 电路 设计

等效驱动电路： L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V 令驱动电流 得到关于Cgs上的驱动电...

View Min Level 快捷键“Ctrl+f”，显示顶层（Top Level）的Layout内容。当新建或打开一个Cell时，就处于这个Cell的Top Level，也可以称为Level0；如果在Level0调用了另一个Cell，那么被调用Cell的内部就是Level1；如果被调用的Cell还包含了其它Cell，那么被包含的Cell内部就是Level 2…… 显示Top Level的效果是...

驱动芯片的Ipk，IGBT的开关特性测定电阻，栅极振荡，Ic\Vce过冲，EMI（C.dV/dt）,短路电流/Vds。过载保护、欠压闭锁（UVLO）、短路保护、过温保护、最小脉冲抑制、死区、半桥互锁。驱动电压越高，导通电阻越小，但短路电流越大。8K 125us 开关时间750ns*2。以防止弥勒效应产生的误导通。栅极和源极之间添加一个下拉电阻。测试短路保护等功能，短路时的。Vce，Vge、Ic波形。靠近MOSFET放置。驱动IC需低阻抗电源。Ciss*100倍。

<br />摘要:本文将对MOSFET的种类,结构,特性及应用电路作一简单介绍,并控讨了一下MOSFET驱动电路设计问题<br />   在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。<br />    <br />1、MOS管种类和结构<br />    MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N

栅极驱动器和功率 MOSFET 的放置对于前置驱动器电机驱动解决方案的正确运行和性能优化至关重要。对于具有集成 MOSFET 的电机驱动器，例如 TI的DRV8870、DRV8313、DRV10987、DRV10983-Q1 和 DRV8873-Q1，在内部已完成了正确布线。对于 DRV8701、DRV8304、DRV8306、DRV8323、DRV8343-Q1 和 DRV8353 等栅极驱动器，仔细规划 PCB 的布局和功率 MOSFET 的放置方式非常重要。

 参考了一些PCB布线的文章，主要是MOS驱动的，做一下记录。 网址：http://bbs.21dianyuan.com/thread-174480-1-1.html 要领： 布局，地线，间距 开关电源在布线上最大的特点是拓扑引起的高频（高压）强电流与控制级的弱电信号交织在一起，首先要保证强电流的存在不干扰电源内部的控制信号，其次要尽量减少对外部的干扰（EMC）。一句话：要运行

1.从客户角度考虑 ---丝印层的艺术 2.

MOS驱动电路学习

本文还有配套的精品资源，点击获取 简介：IGBT作为一种功率半导体器件，在电力电子领域应用广泛，其驱动电路设计对系统性能至关重要。本资料深入解析IGBT工作原理、驱动电路的重要性、设计要素、实现方法及设计注意事项，旨在指导工程师和学者进行强驱动电路的设计。重点包括如何通过精确控制IGBT栅极电压以实现快速开关，以及如何提供电气隔离和保护功能，确保电路的可靠性和稳定性。 ...

文章目录1.布局注意事项2.走线的注意事项2.1.逆变桥的大电流回路尽量短（Vbus GND UVW）2.2逆变桥和Vbus地之间的电容尽量靠近MOS管2.3.预驱动芯片的地不能与Vbus的地直接连接2.4.采样电阻的信号必须从焊盘上引出线2.5.自举电容需要连接到上MOS管的S端2.6.模拟地和数字地分开，进行单点接地3.何为单点接地4.PCB的其他注意4.1.铜厚线宽和过流的关系4.2.过孔和走线尺寸4.3.布线输入和输出不要混连4.4.重要信号线尽量不要过孔4.5.丝印的取值4.6.走线优先级4.7.

一些PCB的布局布线要点

MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。在驱动电平处理比较好的驱动电路中，R3、C2是可以去掉的，这时需要调节R1使驱动波形不至于产生共振干扰，同时还要满足一定的驱动效果，比如合适功率管应力指标以及合适的功率管发热。如下图8中VT4管的存在是增加了MOS管栅极到低电平的回路，VT4可以选择三极管，但三极管的导通需要基极偏置，三极管不能工作完全饱和状态，抽取电荷的能力也是有限的。但桥式多管电压变换中驱动也是需要隔离的。

它由两个反向并联的驱动器组成，一个驱动器用于将MOS管的栅极驱至高电平，另一个驱动器用于将MOS管的栅极驱至低电平。通过交替地控制两个驱动器，推挽驱动电路能够实现对MOS管的正向和反向驱动，从而实现信号的放大和输出。它由两个驱动器组成，一个驱动器用于控制上面的MOS管，另一个驱动器用于控制下面的MOS管。通过交替地控制两个驱动器，半桥驱动电路能够实现对两个MOS管的正向和反向驱动，从而实现信号的放大和输出。3.输出阻抗要低：低的输出阻抗能够保证驱动电路的输出电压稳定，从而提高 MOS 管的开关性能。