qq_45151652的博客

晶体管：双极（1947年，Bardeen-Shockley-Brattain，贝尔实验室）和场效应（1926年，Lilenfeild；20世纪60年代-生产）沉积 - 使用 CVD/PVDlon 注入添加材料（SiO2、氮化物、多晶硅、金属）的工艺 - 添加杂质或掺杂的工艺 (ni → NA, No)-第一个IC（1958年，基尔比，德州仪器）->TI #502是第一个商业IC（1960年，德州仪器）蚀刻 - 使用湿法（化学）或干法（等离子）工艺去除材料（Si、SiO2、多晶硅、金属）的工艺。

如果是看箭头方向的话，这两个可完全不一样。