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MIS6327-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **LED照明应用**:LED驱动电路需要高效的功率开关器件来提供恒定的电流和亮度控制。1. **电源管理模块**:MIS6327-VB可用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统。4. **工业自动化**:MIS6327-VB可用于工业控制系统中的开关电源单元、电动执行器和电磁阀驱动器。2. **电动汽车系统**:在电动汽车中,MIS6327-VB可用于电池管理、电机驱动和充电系统。5. **医疗设备**:在医疗设备中,MIS6327-VB可用于电源管理模块、传感器接口和驱动器。原创 2024-10-12 13:43:05 · 283 阅读 · 0 评论 -
ME3424D-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为30mΩ,在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为1.2V。1. **移动设备**:ME3424D-VB适用于设计手机充电管理模块、平板电脑充电器等移动设备电源管理模块,由于其小巧的封装和低导通电阻,在移动设备中占用空间少,能够提供高效的电源管理功能。2. **电源管理**:在需要小型化、高效率的电源管理领域,ME3424D-VB可以应用于各种小功率电源模块,例如便携式充电器、电池管理系统等,能够提供稳定可靠的电源输出。原创 2024-10-11 14:22:03 · 274 阅读 · 0 评论 -
IPD220N06L3-G-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
产品简介:IPD220N06L3-G-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道场效应管。3. 汽车电子系统:在汽车的电子系统中,IPD220N06L3-G-VB可以用于控制车辆的各种电气设备,如电动窗、座椅调节器等,确保其高效稳定的运行。1. 电机驱动:IPD220N06L3-G-VB可用于驱动各种类型的电机,如直流电机和步进电机,以控制其速度和方向。4. 工业控制:在工业控制领域,该器件可用于各种自动化设备和机器的控制,提高系统的响应速度和效率。- 型号:IPD220N06L3-G-VB。原创 2024-10-11 14:20:45 · 165 阅读 · 0 评论 -
MCH6448-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
其主要特点包括30V的耐压,最大6A的漏极电流,以及在VGS=10V时的RDS(ON)为30mΩ。综上所述,MCH6448-VB在电池管理、电源转换器、LED驱动器和消费类电子产品等领域和模块中具有广泛的应用潜力,特别适用于需要小尺寸、低功耗和高效率的电子设备和系统。1. 电池管理:在移动设备、便携式电子产品和无线传感器网络中,用于电池充放电管理和功率开关。2. 电源转换器:在小型DC-DC转换器和开关电源中,用于电源管理和稳压调节。- VGS=20V时:(需要进一步补充)- 封装:SOT23-6。原创 2024-10-11 14:17:35 · 344 阅读 · 0 评论 -
M2704-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻:** 20mΩ (N 沟道) / 70mΩ (P 沟道) @ VGS=4.5V - 在特定工作条件下(VGS=4.5V),分别为 N 沟道和 P 沟道的导通电阻。2. **最大电流:** 7A (N 沟道) / -4.5A (P 沟道) - 分别为 N 沟道和 P 沟道的最大导通电流。4. **阈值电压:** 0.71V (N 沟道) / -0.81V (P 沟道) - 分别为 N 沟道和 P 沟道的沟道导通所需的门源电压。**通道类型:** 2个N+P 沟道。- 最大耐压:±20V。原创 2024-10-11 14:16:25 · 177 阅读 · 0 评论 -
M2701-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
它具有±20V的漏极-源极电压承受能力,N-Channel 沟道最大漏极电流为7A,P-Channel 沟道最大漏极电流为-4.5A。2. 电源开关:在开关电源、DC-DC 变换器等电源管理模块中,M2701-VB 的 N-Channel 和 P-Channel 沟道可以被用于高效的电源开关和电源调节。- 阈值电压 (Vth):N-Channel: 0.71V,P-Channel: -0.81V。- P-Channel 最大漏极电流:-4.5A。- N-Channel 最大漏极电流:7A。原创 2024-10-11 14:14:27 · 202 阅读 · 0 评论 -
LR4343-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON))**: 24mΩ (在VGS原创 2024-10-11 14:04:29 · 231 阅读 · 0 评论 -
LR2905-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为1.8V。2. **电动车辆**:在电动车辆领域,这种器件可以用于设计电动汽车控制模块、电动车辆充电器等,因为它能够承受高电压和大电流,同时具有较低的导通电阻,能够提高效率和性能。3. **工业控制**:LR2905-VB适用于工业控制领域的电机驱动、电源开关等模块设计,能够提供足够的电流和电压,同时具有较低的导通电阻,提高了系统的稳定性和可靠性。- 最大漏极电流(ID):45A。原创 2024-10-11 13:57:48 · 229 阅读 · 0 评论 -
LR2905C-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
其主要特点包括60V的耐压,最大45A的漏极电流,以及在VGS=10V时的RDS(ON)为24mΩ。3. 太阳能发电系统:在太阳能逆变器中起着重要作用,用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电以供电网使用。综上所述,LR2905C-VB在汽车电子、工业电源、太阳能发电和LED照明等领域和模块中具有广泛的应用潜力。2. 工业电源供应:可用于工业设备的电源管理和控制,如变频器、UPS系统以及工业电机驱动器等。4. LED照明:适用于LED驱动器电路中的功率开关,可用于控制LED照明的亮度和功率输出。原创 2024-10-11 13:56:28 · 203 阅读 · 0 评论 -
LR2805-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **工业自动化和电力电子:** 在工业自动化设备和电力电子模块中,LR2805-VB可用于开关电源、逆变器和功率放大器。3. **汽车电子系统:** 在汽车电子系统中,LR2805-VB可用于发动机控制单元、车载充电器和电动汽车控制器。1. **电源管理系统:** LR2805-VB可用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器和充电电路。2. **电动工具和家用电器:** 在电动工具和家用电器中,LR2805-VB可用于电机驱动器、电源开关和电源管理模块。在VGS=20V时,同样为24mΩ。原创 2024-10-11 13:52:16 · 168 阅读 · 0 评论 -
K162-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为1.8V。2. **电动车辆**:在电动车辆领域,这种器件可以用于设计电动汽车控制模块、电动车辆充电器等,因为它能够承受高电压和大电流,同时具有较低的导通电阻,能够提高效率和性能。3. **工业控制**:K162-VB适用于工业控制领域的电机驱动、电源开关等模块设计,能够提供足够的电流和电压,同时具有较低的导通电阻,提高了系统的稳定性和可靠性。- 额定漏极-源极电压(VDS):60V。原创 2024-10-10 14:22:50 · 313 阅读 · 0 评论 -
K1622-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
其主要特点包括60V的耐压,最大45A的漏极电流,以及在VGS=10V时的RDS(ON)为24mΩ。1. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,该器件可用于驱动电动汽车中的电机,以及控制车辆的电源开关和电池管理系统。综上所述,K1622-VB在汽车电子、工业电源、电源逆变器和高性能电源开关等领域和模块中发挥着重要作用。4. 高性能电源开关:适用于需要高功率密度和高效率的电源开关,例如服务器和通信设备中的电源管理模块。2. 工业电源模块:用于工业设备的电源管理和控制,例如变频器、工业电机驱动器和UPS系统等。原创 2024-10-10 14:17:56 · 343 阅读 · 0 评论 -
J616-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
4. **工业控制和自动化:** J616-VB可用于工业控制系统、传感器接口和电机控制器。1. **移动设备和便携式电子产品:** J616-VB适用于手机、平板电脑和便携式电子产品中的电源管理模块、充电电路和电源开关。3. **医疗设备:** J616-VB适用于医疗设备中的电源管理模块、传感器接口和电动机控制器。2. **消费电子产品:** 在消费电子产品领域,J616-VB可用于LED驱动器、音频放大器和电源管理模块。- **阈值电压(Vth):** -0.6V 至 -2V。原创 2024-10-10 14:15:57 · 400 阅读 · 0 评论 -
J612-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
1. **电源逆变器模块**: J612-VB可用于电源逆变器模块中的功率开关,例如DC-AC逆变器和UPS(不间断电源)系统。5. **工业控制模块**: J612-VB适用于工业控制系统中的功率开关和负电压驱动器,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业机器人控制模块。4. **医疗设备模块**: 由于其负电压和低电流特性,J612-VB在医疗设备中具有广泛的应用,如医用超声波发生器和电子治疗仪器等。- **阈值电压 (Vth)**: -0.6~-2V。- **型号**: J612-VB。原创 2024-10-10 14:12:32 · 255 阅读 · 0 评论 -
J580-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
4. **电源管理模块:** J580-VB 也可以用于一些低功率的电源管理模块,如低功率DC-DC转换器、稳压器等,以提供稳定的电源给其他电子设备。1. **功率开关:** J580-VB 可以广泛用作功率开关器件,适用于各种需要高电流和高频率开关的应用,包括开关电源、直流-直流转换器等。1. **最大耐压:** -60V - 产品能够承受的最大负向电压,适用于负向电压较高的场合。2. **最大电流:** -5A - 产品能够承受的最大电流,适用于中等功率应用。**型号:** J580-VB。原创 2024-10-10 14:09:59 · 285 阅读 · 0 评论 -
J579-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
其低导通电阻和高电压特性使其能够提供稳定的电流和亮度控制,从而实现节能和可调光的照明方案。例如,在移动电源、智能手机充电管理电路中,它可以作为电源开关元件,提供高效的功率转换和稳定的电源输出。J579-VB 可以用于汽车电子系统中的电源管理和控制模块。例如,在车载照明系统、车载娱乐系统和车载通信系统中,它可以作为开关元件,帮助实现电能的转换和控制,提高汽车电子系统的效率和可靠性。**J579-VB** 是由 VBsemi 品牌生产的 P-Channel 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。原创 2024-10-10 14:08:05 · 219 阅读 · 0 评论 -
J578-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
J578-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道场效应晶体管,具有-60V的漏极-源极电压承受能力和-5A的漏极电流。3. LED照明控制:J578-VB 可以用于 LED 照明控制电路中,例如调光、调色等功能,通过控制电流实现 LED 灯的亮度和颜色的调节。4. 电池保护电路:在便携式电子设备中,J578-VB 可以用作电池保护电路中的过充、过放保护器件,确保电池的安全使用。- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):58mΩ(在VGS=10V,VGS=20V时)原创 2024-10-10 14:04:29 · 225 阅读 · 0 评论 -
J563-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
2. **电池保护电路:** 在电池管理系统中,J563-VB 可用于电池保护电路,提供过放和过充保护功能。1. **电源管理模块:** 适用于低压电源管理模块,如便携式电子设备、低功耗电源转换器等应用。5. **汽车电子:** 在汽车电子领域,J563-VB 可用于车载电源管理和车辆电池保护系统,提供稳定的电源和安全的电池管理。4. **模拟控制电路:** J563-VB 在模拟控制电路中可用于电源开关和信号调节,例如模拟调节电源、电压调节器等应用。- **耐压:** -30V。**适用领域和模块:**原创 2024-10-10 14:03:04 · 346 阅读 · 0 评论 -
J562-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
DS(ON)): 50mΩ @ VGS=10V;- 门阈电压 (Vth): -0.6~-2V。- 额定电压 (VDSS原创 2024-10-10 14:01:44 · 265 阅读 · 0 评论 -
J561-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
DS(ON))**: 50mΩ (在VGS=10V时);- **阈值电压 (Vth原创 2024-10-10 11:40:25 · 278 阅读 · 0 评论 -
J179-VB一种P—Channel沟道SOT89-3封装MOS管
1. **电源逆变器模块**: J179-VB可用于电源逆变器模块中的功率开关,例如DC-AC逆变器和UPS(不间断电源)系统。4. **工业控制模块**: J179-VB适用于工业控制系统中的功率开关和负电压驱动器,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业机器人控制模块。5. **医疗设备模块**: 由于其负电压和低电流特性,J179-VB在医疗设备中具有广泛的应用,如医用超声波发生器和电子治疗仪器等。- **阈值电压 (Vth)**: -0.6~-2V。- **型号**: J179-VB。原创 2024-10-09 13:53:50 · 460 阅读 · 0 评论 -
IPD30N06S3L-20-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
DS(ON))**: 24mΩ (在VGS原创 2024-10-09 13:52:13 · 250 阅读 · 0 评论 -
IRLTS6342TRPBF-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
其低导通电阻和低阈值电压使其能够提供稳定的电流和亮度控制,从而实现高效的LED照明方案。例如,在移动电源、智能手机充电管理电路中,它可以作为电源开关元件,提供高效的功率转换和稳定的电源输出。其低阈值电压和低导通电阻使其能够实现高效的电能转换和精确的电机控制。在便携式电子产品、无线通信设备和传感器控制模块中,IRLTS6342TRPBF-VB 可以作为信号放大和开关控制器件。**IRLTS6342TRPBF-VB** 是 VBsemi 品牌生产的 N-Channel 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。原创 2024-10-09 13:50:41 · 316 阅读 · 0 评论 -
IRFD12N06RLESM-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为1.8V。3. **工业控制**:IRFD12N06RLESM-VB适用于工业控制领域的电机驱动、电源开关等模块设计,能够提供足够的电流和电压,同时具有较低的导通电阻,提高了系统的稳定性和可靠性。2. **电动车辆**:在电动车辆领域,这种器件可以用于设计电动汽车控制模块、电动车辆充电器等,因为它能够承受高电压和大电流,同时具有较低的导通电阻,能够提高效率和性能。- 沟道类型:N沟道。原创 2024-10-09 13:48:29 · 396 阅读 · 0 评论 -
IRLR3105TRPBF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
2. **汽车电子:** 在汽车电子领域,IRLR3105TRPBF-VB 可用于驱动电机、车辆充电系统和电池管理单元等高功率应用。1. **电源管理模块:** 这款场效应管可用于开关电源、逆变器和 DC-DC 转换器等功率电子应用中的电源管理模块。5. **电动工具:** 这款场效应管可用于电动工具和家用电器中的电机驱动、电池管理和功率逆变等应用。3. **工业控制:** 该产品在工业控制设备中具有广泛的应用,例如电机驱动、电源开关和电气设备的功率控制。**适用领域和模块:****详细参数说明:**原创 2024-10-09 13:46:41 · 299 阅读 · 0 评论 -
IRLR3105TRLPBF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
DS(ON)): 24mΩ @ VGS=10V;- 额定电压 (VDSS): 60V。- 门阈电压 (Vth): 1.8V。- 最大电流 (ID原创 2024-10-09 13:45:16 · 257 阅读 · 0 评论 -
IRFR1205NTRLPBF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
DS(ON))**: 24mΩ (在VGS原创 2024-10-09 13:43:29 · 269 阅读 · 0 评论 -
IRLR2805TRPBF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为1.8V。3. **工业控制**:IRLR2805TRPBF-VB适用于工业控制领域的电机驱动、电源开关等模块设计,能够提供足够的电流和电压,同时具有较低的导通电阻,提高了系统的稳定性和可靠性。2. **电动车辆**:在电动车辆领域,这种器件可以用于设计电动汽车控制模块、电动车辆充电器等,因为它能够承受高电压和大电流,同时具有较低的导通电阻,能够提高效率和性能。- 沟道类型:N沟道。原创 2024-10-09 13:42:01 · 222 阅读 · 0 评论 -
IRLMS1902TRPBF-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
DS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V;- 额定电压 (VDSS): 30V。- 门阈电压 (Vth原创 2024-10-09 13:40:20 · 295 阅读 · 0 评论 -
IRLMS1503TRPBF-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
DS(ON))**: 30mΩ (在VGS原创 2024-10-09 13:38:08 · 334 阅读 · 0 评论 -
ME35N06-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
4. **工业自动化和电力电子:** 在工业自动化设备和电力电子模块中,ME35N06-VB可用于开关电源、逆变器和功率放大器。3. **汽车电子系统:** 在汽车电子系统中,ME35N06-VB可用于发动机控制单元、车载充电器和电动汽车控制器。1. **电源管理系统:** ME35N06-VB可用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器和充电电路。2. **电动工具和家用电器:** 在电动工具和家用电器中,ME35N06-VB可用于电机驱动器、电源开关和电源管理模块。原创 2024-10-08 15:47:07 · 330 阅读 · 0 评论 -
IM2710G-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
3. *电流控制:* 由于其双N+P沟道设计,IM2710G-VB可以用于电流控制电路中,例如电流源、电流限制器或电流调节器,以实现对电路中电流的精确控制。1. *电源管理:* IM2710G-VB可用于设计双极性电源管理模块,用于需要同时控制正负电压的场合,例如电路中需要正负电压切换或转换的应用。4. *混合信号电路:* 在需要同时处理正负电压的混合信号电路中,IM2710G-VB可以发挥重要作用,例如模拟前端电路、电压/电流转换器等。- 阈值电压(Vth):0.71V(正沟道)、-0.81V(负沟道)原创 2024-10-08 15:45:54 · 312 阅读 · 0 评论 -
HUFA76429D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
综上所述,HUFA76429D3S-VB在功率电子领域的各种应用中都有广泛的适用性,包括电源管理、电机驱动、电池保护和照明应用等领域,为这些领域提供可靠的性能和效率。1. 电源管理模块:由于HUFA76429D3S-VB具有高电流和低导通电阻特性,适用于各种电源管理模块,如开关电源和稳压器。2. 电机驱动器:可用于驱动各种类型的电机,包括直流电机和步进电机,在工业自动化和机器人领域有广泛应用。3. 电池保护模块:在电池管理系统中,该器件可用于电池保护模块,确保电池在充放电过程中处于安全状态。原创 2024-10-08 15:44:43 · 301 阅读 · 0 评论 -
HUFA76429D3ST_F085-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
1. **电机驱动**:HUFA76429D3ST_F085-VB 在电机控制系统中具有广泛应用。3. **电池管理**:在电池充放电管理系统中,HUFA76429D3ST_F085-VB 可以用于电池保护、充电和放电控制。4. **LED 驱动**:在 LED 照明系统中,该型号的 MOSFET 可用于 LED 驱动电路的设计。2. **开关电源**:在开关电源设计中,该型号的 MOSFET 能够提供可靠的功率开关和能源转换功能。- **电压额定值**:60V。- **电流额定值**:45A。原创 2024-10-08 15:43:03 · 237 阅读 · 0 评论 -
HUFA76423D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
1. **电源管理模块**:由于其高电流和低开态电阻特性,HUFA76423D3S-VB适用于各种电源管理模块,如DC-DC变换器和开关稳压器,以提供高效的功率转换和稳定的输出。4. **LED照明**:在LED照明系统中,HUFA76423D3S-VB可用于LED驱动器和调光控制器,实现高效的照明解决方案,并延长LED灯的寿命。2. **电动工具**:在电动工具中,这款场效应管可用于电池管理系统和功率控制电路,实现高功率密度和可靠性,使得电动工具具有更长的工作时间和更高的性能。### 适用领域和模块。原创 2024-10-08 15:40:36 · 313 阅读 · 0 评论 -
HUFA76423D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
1. **电源模块**:HUFA76423D3ST-VB适用于各种电源模块,如开关稳压器(Switching Regulators)和直流-直流转换器(DC-DC Converters)。3. **LED照明**:HUFA76423D3ST-VB还适用于LED照明应用,可用作LED驱动器中的功率开关,确保LED灯具的稳定供电和高效的工作。2. **电机驱动器**:在电机控制领域,这款MOSFET可用于电机驱动器中的功率开关电路,例如用于控制电动汽车的电机,以实现高效的电动汽车驱动。**详细参数说明:**原创 2024-10-08 15:39:24 · 402 阅读 · 0 评论 -
HUFA76419D3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
HUFA76419D3-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管,具有60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大45A的电流。3. 汽车电子:在汽车电子领域,HUFA76419D3-VB可用于车载电源管理、电动汽车驱动器和车辆动力控制系统中,提高汽车的性能和能源利用效率。1. 电源管理模块:HUFA76419D3-VB适用于电源开关模块和电源管理系统,用于实现高效率和高功率密度的能量转换。- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V时)- 最大漏极-源极电压(VDSS):60V。原创 2024-10-08 15:38:09 · 269 阅读 · 0 评论 -
HUFA76419D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
3. **电动车电池管理系统(BMS):** 在电动车电池管理系统中,HUFA76419D3S-VB可用于电池充放电控制和保护电路,确保电池系统的安全运行。1. **漏极-源极电压(VDS):** 该参数表示MOSFET可以承受的最大漏极-源极电压,即在正常工作状态下,电压不能超过该值,否则可能会损坏器件。4. **LED照明:** 在LED照明驱动电路中,这款MOSFET可用于调光和控制LED灯的亮度,实现灯光的亮度调节和节能控制。- **漏极-源极电压(VDS):** 60V。原创 2024-10-08 15:36:54 · 376 阅读 · 0 评论 -
HUFA76419D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
3. 汽车电子系统:在汽车的电子系统中,HUFA76419D3ST-VB可以用于控制车辆的各种电气设备,如电动窗、座椅调节器等,确保其高效稳定的运行。2. 电源开关:在电源开关模块中,该器件可以用作高功率开关,帮助实现电源的开启和关闭,同时保持低导通电阻,减少功率损耗。1. 电机驱动:HUFA76419D3ST-VB可用于驱动各种类型的电机,如直流电机和步进电机,以控制其速度和方向。4. 工业控制:在工业控制领域,该器件可用于各种自动化设备和机器的控制,提高系统的响应速度和效率。- 品牌:VBsemi。原创 2024-10-08 15:34:18 · 191 阅读 · 0 评论 -
HUFA76419D_F085-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
2. 电动车辆:在电动车辆中,HUFA76419D_F085-VB可用作电机驱动器件,控制电机的启停和转速,提供高效的功率传输和精确的动力控制,适用于电动汽车、电动摩托车等。1. 电源模块:HUFA76419D_F085-VB可用作开关电源模块中的功率开关器件,用于控制输出电压和电流,确保电源的稳定输出,适用于电源适配器、服务器电源等。5. 电源管理:作为功率开关器件,HUFA76419D_F085-VB也可用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、电池充放电管理等,提供高效的电能转换和管理功能。原创 2024-10-08 15:16:45 · 333 阅读 · 0 评论