weixin_41788560的博客

该示例演示了，GaN肖特基二极管中，因声子辅助隧穿（ phonon-assisted tunneling ）的反向偏置漏电流的温度依赖性建模。

本示例演示了Atlas中任何device的全局温度梯度（global temperature ramping）的正确方法。

DOPINGDOPING语句的别名是PROFILE。定义：通过分析或从输入文件指定掺杂分布。语法DOPING <prof>[<psp>][<bound>][<loc>][<sprea>>][OUTFILE=<fn>][<trps>] descriptionDOPING语句用于定义器件结构中的掺杂分布。通常，在其他器件结构上的每个结构上都给出一系列的掺杂声明。Paramet...

Atlas 是一个基于物理的二维和三维设备模拟器。它预测指定半导体结构的电气行为，并提供对与设备操作相关的内部物理机制的洞察。Atlas 可以独立使用，也可以作为 Silvaco 虚拟晶圆厂仿真环境中的核心工具使用。在预测工艺变量对电路性能影响的序列中，器件仿真介于工艺仿真和 SPICE 模型提取之间。

代码共射极，改自例库BJT/bjtex04.in去掉了欧姆区掺杂，将高斯分布改成了均匀分布所以器件region num=1 siliconelectrode num=1 name=emitter left length-4.0electrode num=2 name=base right length=0.5 y.max=0electrode num=3 name=collector bottomdoping reg=1 uniform n.type conc=5e

代码go atlas#定义网格#二维非均匀网格meshx.m l=0.0 spacing=0.3x.m l=0.5 spacing=0.018x.m l=2.5 spacing=0.018x.m l=3 spacing=0.3y.m l=-0.02 spacing=0.01y.m l=0.0 spacing=0.01y.m l=0.3 spacing=0.06y.m l=1.0 spacing=0.2region num=1 y.min=0

代码#启动仿真工具go atlas#定义网格meshx.mesh location=0.00 spac=1.0x.mesh location=1.00 spac=1.0 #x 0-1，x方向没有打网格，一维结构y.mesh location=0.00 spac=0.1y.mesh location=10.00 spac=0.1 #y 0-10，网格0.1，不算疏，也不算密#定义材料#硅材料region num=1 silicon#定义电极#阳极在上方，阴极在底部e

离子注入形成的掺杂分布，不同网格密度产生的效果网格点稀疏#启功工艺仿真器go athena#定义网格# x：0-1，间距是1。即x方向有1个网格点。# y：0-5，间距是0.1.即y方向有50个网格点# x，y方向没有网格，意味着，这是一个一维的程序line x loc=0.0 spac=1.0line x loc=1.0 spac=1.0line y loc=0.0 spac=0.1line y loc=5 spac=0.1#初始掺杂材料#初始掺杂材料是..

代码：#启动器件仿真工具atlasgo atlas #建立网格。#定下来这个器件处于什么区域、什么位置。把空间离散化。meshx.mesh location=0.00 spac=1.0x.mesh location=1.00 spac=1.0y.mesh location=0.00 spac=0.1y.mesh location=1.00 spac=0.1#定义材料。这个区域全是硅材料region num=1 silicon#定义电极#在顶部是阳极，在底部是阴极elec

此示例演示了肖特基二极管正向特性的仿真。 展示了：使用 Atlas 语法形成二极管结构 设置阳极的肖特基势垒高度 正向偏置阳极代码第一部分：描述设备mesh（网格） electrodes locations（电极位置） doping distribution（掺杂分布）这是位于结构左侧和右侧的，2维n型器件，具有重掺杂浮动 p 型保护环区域，（2D n-type device with heavily doped floating p-type guard ring regio.

1.View -> Show Line number2.Syntax Dialog在上排3.第12行·右键set stop4.Edit - > Preference-> HistorySetting-> Athena打开->Length开到999暂存档结果5.跑到第12行。跑完后·Messge那会有蓝色的字·structure ... history0266.可以右键Plot(打开暂存档)7.跑14行·开第二个暂存档（...

使用的设计流程：Athena和process结合：run-card（里面有很多process flow）和layout GDS文件结合，会产生结构文件。现在的TCAD的基本是3D的。也可以做2D。process flow simulation的目标：process flow table或run-card input定义步骤，在该步骤中产生设备结构的3D图像。在有run-card的情况下，使用2D的procession，在deckbuild中运行Athena...

使用的设计流程：deckBuild -> command file ->device simulator在deckbuild Linux 中运行atlas1、打开deckbuildLinux版本：terminal>deckbuild&windows版本：（我用的是windows版本）在桌面上点击 S.EDA Tools 图标来打开程序的快捷方式文件夹，直接双击 DeckBuild 图标。2、运行atlas：在交互界面界面输入...

DeckBuildDeckBuild 是一个交互式运行时和输入文件开发环境，所有 Silvaco TCAD 和其他几种 Silvaco 产品都可以在其中运行。打开DeckBuildLinux版本下打开deckbuildterminal>deckbuild&Windows版本下打开deckbuild在桌面上点击 S.EDA Tools 图标来打开程序的快捷方式文件夹，直接双击 DeckBuild 图标。Accessing Examples...

silvaco档名1. Input file:：xxx.in2.Output file：xxx.out3. Device structure file：xxx.str4. Device lV or cv ... file：xxx.log --- raw date5.lmage file: xxx.pngsimflags1.指定版本:go <simulator> simflags="-V x.xx.x.R"For example:go athena simf...

Silvaco TCAD功能：可以仿真半导体工艺 和器件特性，主要的集成环境：DeckBuild（在此界面可以灵活调用工艺仿真组件、器件仿真组件以及可视化工具等模块）Silvaco TCAD版本：Linux 版本：有更多的图形用户界面（GUI），方便用户选择参数，然后自动转化成相应的语句。Windows 版本：需要书写语句。数值计算Silvaco TCAD 中的数值计算是基于一系列的物理模型及其方程的，这些方程以已经成熟的固体物理和半导体物理理论或者是一些...

工艺仿真组件ATHENA 概述仿真组件：ATHENA SSUPREM4（二维核心工艺仿真器） Parallel Monte Carlo Implant（蒙托卡诺离子注入仿真 器） ELITE（先进物理刻蚀和淀积仿真器） Monte Carlo Deposit/Etch（蒙托卡诺淀积和 刻蚀仿真器） OPTOLITH（二维光刻仿真器） ATHENA multicore 。。。工艺仿真组件ATHENA：很强的工艺仿真能力，包括单项工艺：离子注入、扩散、淀积、 刻蚀、外延、光刻，氧

学习目标DeckBuild 的命令 “extract”、“go”、“set”和“Tonyplot” Silvaco 文档的分布和学习方法。Silvaco语法格式Silvaco 的语法结构组成：（一个语句只有一个命令， 而参数可以有多个）command (器件仿真时的“statement”作用同此“command”) parameter通用格式：COMMAND PARAMETER1=<n> PARAMETER2=<c> [PARAMETER3 | PARAM.

学习目标：Silvaco TCAD 的基本框架 集成环境 DeckBuild DeckBuild 的命令 “extract”、“go”、“set”和“Tonyplot” Silvaco 文档的分布和学习方法。Silvaco TCAD介绍TCAD（Technology Computer Aided Design）：半导体工艺模拟以及器件模拟工具。商用的 TCAD 工具：Silvaco 公司的 ATHENA 和 ATLAS， Synopsys 公司的 TSupprem 和 Medic.