嵌入式存储器基础知识--RAM/ROM/FLASH

一、前言

  按照存储器断电后，存储的数据内容是否会丢失的特性，将常用存储器分为两大类：

• 易失性存储器（存取速度快，掉电丢失典型代表：内存RAM）
• 非易失性存储器（可长期存储数据，存取速度慢，典型代表：硬盘，FLASH/ROM）

二、易失性存储器–RAM

  RAM（Random Access Memory-随机存储器）是计算机的主要内部存储器----内存。"随机存取"是数据读取和写入花费的时间与存储位置无关（这里的"随机"意味着数据并非线性排列，而是可以自由指定地址进行访问）。这种存储器具有访问速度快、读写次数不受限、支持随机访问等特点。然而，RAM也存在断电后数据丢失、存储容量有限以及成本较高等不足。

  在嵌入式系统中，RAM通常用于存储运行时数据、堆栈、寄存器，正在运行的操作系统、应用程序和临时数据等。

  RAM具有以下主要特点：

1. 快速访问：RAM具有非常快速的读取和写入速度，可以实现高性能的数据存取。这使得RAM非常适合用于存储正在运行的程序和临时数据，以提供快速的计算和响应。
2. 随机访问：RAM可以随机访问存储的数据，即可以直接访问任何存储单元，而不需要按照顺序进行读取或写入。这使得RAM非常适合用于需要快速访问任意数据的应用，如计算机内存和缓存。
3. 容量灵活：RAM的容量可以根据需要进行灵活扩展，从几兆字节到几十或上百吉字节不等。这使得RAM可以满足不同应用的存储需求，从个人计算机到服务器和大型数据中心，但是总体容量较小。
4. 临时存储：RAM主要用于临时存储数据和程序，当计算机断电或重新启动时，RAM中的数据将被清除。因此，RAM通常用于存储正在运行的操作系统、应用程序和临时数据，而不是长期存储。
5. 高价格：相比于Flash等非易失性存储器，RAM的价格较高。这是因为RAM需要更高的性能和更复杂的制造工艺，以实现快速访问和随机访问的能力。

  RAM可以分为动态随机存储器 DRAM 以及静态随机存储器 SRAM 。速度：ROM=FLASH<DRAM<SRAM

2.1 动态随机存储器–DRAM(Dynamic RAM)

  DRAM的具体的工作过程是这样的：由 1个晶体管+1个电容（1T1C）构成存储单元，一个存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因，所以他需要定期刷新操作，即 Dynamic（动态的），访问速度通常 50~100ns 级。

  根据 DRAM 的通信是否需要时钟信号，又分为SDRAM(Synchronous DRAM 同步动态随机存储器)和异步 DRAM，SDRAM在时钟的上升沿表示有效数据。相比于异步DRAM，SDRAM速度更快，应用更广。

  SDRAM，同步动态随机存储器，“同步”是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；“动态”是指存储阵列需要不断地刷新来保证数据不丢失；“随机”是指数据不是线性依次存储的，而是自由指定地址进行数据读写。

  为了进一步提高 SDRAM 的速度，设计出了 DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器），在上升沿和下降沿各表示一位数据，即在时钟频率相同的前提下，相对于 SDRAM 在一个时钟周期内可以表示两位数据，速度翻倍。再有就是 DDR2 和 DDR3，他们与 DDR SDRAM 通信方式一样，只是通信的时钟频率提高了。（当前个人计算机多为 DDR3 或者 DDR4 ），这是目前主流的内存类型。DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM都属于SDRAM类型，其主要区别在于速度、容量与功耗。

  主要用于电脑内存

2.2 静态随机存储器–SRAM(Static RAM)

  SRAM 的存储单元是由 6个晶体管（6T）构成，不需要定时刷新（断电还是会丢失数据的）。异步SRAM用的比较广泛。访问速度通常 1~10ns 级。
（1）这里的“静态”，是指这种存储器只要保持通电状态，里面储存的数据就可以保持稳定，不需要像DRAM那样去刷新电路；但注意掉电时数据还是会消失的。
（2）SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备。

Tips📌:
  DRAM 结构简单，生产相同容量的存储器，DRAM 成本低，集成度高，但是他的存取速度不如 SRAM，所以在实际应用中，SRAM 一般用于CPU内部高速缓存（Cache），而外部扩展的内存一般用 DRAM。

2.3 DRAM和SRAM比较

应用场景：
SRAM：芯片内部集成的RAM（如 STM32 的 128KB SRAM），高速缓存（Cache，如 Cortex-M7 的 TCM 内存），对实时性要求高的场合（如中断服务程序变量）。MCU上一般定义的全局变量都是存放在SRAM中的(也可以通过连接脚本控制)

DRAM：外挂大容量内存（如 Linux 嵌入式系统的 DDR SDRAM），需要大容量存储且对成本敏感的场景（如视频缓存）。一般超过片内 SRAM 容量的大数组，需要动态内存分配的大型缓存等内容存放在DRAM中(并不是所有的板子都存在DRAM的)

三、非易失性存储器–ROM and FLASH

  种类较多，半导体类的有 ROM 和 Flash，其他的还有光盘、软盘、机械硬盘等。本文主要讨论ROM和FLASH。

3.1 ROM

  ROM（Random Only Memory-只读存储器），它的内容在出厂时就已经被编程，不可修改。在嵌入式系统中，ROM通常用于存储启动代码、关键配置参数和系统固件，保了系统的稳定运行和数据可靠性。ROM数据具有永久保存特性，即使在断电情况下也能保持数据完整性，且无法被更改或删除。ROM的主要优点是读写速度快、容量大、可靠性高，价格便宜，但不支持擦写和编程，存储内容无法更新，存储速度不如RAM。

  ROM一般情况下只能读取而不能修改该介质里面的数据（按照EEPROM的描述，还是可以修改数据的，因此这句话改为“不能随意写”更为妥当）。

  在单片机中用来存储程序数据及常量数据或变量数据，凡是c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、‘const’限定符定义的常量数据、startup.asm文件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的）通通都存储在ROM中。

  ROM具有以下主要特点：

1. 只读性：ROM中的数据在制造过程中被写入，一旦写入后就无法被修改或擦除。这使得ROM非常适合存储固定的程序代码、固件、操作系统等不需要修改的数据。
2. 持久性：与RAM和FLASH闪存不同，ROM中的数据在断电或重新启动后仍然保持不变。这使得ROM非常适合存储需要长期保存的数据，如固定的程序代码和配置信息。
3. 高可靠性：由于ROM中的数据无法被修改或擦除，所以它具有非常高的可靠性和稳定性。这使得ROM非常适合用于存储关键的系统代码和数据，以确保系统的正常运行。
4. 低功耗：由于ROM不需要电力来维持存储的数据，所以它具有很低的功耗。这使得ROM非常适合用于低功耗设备和嵌入式系统，以延长电池寿命。

  例如，计算机的BIOS（基本输入输出系统）是存储在ROM中的。当我们打开计算机时，BIOS会首先运行，负责初始化硬件设备和加载操作系统。由于ROM的数据是只读的，所以BIOS在计算机启动过程中是不可修改的。

  为了便于使用和大批量生产，进一步发展出了可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储（EPROM）。EPROM需要用紫外线长时间照射才能擦除，使用很不方便。1980年又出现了电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），它克服了EPROM的不足，但是集成度不高、价格较贵。于是又发展出了一种新型的存储单元结构同EPROM类似的快闪存储器（FLASH MEMORY）。FLASH集成度高、功耗低、体积小，又能在线快速擦除，因而获得了快速发展。

  但随着技术的发展，通常将掉电后数据不会消失的半导体存储器都泛称为 ROM ，因此现在的 ROM 一般是指 EEPROM 和 FLASH 。
  EEPROM常用于接口卡，用于存放硬件设置数据，如接口卡配置信息

3.2 Flash

  Flash 全名为Flash Memory，我们平时一般叫“闪存”，是存储芯片的一种。它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据的优势，使数据不会因为断电而丢失。容量一般比 EEPROM 大得多，擦除时一般以多个字节为单位，

  FLASH闪存具有以下主要特点：

1. 非易失性：FLASH闪存存储的数据在断电后仍然保持，不需要电源维持。这使得FLASH闪存非常适合用于存储重要的数据和程序代码。
2. 快速访问：FLASH闪存具有快速的读取和写入速度，可以实现高性能的数据存取。这使得它适用于需要快速存取数据的应用，如操作系统、应用程序和游戏。
3. 高密度：FLASH闪存的存储单元采用浮栅晶体管结构，可以非常紧密地组织在一起，从而实现高存储密度，容量可达 TB 级（如 NAND Flash）。
4. 低功耗：FLASH闪存在读取和写入数据时消耗的能量相对较低，适合用于便携设备和移动设备。这使得它成为手机、相机、便携式媒体播放器等设备的理想存储解决方案。
5. 耐用性：FLASH闪存具有较高的耐用性，可以承受大量的擦写操作。每个存储单元的擦写次数有限，但通过使用擦除算法和均衡技术，可以延长FLASH闪存的寿命。

  根据存储单元电路不同分为 NOR Flash 和 NAND Flash。NOR Flash 和 NAND Flash 的共性是在数据写入前都需要进行擦除操作，而擦除操作一般是以 “ 扇区 / 块 ” 为单位的。

  NOR 和 NAND 特性的差别主要在于其内部 “ 地址 / 数据线 ” 是否分开。NOR 是分开的，可以按字节为单位读写数据，符合 CPU 指令译码要求，所以如果在其中存储的是代码，就具有立即执行的特性，而 NAND 数据和地址线公用，只能按 “块” 读写数据，所以其中存储代码的话，不具有立即执行的特性，需要先把代码加载到 RAM 存储器上，再由 CPU 执行。所以，在功能上，可以认为 NOR 是一种断电后数据不丢失的 RAM，只是擦除单位于 RAM 有区别，且读写速度比 RAM 慢很多。

  Flash存储器是非易失性存储器，它可以被反复擦写和编程。在嵌入式系统中，Flash通常用于保存程序代码和数据，例如U-Boot、内核镜像、文件系统等。Flash存储器的主要优点是具有大容量、低功耗和高可靠性等特点，但它的擦写次数受到限制，一般只能擦写几万次。因此，在实际应用中，需要采用特殊的算法和策略来延长Flash的寿命。

四、总结

  ROM是只读存储器，其中存储的数据只能被读取，而不能被写入或修改。它通常包含计算机系统的启动程序和其他重要的系统信息。
  FLASH是一种可擦写非易失性存储器，它可以被重复写入和修改。它通常用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
  RAM是一种易失性存储器，其中存储的数据可以被读取、写入和修改，但在断电后数据会消失。它通常用于临时存储计算机程序和数据。

五、常见问题

5.1 缓存与寄存器的区别

  缓存和寄存器都是计算机硬件组件，它们用于临时存储数据以提高处理器和内存之间的数据传输速度。尽管它们的目的相似，但它们之间存在一些关键区别：

1. 存储位置：寄存器位于处理器（CPU）内部，是一种高速存储器。它们用于存储和处理中间结果、指令和其他重要数据。缓存位于CPU和主内存之间，可以是内部或外部的。它们主要用于存储处理器经常访问的数据和指令，以减少处理器和主内存之间的访问延迟。

2. 存储容量：寄存器的数量有限，存储容量相对较小。然而，缓存的容量要大得多，可以存储更多数据和指令。缓存通常分为多级（如L1、L2和L3缓存），其中L1缓存最接近CPU，具有最小的访问延迟，但容量有限；L2和L3缓存具有更大的容量，但访问延迟稍长。

3. 数据访问速度：寄存器的访问速度是最快的，因为它们位于CPU内部。缓存的访问速度要慢一些，但仍然比主内存快。多级缓存中，L1缓存的访问速度最快，L2和L3缓存的访问速度略慢。

4. 数据管理：寄存器中的数据通常由处理器和编译器显式管理。程序员可以使用某些编程语言（如C语言中的register关键字）来建议将某个变量存储在寄存器中，但最终决定由编译器和处理器决定。缓存中的数据是由硬件自动管理的，通常基于某种缓存替换策略（如最近最少使用，LRU）来决定哪些数据应该被存储在缓存中。

  总之，寄存器和缓存都用于临时存储数据以提高处理器性能，但它们在存储位置、容量、访问速度和数据管理方面存在一些关键区别。

5.2 缓存与内存的区别

  缓存（一般为SRAM）和内存（一般为DRAM）都是计算机系统中用于存储数据的硬件组件。它们在存储位置、访问速度、容量和用途方面有一些关键区别。以下是缓存和内存之间的一些主要区别：

1. 存储位置：缓存位于CPU和主内存（通常称为RAM）之间，可以是内部或外部的。它们用于存储处理器经常访问的数据和指令，以减少处理器和主内存之间的访问延迟。内存是计算机系统的一部分，用于存储程序和数据。

2. 访问速度：缓存的访问速度比内存快。缓存被设计成具有较低的访问延迟，以便处理器能更快地访问存储在其中的数据。内存的访问速度较慢，尤其是与寄存器和缓存相比。

3. 容量：缓存的容量相对较小，因为它只存储处理器经常访问的数据和指令。内存的容量要大得多，用于存储程序和数据。

4. 用途：缓存主要用于减少CPU访问内存的延迟，提高系统性能。当CPU需要访问某个内存地址时，它首先检查缓存是否包含该地址的内容。如果找到匹配项（称为缓存命中），CPU将直接从缓存中读取数据，而不是从内存中读取。如果未找到匹配项（称为缓存未命中），CPU将从内存中读取数据，并将其存储在缓存中以供将来使用。内存用于存储程序和数据，在计算机启动时加载操作系统和应用程序。

  总之，缓存和内存是计算机系统中用于存储数据的硬件组件，它们在存储位置、访问速度、容量和用途方面有一些关键区别。