摘录于微信公众号数字IC设计 数字IC设计学习笔记,只是为了便于自己理解记忆和方便查阅,并无其他目的。
背景引言
MemoryBist的主要测试原理:Test controller是MemoryBist的控制器,在接到测试指令后,产生相应的测试信号,Pattern 生成电路根据测试指令产生测试 pattern 对 memory 进行测试,输出数据通过比较器与期望结果进行对比,将对比结果反馈给controller,controller再输出Memory的测试结果。function mode下的input 通过mux与BIST mode input 分离。
📌 MemoryBist测试方法
工具会根据一定的规则将Design 中的Memory分成若开组,每组对应一个 MBist controller。同一个 controller 下的Memory又可以分成若干step进行测试。同一step下的Memory采用并行(parallel)的方法进行测试,不同step之间则采用串行(serial)的方法进行测试。因此,同一controller下step数量太多会导致MBist测试时间增加。
📌 Memory 分组的影响因素
Memory BIST 测试中 Memory 分组主要考虑以下因素:
物理位置:会影响PR routing 及timing,因此物理位置较近的Memory可以分为一组,物理位置较远的 memory 则分在不同的 controller 测试对绕线和 timing 更友好;
电压域:不同power domain 的Memory不能分到同一组,power domain信息通过读入UP