ESD笔记（五）_栅氧层击穿原理

最新推荐文章于 2024-07-04 19:13:01 发布

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分类专栏： ESD 文章标签： ESD

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本文探讨了MOS栅氧层击穿的失效原理，解释了氧化层中的电子阱如何在高电场作用下形成击穿通路，导致栅极损坏。短沟道效应使得纳米尺度下器件的栅氧层对电压变化更为敏感，降低了击穿电压。随着器件尺寸缩小，栅氧层击穿的风险增加。

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栅氧层击穿失效原理：

MOS栅氧层击穿规律可以用传统的氧化层的渗透模型解释如图2.5所示，在芯片的制造中由于工艺、材料及环境等的影响，无法避免的在氧化层内引入一定的缺陷，当氧化层上下层界面间被施加较高电压时，氧化层中的缺陷就会形成一个个电子阱，随机分布在氧化层中间。在氧化层电场的作用下每个电子胖都有俘获电子的能力，同时电子也有可能从一个电子胖获得能量后跃迁到另一个电子胖中去。假设每个电子胖俘获电子的能力相同，俘获电子范围的半径为r,那么每个电子胖就会以r为半径形成一个俘获电子的球形区域。在高电场的作用下电子胖俘获电子的区域可能相互重叠，形成了一条自氧化层上界面到下界面的电流通路，那么这条通路就成为一条发生潜在击穿的通路。随着栅电流的不断增大，栅氧层通路形成电流通道，氧化层性能缓慢下降。当电流通过缺陷通道进一步放电，氧化层被击穿，栅极被损坏。由于电子胖在氧化层中的分布是随机的，当氧化层越薄，则需要形成通路的电子胖数目就相对越少，因此薄的氧化层比厚的氧化层更容易发生击穿。与此同时，由于单位面积栅氧化层缺陷在概, 率统计中是一定的，因此相比一块小面积的氧化层，大面积的氧化层形成一条自上而下击穿通路的可能性更大。这也解释了上节中所总结的一般性规律。

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