RAM

这里简单认为同步RAM的读写在时钟

RAM学习笔记SRAM和DRAM区别与联系器件结构SRAMDRAM性能差异使用场景SRAM类别与实现单端口伪双端口双端口同步与异步 SRAM和DRAM区别与联系 从基本的cell结构上划分，RAM分为SRAM和DRAM，二者在性能，成本，使用场景上都有所不同。 器件结构 SRAM SRAM(Static Random-Access Memory)，静态随机存取存储器，其基本的cell电路图如下： SRAM的cell中共有六个晶体管（transistor）组成，其结构相当于一个SR锁存器：   WL(wo

RAM与ROM是计算机中常见的存储器类型，它们在数据存储和访问方面扮演着重要的角色。RAM（Random Access Memory）是一种临时存储器，用于存储计算机正在运行的程序和数据。它具有快速的读写速度和随机访问的特点。相比之下，ROM（Read-Only Memory）是一种只读存储器，用于存储固定的程序指令和数据。ROM中的数据在计算机断电时不会丢失，因此被称为非易失性存储器。接下来，我们将详细介绍RAM和ROM的特点和常见类型。RAM和ROM在计算机系统中扮演着不同的角色。

数字IC设计学习笔记 序列检测 1. RAM设计 RAM设计 问题描述 设计实现一个512*8的双端口RAM RAM宽度8bit，RAM深度512，ADDR位宽：2^9=512 Verilog代码 module ram_dual( clk_r, clk_w, en_r, en_w, addr_r, addr_w. data_r, data_w ); parameter DLY = 1; parameter RAM_WIDTH = 8; parameter RAM_DEP

异步双口RAM的综合     我写了一个异步的FIFO，里面包括一个异步双口RAM，用ModelSim仿真完全正确，但用Synplify综合时（选用Cyclone器件），却把RAM综合成了一大堆的LUT，无论怎么改都没法综合成Cyclone器件内的Block RAM。即使在Synplify里加了约束条件，仍然无济于事。     现在发现问题主要是出在异步时钟上，读和写用同一个时钟能综合成B

现在你已经掌握了内存的基本知识，所以你应该能理解下面讲述的为什么BX芯片组的主板超频到133 MHz性能会比别的比如VIA Apollo 133等芯片组好；为什么133外频的KX133并不比100外频的AMD750芯片组有明显的性能提高。因为BX/AMD750芯片组运行在同系统FSB同样的时钟频率下，而VIA芯片组是异步的，因为它可以支持PC66、PC100、PC133 SDRAM。我们来

数字IC设计——SRAM的Verilog语言实现（三）（双端口SRAM） 在FPGA设计中，经常会用到RAM，这里的RAM一般指的是静态的RAM（SRAM）。一般FPGA中就有所谓的block RAM, 它就是现成的RAM资源。通常情况下，我们使用IP核，进行设计，但是在soc设计中，一般的使用自己的IP，现在设计sram module。 主要设计如下ram: 1)用Verilog实现一个同步双端...

Verilog一例（同步与异步时序） 问题 顶层模块有一个50MHz时钟输入（使用testbench实现），一个8位信号输出。 有一个容量为90的8位RAM子模块，每个时钟上升沿，RAM根据8位地址线，输出对应的数据。 顶层模块在每100个时钟周期里，前10个时钟周期信号无效，输出为0；后面90个时钟周期，输出值分别为RAM中地址0~89的数据。

DDR核心频率、工作频率，等效频率详解 ■何为内存频率 　对于内存条，相信大家并不陌生。因为内存已经成为每台电脑的必备配件，从EDO、SDRAM、DDR、DDR2再到现如今的DDR3内存，变化可谓是翻天覆地。内存无论是在容量、速度、性能上都有了显著的提高。     但是内存市场中，产品可谓是型号众多，比如DDR2 667、DDR2 800、DDR3 1600等等，这些各式各样的各

LVDS液晶屏和TTL液晶屏的区别简介 TTL信号是TFT-LCD能识别的标准信号，就算是以后用到的LVDS，TMDS都是在它的基础上编码得来的。TTL信号线一共有22根（最少的，没有算地和电源的）分另为R G B 三基色信号，两个HS VS 行场同步信号，一个数据使能信号DE，一个时钟信号CLK，其中R G B三基色中的每一基色又根据屏的位数不同，而有不同的数据线数（6位，和8位之分）

DDR4, DDR3, DDR2, DDR1 及SDRAM各有何不同? SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：為同步動態隨機存取記憶體，字首的Synchronous告訴了大家這種記憶體的特性，也就是同步。1996年底，SDRAM開始在系統中出現，不同於早期的技術，SDRAM是為了與中央處理器的計時同步化所設計，這使得記憶體控制

1. TF卡接口   2. SD卡接口 源自：http://www.51hei.com/chip/1849.html 相关文章： TF卡及SD卡接口规范 http://blog.csdn.net/myarrow/article/details/8921214 TF卡 SD卡接口 http://blog.sina

什么是FRAM FRAM (铁电随机存取存储器) 是被称为 FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM 具有 ROM (只读存储器) 和 RAM (随机存取器)，在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。 关于铁电质 下面的图表解释了 PZT 晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和