STM32之HAL开发—— SRAM控制原理

本文介绍了SRAM的工作原理,特别是STM32控制器中SRAM的使用,包括其静态特性、与STM32扩展内存的控制方法,以及IS62WV51216芯片的结构。重点讲解了地址译码、数据宽度控制和存储矩阵寻址的过程。

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SRAM(Static Random-Access Memory)

静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory),这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

控制原理

STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存和程序空间不足时,就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。
扩展内存时一般使用SRAM和SDRAM存储器,但STM32F407系列的芯片不支持扩展SDRAM(STM32F429系列支持), 它仅支持使用FSMC外设扩展SRAM,我们以 SRAM为例讲解如何为STM32扩展内存。
给STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的,只是PC上一般以内存条的形式扩展,内存条实质是由多个内存颗粒(即SRAM芯片)组成的通用标准模块,而STM32直接与SRAM芯片连接。
在这里插入图片描述
控制电路主要包含了片选、读写使能以及上面提到的宽度控制信号UB#和LB#。利用CS2或CS1#片选信号,可以把多个SRAM芯片组成一个大容量的内存条。OE#和WE#可以控制读写使能,防止误操作。

引脚描述

这是型号为IS62WV51216的SRAM芯片内部结构框图,以它为模型进行学习。

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